-
公开(公告)号:CN1127212C
公开(公告)日:2003-11-05
申请号:CN98107993.8
申请日:1998-05-15
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H03H9/64
CPC分类号: H03H9/02905 , H03H9/02669 , H03H9/6483
摘要: 一种梯形滤波器包括:多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器。串联臂谐振器串联连接并位于第一集成区域。每个并联臂谐振器形成梯形电路的并联臂。并联臂谐振器包括含有至少两个并联臂谐振器的第一组并联臂谐振器,这一组位于第二集成区域,该第二集成区域与第一集成区域在物理上隔离,从而在第一集成区域中的压电材料部分上受到激励的剪切向水平声表面波不干扰在第二集成区域中受到激励的剪切向水平声表面波。
-
公开(公告)号:CN1402427A
公开(公告)日:2003-03-12
申请号:CN02131508.6
申请日:2002-08-14
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H03H9/25
CPC分类号: H03H9/02984 , H03H9/02669
摘要: 提供一种不会导致插入损失恶化、可扩大频带外衰减量的端面反射型表面波滤波器。一种利用SH型表面波的纵向耦合谐振器型表面波滤波器1,在压电基片2的上表面2a中,隔开预定距离彼此平行地形成第1、第2沟2b、2c,在沟2b、2c之间形成用于构成纵向耦合谐振器型表面波滤波器的IDT5、6,形成第1、第2沟2b、2c的IDT的侧的侧面2b1、2c1构成反射面,在压电基片2的上表面2a中,(a)形成树脂覆盖层3,以便覆盖至少形成IDT5、6的区域和第1、第2沟2b、2c的至少其中之一,且进入一个沟2b中,或者(b)形成SiO2膜制成的保护层,以便覆盖IDT5、6。
-
公开(公告)号:CN1080028C
公开(公告)日:2002-02-27
申请号:CN95104540.7
申请日:1995-03-25
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H03H9/15
CPC分类号: H03H9/02669 , H03H9/02653 , H03H9/02677
摘要: 一种利用SH型表面波的端面反射型表面波谐振器30的构成是;通过在构成一IDT的压电衬底22的一个主表面22a上形成梳状电极23和24,和形成槽25和26以致从该表面22a延伸到另一个主表面,以形成一对端面22b和22c,在端面上表面波被反射,并具有在槽25和26外边的压电板部分22d和22e。
-
公开(公告)号:CN100388624C
公开(公告)日:2008-05-14
申请号:CN200410047475.2
申请日:2001-09-06
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H03H9/25
CPC分类号: H03H9/6483 , H03H9/02669 , H03H9/14552 , H03H9/6436 , H03H9/6463 , Y10T29/42 , Y10T29/49004 , Y10T29/49005 , Y10T29/49011 , Y10T29/4908 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913
摘要: 一种制造边沿反射型表面声波器件的方法,该方法包括步骤在压电基片上制成多个交指换能器;制成多个边沿反射型表面声波器件中至少一个的两个相对的边沿;在不与所述多个边沿反射型表面声波器件中至少一个的所述两个相对的边沿的制成位置相对应的位置处,制成所述多个边沿反射型表面声波器件中另一个的两个相对边沿;其中上述至少一个叉指换能器是具有15到80对电极的单电极型叉指换能器,且将在表面声波的传播方向的外侧与同所述叉指换能器的每个最外侧电极指相邻的电极指中心相隔开λ/2的位置设置为基准位置;并依据电极的对数来调整频率。
-
公开(公告)号:CN1094678C
公开(公告)日:2002-11-20
申请号:CN96101793.7
申请日:1996-03-08
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H03H9/25
CPC分类号: H03H9/02669 , H03H9/1452
摘要: 一种自由边缘反躲藏式表面波谐振器,用以在压电基片两对置的自由边缘之间反射SH型表面波,具有两自由边缘对置着的压电基片和一个用宽度重叠加权法或电极薄化法加权过的IDT(叉指换能器)。加权进行得使主波瓣的衰减点处在电极叉指对数与经加权IDT的相同的正规型IDT衰减点的频率外,且得出因主波瓣引起的谐振特性和因正规型IDT的衰减点引起的谐振特性。
-
公开(公告)号:CN1089968C
公开(公告)日:2002-08-28
申请号:CN95102026.9
申请日:1995-03-03
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H03H9/15
