公开(公告)号：CN108109939A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711140466.1

申请日：2017-11-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 米岛利彦 ,  奥野正则 ,  坂田雅和 ,  冈宫弘树 ,  葛西健 ,  野上克明 ,  尾崎贵志 ,  金山健司 ,  小川云龙 ,  中嶋诚世 ,  山田朋之 ,  山田正行

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742

Abstract: 本发明提供一种提高装置的排气性能且不会妨碍装置运用的处理装置、排气系统及半导体器件的制造方法。其结构至少具有：从构成在处理炉内的处理室对气体进行排气的排气单元；和经由具有吸收振动的部件的连接部而与上述排气单元连接的排气装置，在上述结构中，上述排气装置在与上述处理炉和上述排气单元分别相同的层上经由上述排气单元而设置在上述处理炉附近，并且上述排气装置的一端以脱离上述排气单元的宽度范围的方式设置，同时上述排气装置的另一端以收束在上述排气单元的宽度范围内的方式设置。