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公开(公告)号：CN108710448A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810488256.X
申请日：2015-04-14
Applicant: 株式会社日本显示器
CPC classification number: G06F3/044 , G02F1/13338 , G06F3/0412 , G06F2203/04103 , H05K1/11 , H05K3/28 , H05K2201/09381
Abstract: 提供电极基板、显示装置以及输入装置。电极基板具有：第一基板；第一电极，从上述第一基板的第一主面的第一区域经过上述第一基板的上述第一主面的第二区域直至上述第一基板的上述第一主面的第三区域地连续形成在上述第一基板上；凹部，在上述第二区域中形成于上述第一电极；以及保护膜，在上述第一区域以及上述第二区域中以覆盖上述第一电极的方式形成，其中上述保护膜的上述第三区域侧的端部位于上述第一电极中的形成于上述第二区域的部分上。
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公开(公告)号：CN103323987A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310110859.3
申请日：2013-03-21
Applicant: 株式会社日本显示器东
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133345 , G02F1/133377 , G02F1/134336
Abstract: 一种壁电极方式的液晶显示装置，抑制在壁状构造的根附近产生的壁电极断线，并抑制由形成间隙时的压力导致的层间绝缘膜的破裂，提高成品率。液晶显示装置呈矩阵状地配置多个像素，各像素在像素边界具有绝缘体的壁状构造，在壁状构造之间具有比壁状构造小的小壁状构造，包括：由在像素边界的壁状构造的侧面形成的壁状电极及与该电极相连的、从壁状电极与基板接触的面开始沿平面方向延伸的平面电极构成的壁电极；由覆盖小壁状构造的TFT侧电极及与该电极相连的、沿基板的平面方向延伸的保持电容电极构成的电极；形成在保持电容电极和平面电极之间的层间绝缘膜，在像素边界的壁状构造的上表面、侧面及根部分未形成由无机膜形成的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN105389037B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510536057.8
申请日：2015-08-27
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及电极基板的制造方法、电极基板、显示装置及输入装置。该电极基板的制造方法，在基板上以覆盖导体图案的方式形成保护膜时，能够容易地调整保护膜的膜厚使得在基板上表面的两个区域之间的保护膜的膜厚不同。电极基板的制造工序包括在基板(31)上表面的区域AR1及区域AR2，通过将原材料液体以液滴方式吐出并涂覆在基板(31)的上表面而以覆盖导体图案CB1的方式形成保护膜(33)的工序。此时，通过使区域AR2中的每单位面积的原材料液体的涂覆量少于区域AR1中的每单位面积的原材料液体的涂覆量，从而使得形成在区域AR2的部分的保护膜(33)的平均膜厚比形成在区域AR1的部分的保护膜(33)的平均膜厚薄。
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公开(公告)号：CN103323987B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310110859.3
申请日：2013-03-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133345 , G02F1/133377 , G02F1/134336
Abstract: 一种壁电极方式的液晶显示装置，抑制在壁状构造的根附近产生的壁电极断线，并抑制由形成间隙时的压力导致的层间绝缘膜的破裂，提高成品率。液晶显示装置呈矩阵状地配置多个像素，各像素在像素边界具有绝缘体的壁状构造，在壁状构造之间具有比壁状构造小的小壁状构造，包括：由在像素边界的壁状构造的侧面形成的壁状电极及与该电极相连的、从壁状电极与基板接触的面开始沿平面方向延伸的平面电极构成的壁电极；由覆盖小壁状构造的TFT侧电极及与该电极相连的、沿基板的平面方向延伸的保持电容电极构成的电极；形成在保持电容电极和平面电极之间的层间绝缘膜，在像素边界的壁状构造的上表面、侧面及根部分未形成由无机膜形成的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN105389037A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510536057.8
申请日：2015-08-27
Applicant: 株式会社日本显示器
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/0412 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111 , G06F2203/04112 , H05K1/16 , H05K1/162 , H05K3/28 , H05K2201/0191 , H05K2201/09972 , H05K2201/10053 , H05K2203/013
Abstract: 本发明涉及电极基板的制造方法、电极基板、显示装置及输入装置。该电极基板的制造方法，在基板上以覆盖导体图案的方式形成保护膜时，能够容易地调整保护膜的膜厚使得在基板上表面的两个区域之间的保护膜的膜厚不同。电极基板的制造工序包括在基板(31)上表面的区域AR1及区域AR2，通过将原材料液体以液滴方式吐出并涂覆在基板(31)的上表面而以覆盖导体图案CB1的方式形成保护膜(33)的工序。此时，通过使区域AR2中的每单位面积的原材料液体的涂覆量少于区域AR1中的每单位面积的原材料液体的涂覆量，从而使得形成在区域AR2的部分的保护膜(33)的平均膜厚比形成在区域AR1的部分的保护膜(33)的平均膜厚薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103576365B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310332841.8
