公开(公告)号：CN117222879A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280031890.5

申请日：2022-06-27

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 三泽智也

IPC分类号： G01N15/02

摘要： 本发明的颗粒测量装置和颗粒测量方法能够用更廉价的结构同时进行颗粒尺寸的测量和材料辨别，其包括：对含有规定材料的颗粒的样品照射平行光的第一光源和第二光源；摄像部，其拍摄用从所述第一光源照射的所述平行光得到的所述颗粒的散射光图像、以及用从所述第二光源照射的所述平行光得到的所述颗粒的阴影图像；和图像处理部，其基于根据所述散射光图像确定的所述颗粒的散射光强度与根据所述阴影图像确定的所述颗粒的阴影尺寸的对应关系、以及表示所述颗粒的该对应关系的理论值的理论相关曲线，来进行所述颗粒的材料辨别并计算该颗粒的颗粒尺寸。

公开(公告)号：CN101919021A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200880125139.1

申请日：2008-04-07

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 别井圭一 ,  三泽智也 ,  小坂忠义 ,  瀬尾欣穗 ,  井上一 ,  福田晋也 ,  长谷川实

IPC分类号： H01J11/02

CPC分类号： H01J11/40 ,  H01J11/12

摘要： 本发明提供等离子体显示面板和等离子体显示装置。通过增大氧化镁的粒径并调整该氧化镁内的杂质残留量，从而使等离子体显示面板的放电稳定化。即，着眼于涂敷在保护电极的保护层上、并向放电区间供给丰富的触发粒子的放电稳定化材料粒子。通过使作为放电稳定化材料使用的氧化镁内的杂质均为20ppm以下来抑制放电延迟。

公开(公告)号：CN101779262A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200780100265.7

申请日：2007-09-21

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 三泽智也

IPC分类号： H01J9/02 ,  H01J11/02

CPC分类号： H01J9/02 ,  H01J11/12 ,  H01J11/40

摘要： 本发明是与现有技术相比，能够进一步提高放电延迟的改善效果的PDP等的技术。本代表性的实施方式提供一种PDP的制造方法，该PDP具有露出于放电空间的氧化镁(MgO)晶体层(起动粒子放出层)，MgO晶体含有MgO晶体的粉体而制成，且在含氧的气氛中对MgO晶体实施热处理。特别是通过热处理使得MgO晶体的粒径的下限达到50nm以上。

公开(公告)号：CN101303949A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810082883.X

申请日：2008-03-11

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 三泽智也 ,  崎田康一

IPC分类号： H01J17/02 ,  H01J17/49 ,  H01J11/02

CPC分类号： H01J11/12 ,  H01J11/40

摘要： 本发明涉及等离子体显示面板，等离子体显示面板的基板构体，说明了即使在从上次放电直到地址放电的休止期间长的情况下，也可有效地改善放电延迟的等离子体显示面板(PDP)。该PDP中，以露出于相对配置的2个基板构体件的放电空间的方式配置触发粒子放出层，该触发粒子放出层由添加有1～10000ppm卤素元素的氧化镁结晶体构成。

公开(公告)号：CN101303949B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200810082883.X

申请日：2008-03-11

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 三泽智也 ,  崎田康一

IPC分类号： H01J17/02 ,  H01J17/49 ,  H01J11/02

CPC分类号： H01J11/12 ,  H01J11/40

摘要： 本发明涉及等离子体显示面板，等离子体显示面板的基板构体，说明了即使在从上次放电直到地址放电的休止期间长的情况下，也可有效地改善放电延迟的等离子体显示面板(PDP)。该PDP中，以露出于相对配置的2个基板构体件的放电空间的方式配置触发粒子放出层，该触发粒子放出层由添加有1～10000ppm卤素元素的氧化镁结晶体构成。

公开(公告)号：CN101697335A

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200910209320.7

申请日：2008-03-11

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 三泽智也 ,  崎田康一

IPC分类号： H01J9/18

CPC分类号： H01J11/12 ,  H01J11/40

摘要： 本发明涉及一种等离子体显示面板的制造方法，其包括：将MgO晶体和MgF2混合的工序；对已被混合的MgO晶体和MgF2进行烧成的工序；将通过所述烧成得到的添加有氟的MgO晶体形成为粉体状的工序；和在等离子体显示面板的保护膜上形成已被形成为粉体状的添加有氟的MgO晶体的工序。

公开(公告)号：CN1782021A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510059904.2

申请日：2005-03-30

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 福田晋也 ,  鬼丸俊昭 ,  三泽智也 ,  坂田浩宪

IPC分类号： C09K11/81

CPC分类号： C09K11/7749 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7792 ,  H01J61/44

摘要： 本发明公开了一种具有磁铅石型晶体结构的磷光体，包括选自B、Si、P、Ge、Ti、V、Ni、Ta、Nb、Mo、W、Yb、Tm和Bi中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN114502266B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202080069855.3

申请日：2020-10-09

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 田中顺 ,  三泽智也 ,  加贺祐介 ,  与名本欣树

IPC分类号： B01F29/62 ,  G01N21/27 ,  G01N15/00

摘要： 本发明的目的在于提供一种缩短了直至混合完成为止的时间、提高了最终产品的生产率的粉体混合系统及粉体混合方法。为此，本发明提供一种粉体混合系统，其具有具备旋转轴并混合多种粉体的混合容器、经由所述旋转轴使所述混合容器旋转的旋转机、取得混合过程的粉体图像的图像拍摄装置以及计算机，其中，所述混合容器具有用于拍摄所述粉体图像的窗，所述计算机具有检测所述混合容器处于规定位置的功能，在所述规定位置时，所述图像拍摄装置经由所述混合容器的所述窗取得所述粉体图像，所述计算机基于所取得的所述粉体图像推定所述粉体的混

公开(公告)号：CN102324361A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110260196.4

申请日：2008-04-07

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 别井圭一 ,  三泽智也 ,  小坂忠义 ,  瀬尾欣穗 ,  井上一 ,  福田晋也 ,  长谷川实

IPC分类号： H01J17/49 ,  H01J17/16

摘要： 本发明提供等离子体显示面板和等离子体显示装置。通过增大氧化镁的粒径并调整该氧化镁内的杂质残留量，从而使等离子体显示面板的放电稳定化。即，着眼于涂敷在保护电极的保护层上、并向放电区间供给丰富的触发粒子的放电稳定化材料粒子。通过使作为放电稳定化材料使用的氧化镁内的杂质均为20ppm以下来抑制放电延迟。

公开(公告)号：CN101919019A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200880125140.4

申请日：2008-03-05

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 三泽智也 ,  小坂忠义 ,  瀬尾欣穗

IPC分类号： H01J9/02 ,  H01J11/02

CPC分类号： H01J11/12 ,  H01J9/02 ,  H01J11/40

摘要： 本发明提供等离子体显示面板的制造方法、氧化镁晶体粉体的制造方法。该等离子体显示面板(PDP)配置有包含氧化镁晶体的触发粒子释放层，该氧化镁晶体同时起到改善聚集和放电延迟的效果。本发明的代表性实施方式为，该PDP以在放电空间内露出的方式配置有包含高温加热处理后的氧化镁晶体的触发粒子释放层，在作为原料的氧化镁晶体粉体的热处理工序中，在使氧化镁晶体粉体的粒子群的形状、大小均匀化之后进行高温加热处理。