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公开(公告)号：CN103176313A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210543917.7
申请日：2012-12-14
Applicant: 株式会社日本显示器东
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1341
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/133305 , G02F1/1339 , G02F2001/13415
Abstract: 一种液晶显示装置，在利用柱状衬垫控制了TFT基板与对向基板的间隔的液晶显示面板中，防止因对向基板的变形引起的单元间隙的不匀和产生低温气泡。在形成有TFT电路层的TFT基板上形成有柱状衬垫，TFT电路层形成有TFT及像素电极，与形成有滤色器、黑矩阵、涂膜的对向基板的间隔，利用柱状衬垫来控制。柱状衬垫成为插入形成于对向基板的涂膜的形状，由此，对向基板及TFT基板成为向内侧凸的形状。若基板形成向内侧凸的形状时，难以产生基板变形，在由于来自外部的按压力、或用树脂将前窗等与液晶显示面板进行粘接时，对向基板相对于因树脂固化收缩导致的应力也难以产生变形。另外，能够适当地设定柱状衬垫的数量，因此，也能够防止产生低温气泡。
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公开(公告)号：CN104698704B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410742976.6
申请日：2014-12-08
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/1337 , G02F1/133707 , G02F1/1368 , G02F2001/133357 , G02F2201/121 , G02F2201/123
Abstract: 一种液晶显示装置，应对在用于连接像素电极与源电极的贯通孔的直径变小时取向膜材料变得难以流入到贯通孔内的现象。TFT衬底(100)具有如下结构的像素：有机钝化膜(104)上形成有公共电极(105)，在其上形成有层间绝缘膜(106)，在其上形成有具有狭缝的像素电极(107)，经由贯通孔(109)将TFT的源电极(102)与像素电极导通，在TFT衬底中，贯通孔的深度为D/2的位置的锥角为50度以上，像素电极将贯通孔的侧壁的一部分覆盖，贯通孔的侧壁的其他部分不被像素电极覆盖。因此，取向膜材料(108)容易流入到贯通孔内，从而消除贯通孔附近的取向膜的膜厚不均。
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公开(公告)号：CN103176313B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210543917.7
申请日：2012-12-14
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1341
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/133305 , G02F1/1339 , G02F2001/13415
Abstract: 一种液晶显示装置，在利用柱状衬垫控制了TFT基板与对向基板的间隔的液晶显示面板中，防止因对向基板的变形引起的单元间隙的不匀和产生低温气泡。在形成有TFT电路层的TFT基板上形成有柱状衬垫，TFT电路层形成有TFT及像素电极，与形成有滤色器、黑矩阵、涂膜的对向基板的间隔，利用柱状衬垫来控制。柱状衬垫成为插入形成于对向基板的涂膜的形状，由此，对向基板及TFT基板成为向内侧凸的形状。若基板形成向内侧凸的形状时，难以产生基板变形，在由于来自外部的按压力、或用树脂将前窗等与液晶显示面板进行粘接时，对向基板相对于因树脂固化收缩导致的应力也难以产生变形。另外，能够适当地设定柱状衬垫的数量，因此，也能够防止产生低温气泡。
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公开(公告)号：CN104698704A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410742976.6
申请日：2014-12-08
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/1337 , G02F1/133707 , G02F1/1368 , G02F2001/133357 , G02F2201/121 , G02F2201/123
Abstract: 一种液晶显示装置，应对在用于连接像素电极与源电极的贯通孔的直径变小时取向膜材料变得难以流入到贯通孔内的现象。TFT衬底(100)具有如下结构的像素：有机钝化膜(104)上形成有公共电极(105)，在其上形成有层间绝缘膜(106)，在其上形成有具有狭缝的像素电极(107)，经由贯通孔(109)将TFT的源电极(102)与像素电极导通，在TFT衬底中，贯通孔的深度为D/2的位置的锥角为50度以上，像素电极将贯通孔的侧壁的一部分覆盖，贯通孔的侧壁的其他部分不被像素电极覆盖。因此，取向膜材料(108)容易流入到贯通孔内，从而消除贯通孔附近的取向膜的膜厚不均。
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