公开(公告)号：CN103350064A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310065801.1

申请日：2008-01-23

申请人： 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立医药

发明人： 池田贞一郎 ,  田中宏树 ,  町田俊太郎

IPC分类号： B06B1/02 ,  A61B8/00

CPC分类号： B06B1/0292 ,  A61B8/00 ,  A61B8/4483 ,  A61B2562/028

摘要： 本发明公开了一种静电容量式传感器以及超声波摄像装置。对cMUT元件阵列赋予均一并且稳定的特性，实现声学特性的提高。在元件（102）中追加设置用于切断元件的移位、振动以及信号收发的信号切断部，该元件（102）位于作为能够进行通常的收发的传感器而被设计并制造的、cMUT元件的二维阵列（101）的最外周部或端部的位置。

公开(公告)号：CN101669375A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880013778.9

申请日：2008-01-23

申请人： 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立医药

发明人： 池田贞一郎 ,  田中宏树 ,  町田俊太郎

IPC分类号： H04R17/00 ,  A61B8/00

CPC分类号： B06B1/0292 ,  A61B8/00 ,  A61B8/4483 ,  A61B2562/028

摘要： 对cMUT元件阵列赋予均一并且稳定的特性，实现声学特性的提高。在元件(102)中追加设置用于切断元件的移位、振动以及信号收发的信号切断部，该元件(102)位于作为能够进行通常的收发的传感器而被设计并制造的、cMUT元件的二维阵列(101)的最外周部或端部的位置。

公开(公告)号：CN101669375B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200880013778.9

申请日：2008-01-23

申请人： 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立医药

发明人： 池田贞一郎 ,  田中宏树 ,  町田俊太郎

IPC分类号： A61B8/00 ,  H04R17/00

CPC分类号： B06B1/0292 ,  A61B8/00 ,  A61B8/4483 ,  A61B2562/028

摘要： 对cMUT元件阵列赋予均一并且稳定的特性，实现声学特性的提高。在元件(102)中追加设置用于切断元件的移位、振动以及信号收发的信号切断部，该元件(102)位于作为能够进行通常的收发的传感器而被设计并制造的、cMUT元件的二维阵列(101)的最外周部或端部的位置。

公开(公告)号：CN110871157A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910223100.3

申请日：2019-03-22

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 长谷川浩章 ,  今川健吾 ,  町田俊太郎 ,  竹崎泰一

IPC分类号： B06B1/06

摘要： 本发明提供一种超声波换能器阵列以及超声波探测器，提高具备多个具有作为在上部电极以及下部电极之间具有间隙的CMUT的单元的电容器的超声波换能器阵列的性能。将电连接于作为搭载于芯片的CMUT的单元的电容器(C2)、根据多个排列的波道数量将作为保护增幅电路的(DC)部件用电容器使用的电容器(C1)形成于该芯片内。电容器(C1)是不会音频性地振动的静电容量元件。

公开(公告)号：CN107710787B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201680038034.7

申请日：2016-05-16

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 町田俊太郎 ,  峰利之 ,  藤崎耕司 ,  竹崎泰一 ,  龙崎大介

IPC分类号： H04R19/00 ,  A61B8/00 ,  G01N29/06 ,  G01N29/24 ,  H04R1/40

摘要： 在静电电容检测型的超声波换能器中，由于超声波换能器的单元阵列的各单元的膜状物的膜厚偏差，导致单元阵列内的单元的器件特性变得不均匀。超声波换能器具备CMUT芯片(301)，CMUT芯片(301)包括：形成有多个单元的单元阵列区域CAR；以及与单元阵列区域CAR相邻接的周边区域PER，在单元阵列区域CAR配置梁结构体(201)，并且在周边区域PER配置相当于梁结构体(201)的多个图案结构体(311)。由此，将单元阵列区域CAR的单位表面积和周边区域PER的单位表面积的差减小。其结果，能够提高覆盖梁结构体(201)和图案结构体(311)的绝缘膜的膜厚的均匀性。

公开(公告)号：CN109152568A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780027702.0

申请日：2017-07-06

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 竹崎泰一 ,  町田俊太郎 ,  龙崎大介 ,  吉村保广 ,  永田达也 ,  山下尚昭