CPC分类号: H03H9/1452 , H03H9/02669 , H03H9/14526 , H03H9/6463
摘要: 一个利用SH表面波的单片晶体谐振器,有一形成在压电晶体衬底上的叉指型换能器。该换能器有至少两个谐振特性。该换能器包括一对有多个相互相对突出的变稀疏了的梳状电极指,它亦可由一对其指状物长度可变的梳状电极形成。如此构成的陷波电路有两个相差足够大的陷波频率以及在该两个频率上的改进的衰减特性。该陷波电路有两个谐振单元,每一单元有两个谐振特性。
-
公开(公告)号:CN1180532C
公开(公告)日:2004-12-15
申请号:CN00102362.4
申请日:2000-02-18
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H03H9/25
CPC分类号: H03H9/02669 , H03H9/0057 , H03H9/14514
摘要: 本发明提供了一种边缘反射式表面声波装置,它包括表面声波基片,该基片具有一对相对的边缘,还包括至少一个位于表面声波基片上的叉指式换能器。通过叉指式换能器产生切向水平式表面声波,并在相对的边缘对之间反射。沿表面声波传播方向,将叉指式换能器分为多个子IDT部分。使相邻的子IDT部分之间相互非常接近的叉指式换能器的电极指处于同一电位,从而在相邻的子IDT部分之间不激励。另外,当假设在切割基片之前,最外面电极指沿叉指式换能器的表面声波传播方向的宽度等于剩下的电极指的宽度时,如此安排边缘,从而在沿着表面声波传播方向的最外面电极指的中心的内侧位置切割边缘,从而基片相对边缘之间的距离不是λ0/2的整数倍。
-
公开(公告)号:CN1545205A
公开(公告)日:2004-11-10
申请号:CN200410047475.2
申请日:2001-09-06
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H03H9/25
CPC分类号: H03H9/6483 , H03H9/02669 , H03H9/14552 , H03H9/6436 , H03H9/6463 , Y10T29/42 , Y10T29/49004 , Y10T29/49005 , Y10T29/49011 , Y10T29/4908 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913
摘要: 一种调节边沿反射型表面声波器件频率特性的方法,包括获得具有压电基片的边沿反射型表面声波器件的频率特性的步骤。边沿反射型表面声波器件的一对压电基片边沿限定了其间的预定距离。接着,在一对位置的至少一个位置上切割压电基片,当边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要高于得到的频率特性时,该位置限定的距离便短于预定距离;而当边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要低于得到的频率特性时,该位置限定的距离则长于预定距离。
-
公开(公告)号:CN1202041A
公开(公告)日:1998-12-16
申请号:CN98107993.8
申请日:1998-05-15
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H03H9/64
CPC分类号: H03H9/02905 , H03H9/02669 , H03H9/6483
摘要: 一种梯形滤波器包括:多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器。串联臂谐振器串联连接并位于第一集成区域。每个并联臂谐振器形成梯形电路的并联臂。并联臂谐振器包括至少两个并联臂谐振器的第一组,这一组位于第二集成区域,该第二集成区域与第一集成区域在物理上隔离,从而在第一集成区域中的压电材料部分上激励的剪切向水平声表面波不干扰在第二集成区域中激励的剪切向水平声表面波。
-
公开(公告)号:CN1244198C
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN02131508.6
申请日:2002-08-14
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H03H9/25
CPC分类号: H03H9/02984 , H03H9/02669
摘要: 提供一种不会导致插入损失恶化、可扩大频带外衰减量的端面反射型表面波滤波器。一种利用SH型表面波的纵向耦合谐振器型表面波滤波器1,在压电基片2的上表面2a中,隔开预定距离彼此平行地形成第1、第2沟2b、2c,在沟2b、2c之间形成用于构成纵向耦合谐振器型表面波滤波器的IDT5、6,形成第1、第2沟2b、2c的IDT的侧的侧面2b1、2c1构成反射面,在压电基片2的上表面2a中,(a)形成树脂覆盖层3,以便覆盖至少形成IDT5、6的区域和第1、第2沟2b、2c的至少其中之一,且进入一个沟2b中,或者(b)形成SiO2膜制成的保护层,以便覆盖IDT5、6。
-
-
-
-
-
-
-
-
-