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公开(公告)号：CN106536437A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580034016.7
申请日：2015-09-09
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： C03C8/24 , C09J1/00 , C09J11/04 , H01L21/52 , H01L23/14 , H01L23/373 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要： 目的在于提供热可靠性优异的散热结构体及半导体模块。为了解决上述课题，本发明的散热结构体是将金属、陶瓷、半导体任一种的第一部件和第二部件经由接合部件进行粘接的散热结构体，或将半导体芯片、金属配线、陶瓷绝缘基板、含有金属的散热基底基板分别经由接合部件进行粘接的半导体模块，其特征在于，上述接合部件中的任一个以上含有无铅低熔点玻璃组合物和金属粒子，上述无铅低熔点玻璃组合物以以下的氧化物换算计含有：V2O5、TeO2及Ag2O作为主要成分，这些的合计为78摩尔％以上，TeO2和Ag2O的含量相对于V2O5的含量分别为1～2倍，还有合计20摩尔％以下的BaO、WO3或P2O5中任一种以上作为副成分，及合计2.0摩尔％以下的Y2O3、La2O3或Al2O3中任一种以上作为追加成分。
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公开(公告)号：CN113348554B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201980088888.X
申请日：2019-08-23
申请人： 株式会社日立制作所
摘要： 本发明的技术问题是实现具有滤波电容器的功率半导体装置的布线低电感的同时实现小型化。本发明的功率半导体装置包括：功率半导体电路部、多个滤波电容器、正极导体部和负极导体部、以及密封材料，多个所述滤波电容器构成夹在所述正极导体部和所述负极导体部之间的电容器电路部，所述功率半导体电路部具有从所述密封材料露出的第一露出面和从所述密封材料露出并设置在该第一露出面的相反侧的第二露出面，将与所述第一露出面重合的平面定义为第一平面，将与所述第二露出面重合的平面定义为第二平面，所述电容器电路部形成为容纳在所述第一平面和所述第二平面之间的空间中，所述正极导体部或所述负极导体部形成有用于容纳多个所述滤波电容器的一部分的凹部。
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公开(公告)号：CN113348554A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201980088888.X
申请日：2019-08-23
申请人： 株式会社日立制作所
摘要： 本发明的技术问题是实现具有滤波电容器的功率半导体装置的布线低电感的同时实现小型化。本发明的功率半导体装置包括：功率半导体电路部、多个滤波电容器、正极导体部和负极导体部、以及密封材料，多个所述滤波电容器构成夹在所述正极导体部和所述负极导体部之间的电容器电路部，所述功率半导体电路部具有从所述密封材料露出的第一露出面和从所述密封材料露出并设置在该第一露出面的相反侧的第二露出面，将与所述第一露出面重合的平面定义为第一平面，将与所述第二露出面重合的平面定义为第二平面，所述电容器电路部形成为容纳在所述第一平面和所述第二平面之间的空间中，所述正极导体部或所述负极导体部形成有用于容纳多个所述滤波电容器的一部分的凹部。
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公开(公告)号：CN106536437B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201580034016.7
申请日：2015-09-09
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： C03C8/24 , C09J1/00 , C09J11/04 , H01L21/52 , H01L23/14 , H01L23/373 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要： 目的在于提供热可靠性优异的散热结构体及半导体模块。为了解决上述课题，本发明的散热结构体是将金属、陶瓷、半导体任一种的第一部件和第二部件经由接合部件进行粘接的散热结构体，或将半导体芯片、金属配线、陶瓷绝缘基板、含有金属的散热基底基板分别经由接合部件进行粘接的半导体模块，其特征在于，上述接合部件中的任一个以上含有无铅低熔点玻璃组合物和金属粒子，上述无铅低熔点玻璃组合物以以下的氧化物换算计含有：V2O5、TeO2及Ag2O作为主要成分，这些的合计为78摩尔％以上，TeO2和Ag2O的含量相对于V2O5的含量分别为1～2倍，还有合计20摩尔％以下的BaO、WO3或P2O5中任一种以上作为副成分，及合计2.0摩尔％以下的Y2O3、La2O3或Al2O3中任一种以上作为追加成分。
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