公开(公告)号：CN118545672A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410208865.0

申请日：2024-02-26

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 阿尔蒂·托尔凯利 ,  福光政和 ,  安斯·布卢姆奎斯特 ,  马蒂·柳库 ,  维莱-佩卡·吕特克宁 ,  大川忠行 ,  基尔皮宁·彼得里

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。该MEMS器件包括：处理层，包括至少一个腔和至少一个悬挂结构；第一器件层，包括至少一个静态电极；第二器件层，包括可移动地悬挂在第一器件层上方的至少一个感震元件；以及盖层。至少一个感震元件充当至少一个可移动电极，或者至少一个感震元件机械地耦接以与至少一个可移动电极一起移动。处理层、第一器件层、第二器件层和盖层、在处理层与第一器件层之间的第一电绝缘层以及在第一器件层与第二器件层之间的第二电绝缘层被配置成形成壳体，该壳体包括至少一个感震元件、至少一个静态电极和至少一个可移动电极。