公开(公告)号：CN101807525B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010145606.6

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  汤浅和宏 ,  前田喜世彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法及衬底处理装置。本发明的半导体制造方法包括以下步骤：将多张衬底搬入反应管内的步骤；在所述反应管内的压力低于大气压的状态下向所述反应管内供给含氧气体与含氢气体对所述多张衬底进行氧化处理的步骤；以及将所述氧化处理后的所述多张衬底从所述反应管搬出的步骤。本发明的衬底处理装置包括：氧化处理多张衬底的反应管；对所述反应管内壁以及所述反应管内进行加热的加热源；在所述反应管内保持所述多张衬底的保持器具；含氧气体供给管路；含氢气体供给管路；排气管路；真空泵；以及将所述反应管内的压力控制为低于大气压的控制单元。

公开(公告)号：CN104109846B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201410110733.0

申请日：2014-03-24

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  堀田英树

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02211 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明的课题在于形成膜厚均匀性优异的薄膜。通过如下手段解决本发明的课题：在对处于小于大气压的压力下的处理室内的加热后的衬底供给含氧气体和含氢气体而对衬底的表面进行前处理后，通过进行规定次数包含以下工序的循环而在进行了前处理的衬底上形成薄膜，所述循环包含对处理室内的衬底供给原料气体的工序、和对处理室内的衬底供给反应气体的工序。

公开(公告)号：CN108109939A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711140466.1

申请日：2017-11-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 米岛利彦 ,  奥野正则 ,  坂田雅和 ,  冈宫弘树 ,  葛西健 ,  野上克明 ,  尾崎贵志 ,  金山健司 ,  小川云龙 ,  中嶋诚世 ,  山田朋之 ,  山田正行

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742

Abstract: 本发明提供一种提高装置的排气性能且不会妨碍装置运用的处理装置、排气系统及半导体器件的制造方法。其结构至少具有：从构成在处理炉内的处理室对气体进行排气的排气单元；和经由具有吸收振动的部件的连接部而与上述排气单元连接的排气装置，在上述结构中，上述排气装置在与上述处理炉和上述排气单元分别相同的层上经由上述排气单元而设置在上述处理炉附近，并且上述排气装置的一端以脱离上述排气单元的宽度范围的方式设置，同时上述排气装置的另一端以收束在上述排气单元的宽度范围内的方式设置。

公开(公告)号：CN1701417B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200480000982.9

申请日：2004-02-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  谷山智志 ,  宇波博志 ,  前田喜世彦 ,  森田慎也 ,  高岛义和 ,  久门佐多雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4409 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/08

Abstract: 化学汽相淀积装置具有用于处理晶片(1)的反应炉(39)；用于气密地密封反应炉的密封罩(20)；密封罩(20)对面的隔离凸缘(42)；由密封罩(20)、隔离凸缘(42)和反应炉(39)壁表面形成的小室(43)；用于给小室(43)供给第一气体的供给管(19b)；小室(43)提供的流出通道(42a)，用于使第一气体流入反应炉(39)；和从流出通道(42a)下游向反应炉(39)供给第二气体的供给管(19a)。阻止诸如NH4C1的副产品附着于诸如炉口的低温部分，并因此提高了半导体器件制造的合格率。

公开(公告)号：CN101807525A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010145606.6

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  汤浅和宏 ,  前田喜世彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法及衬底处理装置。本发明的半导体制造方法包括以下步骤：将多张衬底搬入反应管内的步骤；在所述反应管内的压力低于大气压的状态下向所述反应管内供给含氧气体与含氢气体对所述多张衬底进行氧化处理的步骤；以及将所述氧化处理后的所述多张衬底从所述反应管搬出的步骤。本发明的衬底处理装置包括：氧化处理多张衬底的反应管；对所述反应管内壁以及所述反应管内进行加热的加热源；在所述反应管内保持所述多张衬底的保持器具；含氧气体供给管路；含氢气体供给管路；排气管路；真空泵；以及将所述反应管内的压力控制为低于大气压的控制单元。

公开(公告)号：CN107112235A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580072332.3

申请日：2015-01-07

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山腰莉早 ,  寺崎昌人 ,  尾崎贵志 ,  赤江尚德 ,  堀田英树

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

Abstract: 具有通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成氮氧化膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：对衬底经由第一喷嘴供给原料气体的工序，对衬底经由第二喷嘴供给氮化气体的工序，和对衬底经由第三喷嘴供给氧化气体的工序；在供给氮化气体的工序中，从第一喷嘴及第三喷嘴中的至少一者以第一流量供给非活性气体，在供给氧化气体的工序中，从第二喷嘴以比第一流量大的第二流量供给非活性气体。

公开(公告)号：CN104109846A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410110733.0

申请日：2014-03-24

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  堀田英树

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02211 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明的课题在于形成膜厚均匀性优异的薄膜。通过如下手段解决本发明的课题：在对处于小于大气压的压力下的处理室内的加热后的衬底供给含氧气体和含氢气体而对衬底的表面进行前处理后，通过进行规定次数包含以下工序的循环而在进行了前处理的衬底上形成薄膜，所述循环包含对处理室内的衬底供给原料气体的工序、和对处理室内的衬底供给反应气体的工序。

公开(公告)号：CN1762043B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200480007519.7

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  汤浅和宏 ,  前田喜世彦

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造方法，其特征为包含以下步骤：将多张衬底1搬入处理室4内的步骤、从搬入处理室4内的多张衬底1的上游侧供给含氧气体的步骤、从对应于搬入处理室4内的多张衬底存在的区域中途的至少1个部位供给含氢气体的步骤、使含氧气体与含氢气体在处理室4内发生反应从而将多张衬底1氧化的步骤、以及将处理后的衬底1从处理室4搬出的步骤。

公开(公告)号：CN100521092C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200580030771.4

申请日：2005-11-02

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  笠原修 ,  野田孝晓 ,  前田喜世彦 ,  森谷敦 ,  坂本农

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，所述制造方法在防止对衬底的热破坏或热预算增大的同时，在衬底与薄膜之间以低氧·碳密度形成高品质界面。所述制造方法包括下述步骤：将晶片搬入反应炉内的步骤；在反应炉内对晶片进行前处理的步骤；在反应炉内对进行了前处理的晶片进行主处理的步骤；将主处理后的晶片搬出反应炉的步骤；其中，在前处理步骤结束后至主处理开始的期间，至少在对反应炉进行真空排气时，向反应炉内一直持续供给氢气。

公开(公告)号：CN101019210A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200580030771.4

申请日：2005-11-02

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  笠原修 ,  野田孝晓 ,  前田喜世彦 ,  森谷敦 ,  坂本农

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，所述制造方法在防止对衬底的热破坏或热预算增大的同时，在衬底与薄膜之间以低氧·碳密度形成高品质界面。所述制造方法包括下述步骤：将晶片搬入反应炉内的步骤；在反应炉内对晶片进行前处理的步骤；在反应炉内对进行了前处理的晶片进行主处理的步骤；将主处理后的晶片搬出反应炉的步骤；其中，在前处理步骤结束后至主处理开始的期间，至少在对反应炉进行真空排气时，向反应炉内一直持续供给氢气。