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公开(公告)号：CN103956652B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201410173909.7
申请日：2014-04-25
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司
CPC分类号： H01S5/06258 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/0612 , H01S5/1209 , H01S5/1215 , H01S5/124 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S5/5027
摘要： 一种集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器，DFB半导体激光器可调谐方案通过重构‑等效啁啾技术制作，多个DFB半导体激光器共用一个调制器，并且可以通过增加激光器数目或有源无源集成的方法扩展可调谐的波长范围；集成的调制器是半导体光放大器调制器(SOA)、电吸收调制器(EAM)或马赫‑曾德尔调制器(MZM)；可以通过量子阱混杂技术(QWI)、对接生长技术(Butt‑joint)或选择区域生长技术(SAG)来实现，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料体系。本发明最少只需要一个调制用的射频端口，从而通过简化封装设计来降低成本，大大提高了实用性与易用性。
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公开(公告)号：CN108233174A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711266727.4
申请日：2017-12-05
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/1246 , H01S5/0287 , H01S5/0654 , H01S5/0683 , H01S5/1039 , H01S5/4087 , H04B10/503 , H01S5/12
摘要： 本申请涉及半导体激光器、光源单元和光学通信系统。提供了一种分布式反馈半导体激光器，其包括能够获得良好的单模产量和高发光效率的相移部分。衍射光栅(105)被形成为在形成有低反射膜(111)的端面与形成有高反射膜(110)的端面之间的谐振腔的引导方向上延伸。在衍射光栅(105)中，设置有多个相移部分(106)，该多个相移部分在与形成有低反射膜(111)的端面分开的预定范围内不连续地改变衍射光栅(105)的相位。
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公开(公告)号：CN104995805B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201480008713.0
申请日：2014-02-13
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： H01S5/2072 , G02B6/122 , G02B6/1342 , H01S5/0287 , H01S5/0421 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3054
摘要： 本发明提供一种半导体光元件，其具有半导体层叠部，该半导体层叠部具有光波导层，所述半导体层叠部，在所述半导体层叠部的最表面与所述光波导层之间，包含具有抑制原子空孔扩散的功能的第1杂质、和具有促进原子空孔的扩散的功能的第2杂质，所述半导体层叠部包含所述杂质之中至少一方的含有量不同的在所述层叠方向上延伸的2个以上的区域，在所述2个以上的区域之中至少1个区域包含所述第1杂质和所述第2杂质双方，所述2个以上的区域彼此，所述光波导层的基于原子空孔扩散的混晶度与所述光波导层的带隙能量不同。
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公开(公告)号：CN107278346A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201680005692.6
申请日：2016-02-19
申请人： HRL实验室有限责任公司
发明人： K·塞严 , 奥列格·M·埃菲莫夫 , 帕米拉·R·帕特森 , 安德雷·基谢廖夫
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/042 , H01S5/06 , H01S5/068 , H01S5/0683 , H01S5/187 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/0604 , H01S3/109 , H01S3/2383 , H01S5/0085 , H01S5/0092 , H01S5/0228 , H01S5/02453 , H01S5/0261 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/06821 , H01S5/0683 , H01S5/1014 , H01S5/1028 , H01S5/1032 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/142 , H01S5/187 , H01S5/2013 , H01S5/22 , H01S5/34333 , H01S5/4006 , H01S5/4012 , H01S5/4025 , H01S5/4031 , H01S5/4068 , H01S5/50 , H01S2301/166 , H01S5/0262 , H01S5/2216
摘要： 一种芯片级紫外线激光源，包括位于衬底上的多个激光器元件，每个激光器元件包括：后腔镜、锥形增益介质、外耦合器、非线性晶体，其在前端面耦合到所述外耦合器，其中所述前端面具有第一涂层，所述第一涂层对所述激光器元件的基本波长具有抗反射性(AR)，并且对紫外线波长具有高反射性(HR)，并且其中所述非线性晶体的出射面具有第二涂层，所述第二涂层对所述激光器元件的基本波长具有高反射性(HR)，对紫外线波长具有抗反射性(AR)；耦合至所述外耦合器的光电探测器；耦合至所述光电探测器并耦合至所述后腔镜的调相器；和所述衬底上的主激光二极管，其耦合至每个激光器元件的所述调相器。每个激光器元件发射紫外线波束并且频率和相位锁定至所述主激光二极管。
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公开(公告)号：CN104247176B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380021768.0
申请日：2013-03-12
申请人： 松下知识产权经营株式会社
发明人： 高山彻