IPC分类号： A61B8/14

摘要： 电容检测型超声波换能器(111A)具备硅基板(101)、形成于硅基板(101)上的绝缘膜(102)、下部电极(103)、绝缘膜(104、106)、由在绝缘膜(106)的一部分所形成的空隙构成的空洞部(105)、上部电极(107)、绝缘膜(108、114)以及保护膜(109)。另外，空洞部(105)的上部的绝缘膜(106)、上部电极(107)、绝缘膜(108)、以及绝缘膜(114)构成振动膜(110)，振动膜(110)的上部的保护膜(109)被分割成隔开固定间隔的间隙(115)而规则性地排列的多个独立图案。

公开(公告)号：CN103350064B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310065801.1

申请日：2008-01-23

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 池田贞一郎 ,  田中宏树 ,  町田俊太郎

IPC分类号： B06B1/02 ,  A61B8/00

CPC分类号： B06B1/0292 ,  A61B8/00 ,  A61B8/4483 ,  A61B2562/028

摘要： 本发明公开了一种静电容量式传感器以及超声波摄像装置。对cMUT元件阵列赋予均一并且稳定的特性，实现声学特性的提高。在元件（102）中追加设置用于切断元件的移位、振动以及信号收发的信号切断部，该元件（102）位于作为能够进行通常的收发的传感器而被设计并制造的、cMUT元件的二维阵列（101）的最外周部或端部的位置。

公开(公告)号：CN108886660B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201780021776.3

申请日：2017-07-07

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 长谷川浩章 ,  町田俊太郎 ,  竹崎泰一 ,  龙崎大介

IPC分类号： H04R19/00 ,  A61B8/14 ,  H04R31/00

摘要： 超声波换能器具有空洞部(110)和隔膜(120)，空洞部(110)形成于被基板(101)上的下部电极(103)和上部电极(107)夹着的绝缘膜(104)、(106)之间，隔膜(120)由空洞部(110)的上方的绝缘膜(106、108、111、112)及上部电极(107)构成，并且在发送/接收超声波时振动。另外，空洞部(110)在将中心部的厚度设为h1且将外周部的厚度设为h2时，具有满足h1＞h2＞0的关系的截面形状。

公开(公告)号：CN108886660A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021776.3

申请日：2017-07-07

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 长谷川浩章 ,  町田俊太郎 ,  竹崎泰一 ,  龙崎大介

IPC分类号： H04R19/00 ,  A61B8/14 ,  H04R31/00

摘要： 超声波换能器具有空洞部(110)和隔膜(120)，空洞部(110)形成于被基板(101)上的下部电极(103)和上部电极(107)夹着的绝缘膜(104)、(106)之间，隔膜(120)由空洞部(110)的上方的绝缘膜(106、108、111、112)及上部电极(107)构成，并且在发送/接收超声波时振动。另外，空洞部(110)在将中心部的厚度设为h1且将外周部的厚度设为h2时，具有满足h1＞h2＞0的关系的截面形状。

公开(公告)号：CN1886006B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200610002116.4

申请日：2006-01-16

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 梅村晋一郎 ,  东隆 ,  永田达也 ,  福田宏 ,  峰利之 ,  町田俊太郎

IPC分类号： G01H11/06 ,  A61B8/00 ,  H04R17/00

CPC分类号： B06B1/0292

摘要： 本发明的目的在于在使膜片型电声转换元件的电声转换特性稳定的同时，降低使用该电声转换元件构成的超声波诊断装置的噪音级。由在硅底板(1)上所形成的下部电极(2)和在其上部夹持空隙部(4)的上部电极(6)形成的电容器单元(8)构成电声转换元件(9)，使用电气时间常数比1秒短且比10微秒长的材料，例如在化学计量方面过多包含硅的氮化硅形成在上部电极(6)的空隙部(4)一侧形成的电极短路防止膜(5)。其结果，电极短路防止膜(5)因为变得具有微弱的导电性，所以可以防止向电极短路防止膜(5)的带电或其漂移。其结果，电声转换元件(9)的电声转换特性稳定，而且超声波诊断装置的音响噪音级降低。