公开(公告)号：CN1274733A

公开(公告)日：2000-11-29

申请号：CN00108954.4

申请日：2000-05-23

Applicant: 株式会社日本触媒 ,  大赛璐化学工业株式会社

Inventor： 山本哲也 ,  高木浩之 ,  三宅竜太 ,  丸山俊秀

IPC: C08J7/04

Abstract: 本发明提供一种屏氧气性优良的屏蔽性薄膜。本发明的屏蔽性薄膜10,在基质材料11的一个面上,具有通过底涂层13,由含有有机链和两末端官能性硅烷单体和硅烷化合物形成的被复层12,在其另一面上具有表皮层14,该薄膜在20℃、40、60和80%RH时的氧气透过率为0.1～100ml/m2·24hr。

公开(公告)号：CN1837220B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200610067307.9

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 山本哲也 ,  神山卓也

IPC: C07F5/05 ,  H01L23/08

Abstract: 本发明公开了环硼氮烷化合物的制备方法。通过a)ABH4(A是锂原子、钠原子或钾原子)表示的碱金属硼氢化物与(RNH3)n(R是氢原子或烷基，X是硫酸根或卤素原子，n为1或2)表示的胺盐的反应，或者b)乙硼烷(B2H6)和RNH2(R是氢原子或烷基)表示的胺的反应合成环硼氮烷化合物时，将原料的含水量控制在规定值以下，使用具有规定沸点的不同溶剂的混合溶剂作为反应用溶剂，或者在反应时将原料缓缓供给反应容器。或者，对环硼氮烷化合物进行蒸馏精制处理及过滤处理。这样，可以安全且高收率地制备高纯度的环硼氮烷化合物。

公开(公告)号：CN101310038A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200680042613.5

申请日：2006-11-15

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 熊田辉彦 ,  信时英治 ,  保田直纪 ,  山本哲也 ,  中谷泰隆 ,  神山卓也

IPC: C23C16/38 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: C23C16/342 ,  C07F5/02 ,  C23C16/30 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种包含由化学式1表示的环硼氮烷化合物的化学气相沉积成膜用组合物，其满足以下至少一个条件：所述组合物中各种卤素原子的含量为100ppb以下的条件，或所述组合物中各种金属元素的含量为100ppb以下的条件。在化学式1中，R1可以相同或不同，其为氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为氢原子；R2可以相同或不同，其为氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为烷基、烯基或炔基。通过使用该组合物，可改进由含环硼氮烷环的化合物生产的薄膜的物理性质如低介电常数性和机械强度。

公开(公告)号：CN101084230A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200580038043.8

申请日：2005-10-28

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 宫浦宪夫 ,  山本靖典 ,  中谷泰隆 ,  山本哲也

IPC: C07F5/05

CPC classification number: C07F5/02

Abstract: 本发明涉及从由式1表示的环硼氮烷、烯烃和配体过渡金属配合物催化剂生产由式2表示的六烷基环硼氮烷的方法。对于式1和2两者，R1表示烷基且可以相同或不同。R2表示氢原子或烷基，且可以相同或不同，且至少一个R2是氢原子，以及R3表示烷基，且可以相同或不同。

公开(公告)号：CN102924491A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210402445.3

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 山本哲也 ,  中谷泰隆 ,  原田弘子

IPC: C07F5/05 ,  F16J12/00

CPC classification number: C07F5/02

Abstract: 精制环硼氮烷化合物的制备方法、充填方法和保存用容器制备精制环硼氮烷化合物时，在水分含量为2000体积ppm以下的环境条件下过滤环硼氮烷化合物。或者，在容器中充填环硼氮烷化合物时，在水分含量为2000体积ppm以下的环境条件下，在上述容器中充填上述环硼氮烷化合物。或者，使用具有0.1MPa或以上的耐压压力的环硼氮烷化合物保存容器作为保存环硼氮烷化合物的保存容器。

公开(公告)号：CN101310038B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200680042613.5