CPC分类号： H01S5/2205 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2301/16
摘要： 在本发明的半导体发光元件中，在半导体基板(300)上，第1导电型的第1包覆层(312)、量子阱活性层(314)、第2导电型的第2包覆层(316)依次被层叠。在第2包覆层(316)，通过脊形条纹来形成波导。在将射出激光的前端面处的脊形条的宽度设为Wf，将与前端面相反的一侧的后端面处的脊形条的宽度设为Wr，将前端面的反射率设为Rf，将后端面的反射率设为Rr时，具有Rf＜Rr以及Wf＞Wr的关系。在波导中，基本横模、1次高次横模、2次高次横模以及3次高次横模被导波。
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公开(公告)号：CN104937790A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201380071322.9
申请日：2013-10-25
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 山崎裕幸
CPC分类号： H01S5/142 , G02B6/12004 , G02B6/423 , G02F2/00 , H01S5/02228 , H01S5/02252 , H01S5/02256 , H01S5/02272 , H01S5/0287 , H01S5/0612
摘要： 提供了其中可容易地集成有源光学器件和包括硅波导的无源光学器件的光学功能集成单元及其制造方法。所述光学功能集成单元(100)包括半导体光学放大器(1)、光子器件(2)、安装基板(3)、底座(4)和(5)。底座(4)和(5)设置在安装基板(3)上。半导体光学放大器(1)安装在底座(4)上并且从活性层发射光。光子器件(2)安装在底座(5)上。光子器件(2)包括从半导体光学放大器(1)发射的光被引导到的硅波导(26A至26C)。
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公开(公告)号：CN104821487A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510019571.4
申请日：2015-01-15
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/20 , H01S5/0014 , H01S5/0287 , H01S5/0288 , H01S5/4031
摘要： 一种半导体激光器阵列。本发明的目的在于能够以简易的结构降低散斑噪声。作为解决手段，本发明的半导体激光器阵列(1)具有的多个激光元件(第1～第5激光元件20a、20b、20c、20d、20e)以激光元件的波导并排的方式配置，多个激光元件分别在作为波导的光出射面的前端面具有前端面反射膜(5、6)，多个激光元件在后端面具有后端面反射膜(7)，所述后端面是隔着波导的前端面相反侧的面，在多个激光元件中，至少两个激光元件的前端面反射膜(5、6)的反射率不同，在多个激光元件中，后端面反射膜(7)的反射率相等，多个激光元件由单一电源驱动。
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公开(公告)号：CN104303381A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025897.7
申请日：2013-02-22
申请人： 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC分类号： H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/34333
摘要： 能够提供一种可减少为了得到所希望的光输出所需的工作电流的III族氮化物半导体激光元件。根据III族氮化物半导体激光元件(11)，将光谐振器的第一反射膜(43a)以具有小于60％的反射率的方式形成，并将光谐振器的第二反射膜(43b)以具有85％以上的反射率的方式形成。因而，能够避免阈值电流的增加引起的振荡特性的劣化，并且能够避免光谐振器内的光密度的空间的不均匀的发生。在两端面(26、28)的反射率过低时，由于镜面损耗的增加而阈值电流增加。在两端面(26、28)的反射率过高时，由于光谐振器内的光密度的空间的不均匀的生成而激光增益下降。由于该光密度不均匀(空间的烧孔效应)的发生，不仅是在I-L特性观察到扭曲的现象，而且也会使电力/光输出转换效率下降。
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公开(公告)号：CN104247176A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380021768.0
申请日：2013-03-12
申请人： 松下知识产权经营株式会社
发明人： 高山彻
CPC分类号： H01S5/2205 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2301/16
摘要： 在本发明的半导体发光元件中，在半导体基板(300)上，第1导电型的第1包覆层(312)、量子阱活性层(314)、第2导电型的第2包覆层(316)依次被层叠。在第2包覆层(316)，通过脊形条纹来形成波导。在将射出激光的前端面处的脊形条的宽度设为Wf，将与前端面相反的一侧的后端面处的脊形条的宽度设为Wr，将前端面的反射率设为Rf，将后端面的反射率设为Rr时，具有Rf＜Rr以及Wf＞Wr的关系。在波导中，基本横模、1次高次横模、2次高次横模以及3次高次横模被导波。
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公开(公告)号：CN103579903A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310328802.0
申请日：2013-07-31
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： H01S5/343 , H01S5/0287 , H01S5/06258 , H01S5/12 , H01S5/1203 , H01S5/1218 , H01S5/164 , H01S5/2231 , H01S2301/163
摘要： 本发明提供一种光学半导体器件及其制造方法。该光学半导体器件包括：半导体衬底；下部覆层，形成在半导体衬底上方；量子阱有源层，形成在下部覆层上；衍射光栅层，形成在量子阱有源层上方且在其表面中形成有衍射光栅；以及上部覆层，形成在衍射光栅层的衍射光栅上。另外，量子阱有源层的相邻于光学半导体器件的外端面的外部区域中的带隙大于量子阱有源层的位于外部区域之间的内部区域中的带隙，以及包括下部覆层且布置在半导体衬底与量子阱有源层之间的一个或多个层的厚度大于或等于2.3μm。
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