申请日：2013-08-02
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/13394 , G02F1/134363
Abstract: 一种液晶显示装置，其具有壁结构体，可以抑制低温冲击气泡的发生。另外，还可以防止制造时基板内部的电极等的损伤。该液晶显示装置具有：第一基板、与所述第一基板相对设置的第二基板、设于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层（6）、形成在所述第一基板上的壁结构体（4）、设置在壁结构体（4）的至少侧面的像素电极（8）、以及形成在所述第一基板上的共通电极（5），还具备包含像素电极（8）和共通电极（5）的多个像素（10），其中，在所述第二基板的表面局部地设置有高度高的部分，通过使该高度高的部分与壁结构体（4）接触，使得所述第一基板和所述第二基板接触。
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公开(公告)号：CN106773418A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710036815.9
申请日：2013-03-25
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F2201/40 , H01L21/02112 , H01L21/288 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/78606 , H01L33/08
Abstract: 本发明提供一种显示装置，在高精细画面中，通过使连接源电极与像素电极的通孔的直径减小，使像素的透射率提高，使像素亮度提高。在像素内配置有TFT和突起(BK)，TFT的源电极(ST)覆盖突起地延伸，覆盖TFT和突起地形成无机钝化膜(PAS)，覆盖TFT上的所述无机钝化膜地形成有机钝化膜(IN)，覆盖有机钝化膜地形成对置电极(CT)，覆盖对置电极地形成上部绝缘膜(UPS)，在上部绝缘膜上形成像素电极(PX)，像素电极在突起上经由在所述无机钝化膜(PAS)以及上部绝缘膜(UPS)形成的连接孔(CH)与源电极导通。由此能够使通孔(CH)的直径减小，能够使像素的透射率提高。
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公开(公告)号：CN103389605B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310114477.8
申请日：2013-03-25
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F2201/40 , H01L21/02112 , H01L21/288 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/78606 , H01L33/08
Abstract: 本发明提供一种显示装置，在高精细画面中，通过使连接源电极与像素电极的通孔的直径减小，使像素的透射率提高，使像素亮度提高。在像素内配置有TFT和突起(BK)，TFT的源电极(ST)覆盖突起地延伸，覆盖TFT和突起地形成无机钝化膜(PAS)，覆盖TFT上的所述无机钝化膜地形成有机钝化膜(IN)，覆盖有机钝化膜地形成对置电极(CT)，覆盖对置电极地形成上部绝缘膜(UPS)，在上部绝缘膜上形成像素电极(PX)，像素电极在突起上经由在所述无机钝化膜(PAS)以及上部绝缘膜(UPS)形成的连接孔(CH)与源电极导通。由此能够使通孔(CH)的直径减小，能够使像素的透射率提高。
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公开(公告)号：CN103217838B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201310028150.9
申请日：2013-01-17
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/133345 , G02F1/133377 , G02F1/1337 , G02F1/133707 , G02F1/13394 , G02F1/134336 , G02F1/1368 , G02F2001/134318 , G02F2001/134381 , H01L33/0041
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法。在壁电极方式的液晶显示装置中，将壁构造和电极的平面分布最优化，提高成品率。所述液晶显示装置呈矩阵状地配置有多个像素，各像素包括：绝缘体的壁构造，其形成于像素边界；源电极，其由形成在上述像素边界的壁构造的侧面的壁电极、及与该壁电极连续且从壁电极与基板接触的位置开始在平面方向延伸的平面电极构成；第一公共电极，其设置于像素两侧的源电极之间，且隔着绝缘层与上述平面电极有一部分重叠，从而形成保持电容；以及第二公共电极，其设置在上述像素两侧的壁电极之间，在所述液晶显示装置中，将成为相邻两像素的壁电极的边界的狭缝只配置在上述壁构造的顶部。
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公开(公告)号：CN104698704A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410742976.6
申请日：2014-12-08
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/1337 , G02F1/133707 , G02F1/1368 , G02F2001/133357 , G02F2201/121 , G02F2201/123
Abstract: 一种液晶显示装置，应对在用于连接像素电极与源电极的贯通孔的直径变小时取向膜材料变得难以流入到贯通孔内的现象。TFT衬底(100)具有如下结构的像素：有机钝化膜(104)上形成有公共电极(105)，在其上形成有层间绝缘膜(106)，在其上形成有具有狭缝的像素电极(107)，经由贯通孔(109)将TFT的源电极(102)与像素电极导通，在TFT衬底中，贯通孔的深度为D/2的位置的锥角为50度以上，像素电极将贯通孔的侧壁的一部分覆盖，贯通孔的侧壁的其他部分不被像素电极覆盖。因此，取向膜材料(108)容易流入到贯通孔内，从而消除贯通孔附近的取向膜的膜厚不均。
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