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公开(公告)号:CN106536437B
公开(公告)日:2019-12-13
申请号:CN201580034016.7
申请日:2015-09-09
申请人: 株式会社日立制作所
IPC分类号: C03C8/24 , C09J1/00 , C09J11/04 , H01L21/52 , H01L23/14 , H01L23/373 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要: 目的在于提供热可靠性优异的散热结构体及半导体模块。为了解决上述课题,本发明的散热结构体是将金属、陶瓷、半导体任一种的第一部件和第二部件经由接合部件进行粘接的散热结构体,或将半导体芯片、金属配线、陶瓷绝缘基板、含有金属的散热基底基板分别经由接合部件进行粘接的半导体模块,其特征在于,上述接合部件中的任一个以上含有无铅低熔点玻璃组合物和金属粒子,上述无铅低熔点玻璃组合物以以下的氧化物换算计含有:V2O5、TeO2及Ag2O作为主要成分,这些的合计为78摩尔%以上,TeO2和Ag2O的含量相对于V2O5的含量分别为1~2倍,还有合计20摩尔%以下的BaO、WO3或P2O5中任一种以上作为副成分,及合计2.0摩尔%以下的Y2O3、La2O3或Al2O3中任一种以上作为追加成分。
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公开(公告)号:CN106536437A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201580034016.7
申请日:2015-09-09
申请人: 株式会社日立制作所
IPC分类号: C03C8/24 , C09J1/00 , C09J11/04 , H01L21/52 , H01L23/14 , H01L23/373 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要: 目的在于提供热可靠性优异的散热结构体及半导体模块。为了解决上述课题,本发明的散热结构体是将金属、陶瓷、半导体任一种的第一部件和第二部件经由接合部件进行粘接的散热结构体,或将半导体芯片、金属配线、陶瓷绝缘基板、含有金属的散热基底基板分别经由接合部件进行粘接的半导体模块,其特征在于,上述接合部件中的任一个以上含有无铅低熔点玻璃组合物和金属粒子,上述无铅低熔点玻璃组合物以以下的氧化物换算计含有:V2O5、TeO2及Ag2O作为主要成分,这些的合计为78摩尔%以上,TeO2和Ag2O的含量相对于V2O5的含量分别为1~2倍,还有合计20摩尔%以下的BaO、WO3或P2O5中任一种以上作为副成分,及合计2.0摩尔%以下的Y2O3、La2O3或Al2O3中任一种以上作为追加成分。
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