申请日：2006-11-15

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 熊田辉彦 ,  信时英治 ,  保田直纪 ,  山本哲也 ,  中谷泰隆 ,  神山卓也

IPC: C23C16/38 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: C23C16/342 ,  C07F5/02 ,  C23C16/30 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种包含由化学式1表示的环硼氮烷化合物的化学气相沉积成膜用组合物，其满足以下至少一个条件：所述组合物中各种卤素原子的含量为100ppb以下的条件，或所述组合物中各种金属元素的含量为100ppb以下的条件。在化学式1中，R1可以相同或不同，其为氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为氢原子；R2可以相同或不同，其为氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为烷基、烯基或炔基。通过使用该组合物，可改进由含环硼氮烷环的化合物生产的薄膜的物理性质如低介电常数性和机械强度。[化学式1]

公开(公告)号：CN1919849A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610059904.7

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 山本哲也 ,  中谷泰隆 ,  原田弘子

IPC: C07F5/05 ,  H01L23/08

CPC classification number: C07F5/02

Abstract: 制备精制环硼氮烷化合物时，在水分含量为2000体积ppm以下的环境条件下过滤环硼氮烷化合物。或者，在容器中充填环硼氮烷化合物时，在水分含量为2000体积ppm以下的环境条件下，在上述容器中充填上述环硼氮烷化合物。或者，使用具有0.1MPa或以上的耐压压力的环硼氮烷化合物保存容器作为保存环硼氮烷化合物的保存容器。

公开(公告)号：CN1837220A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610067307.9

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 山本哲也 ,  神山卓也

IPC: C07F5/05 ,  H01L23/08

Abstract: 通过a)ABH4(A是锂原子、钠原子或钾原子)表示的碱金属硼氢化物与(RNH3)nX(R是氢原子或烷基，X是硫酸根或卤素原子，n为1或2)表示的胺盐的反应，或者b)乙硼烷(B2H6)和RNH2(R是氢原子或烷基)表示的胺的反应合成环硼氮烷化合物时，将原料的含水量控制在规定值以下，使用具有规定沸点的不同溶剂的混合溶剂作为反应用溶剂，或者在反应时将原料缓缓供给反应容器。或者，对环硼氮烷化合物进行蒸馏精制处理及过滤处理。这样，可以安全且高收率地制备高纯度的环硼氮烷化合物。

公开(公告)号：CN102584877A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210004593.X

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 山本哲也 ,  神山卓也

IPC: C07F5/05

CPC classification number: C07F5/022

Abstract: 通过a)ABH4(A是锂原子、钠原子或钾原子)表示的碱金属硼氢化物与(RNH3)nX(R是氢原子或烷基，X是硫酸根或卤素原子，n为1或2)表示的胺盐的反应，或者b)乙硼烷(B2H6)和RNH2(R是氢原子或烷基)表示的胺的反应合成环硼氮烷化合物时，将原料的含水量控制在规定值以下，使用具有规定沸点的不同溶剂的混合溶剂作为反应用溶剂，或者在反应时将原料缓缓供给反应容器。或者，对环硼氮烷化合物进行蒸馏精制处理及过滤处理。这样，可以安全且高收率地制备高纯度的环硼氮烷化合物。

公开(公告)号：CN1660855A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200410047171.6

申请日：2004-12-17

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 山本哲也 ,  中谷泰隆 ,  神山卓也

IPC: C07F5/05

CPC classification number: C07F5/022

Abstract: 在合成由化学式2表示的烷基环硼氮烷化合物的方法中，通过由化学式1表示的卤代环硼氮烷化合物与格氏试剂反应合成得到烷基环硼氮烷化合物，然后用水洗涤合成的烷基环硼氮烷化合物，或者升华纯化或蒸馏纯化至少三次，和/或蒸馏纯化至少两次。在化学式中，R1独立地代表烷基；R2独立地代表烷基；和X代表卤素原子。