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公开(公告)号：CN111557041A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201880085517.1
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明的半导体装置的制造方法中，通过呈扇状排列的多个探针、或者与采用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造的探针对应的TEG的电极焊垫的布局来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN111566790B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201880085638.6
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明的半导体装置的评价装置中，通过具备呈扇状排列的多个探针、或者以MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造的探针来解决上述的课题。
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公开(公告)号：CN111630648B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201880087224.7
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明中通过使多个探针呈扇状排列、或者MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)的技术进行制造来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN112313782B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880095003.4
申请日：2018-06-28
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66 , G01R31/28 , G01R31/3183
Abstract: 本发明提供在微小器件的不良解析中能够高灵敏度地检测异常的半导体检查装置。半导体检查装置具有：试样台(6)，其载置试样；电子光学系统(1)，其对试样照射电子束；测量探针(3)，其与试样接触；测量器(8)，其测量来自测量探针的输出；信息处理装置(9)，其取得与电子束对试样的照射响应的来自测量探针的输出的测量值，信息处理装置设定对试样开始照射电子束的时刻以及将电子束的照射冻结的时刻、在电子束照射到试样的状态下测量器测量来自测量探针的输出的第1测量期间、在电子束的照射被冻结之后测量器测量来自测量探针的输出的第2测量期间，根据在第1测量期间测量出的第1测量值与在第2测量期间测量出的第2测量值之差，求出与电子束对试样的照射响应的来自测量探针的输出的测量值。
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公开(公告)号：CN112313782A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201880095003.4
申请日：2018-06-28
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66 , G01R31/28 , G01R31/3183
Abstract: 本发明提供在微小器件的不良解析中能够高灵敏度地检测异常的半导体检查装置。半导体检查装置具有：试样台(6)，其载置试样；电子光学系统(1)，其对试样照射电子束；测量探针(3)，其与试样接触；测量器(8)，其测量来自测量探针的输出；信息处理装置(9)，其取得与电子束对试样的照射响应的来自测量探针的输出的测量值，信息处理装置设定对试样开始照射电子束的时刻以及将电子束的照射冻结的时刻、在电子束照射到试样的状态下测量器测量来自测量探针的输出的第1测量期间、在电子束的照射被冻结之后测量器测量来自测量探针的输出的第2测量期间，根据在第1测量期间测量出的第1测量值与在第2测量期间测量出的第2测量值之差，求出与电子束对试样的照射响应的来自测量探针的输出的测量值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108351377B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201680042308.X
申请日：2016-07-07
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G01R31/26 , G01R31/28 , G01R31/3183
Abstract: 本发明提供一种探测装置，在针对微小电子设备实施动态信号响应分析时，对输入至一个探针的动态电信号的输入波形进行整形，并对经由试样输出的动态电信号的输出波形进行观察，优选对输入波形进行整形，使得经由试样输出的动态电信号的输出波形为大致脉冲形状。由此，能够对构成LSI的微小晶体管等微小电子设备，进行兆赫级以上的高速动态信号的响应分析。
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公开(公告)号：CN111557041B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201880085517.1
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明的半导体装置的制造方法中，通过呈扇状排列的多个探针、或者与采用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造的探针对应的TEG的电极焊垫的布局来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN111630648A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880087224.7
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明中通过使多个探针呈扇状排列、或者MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)的技术进行制造来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN111566790A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880085638.6
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明的半导体装置的评价装置中，通过具备呈扇状排列的多个探针、或者以MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造的探针来解决上述的课题。
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公开(公告)号：CN108351377A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680042308.X
申请日：2016-07-07
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G01R31/26 , G01R31/28 , G01R31/3183
Abstract: 本发明提供一种探测装置，在针对微小电子设备实施动态信号响应分析时，对输入至一个探针的动态电信号的输入波形进行整形，并对经由试样输出的动态电信号的输出波形进行观察，优选对输入波形进行整形，使得经由试样输出的动态电信号的输出波形为大致脉冲形状。由此，能够对构成LSI的微小晶体管等微小电子设备，进行兆赫级以上的高速动态信号的响应分析。
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