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公开(公告)号：CN1805231A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510090673.1
申请日：2005-08-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34313 , B82Y20/00 , G02F1/01708 , G02F2001/01766 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/12 , H01S5/1221 , H01S5/227 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3406 , H01S5/34306 , H01S5/34366 , Y10S438/962
Abstract: 在将导入了应力的量子阱层作为活性层的半导体激光器或电场吸收型调制器中，因为能带结构，特别是无法独立地调整ΔEc与ΔEv，所以在激光器特性或调制特性的最佳化上产生了瓶颈。在n型InP晶片1上依次层叠n型InGaAlAs－GRIN－SCH层3、MQW层4、p型InGaAlAs－GRIN－SCH层5、p型InAlAs电子阻止层6等，MQW层4由InGaAlAs的应力阱层和由InGaAlAsSb构成的，具有和阱层符号相反的应力的阻挡层构成。
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公开(公告)号：CN100530867C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510090673.1
申请日：2005-08-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34313 , B82Y20/00 , G02F1/01708 , G02F2001/01766 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/12 , H01S5/1221 , H01S5/227 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3406 , H01S5/34306 , H01S5/34366 , Y10S438/962
Abstract: 在将导入了应力的量子阱层作为活性层的半导体激光器或电场吸收型调制器中，因为能带结构，特别是无法独立地调整ΔEc与ΔEv，所以在激光器特性或调制特性的最佳化上产生了瓶颈。在n型InP晶片1上依次层叠n型InGaAlAs-GRIN-SCH层3、MQW层4、p型InGaAlAs-GRIN-SCH层5、p型InAlAs电子阻止层6等，MQW层4由InGaAlAs的应力阱层和由InGaAlAsSb构成的，具有和阱层符号相反的应力的阻挡层构成。
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