公开(公告)号：CN1093106C

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN98121544.0

申请日：1998-10-21

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 川瀬洋一 ,  中山晃庆 ,  上野哲 ,  石川辉伸 ,  新见秀明

IPC分类号： C04B35/50 ,  H01C7/04

CPC分类号： C04B35/50 ,  H01C7/043

摘要： 公开了一种半导体陶瓷，其常数B在升高温度下保持在约4000K或更高以减少电能损耗，常数B在低温下降至低于4000K以避免电阻不必要的增加；以及使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件。所述半导体陶瓷由氧化钴镧作为主组分，至少一种Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的氧化物作为次要组分形成。所述半导体陶瓷元件是用该半导体陶瓷和形成于其上的电极来制造。

公开(公告)号：CN1215709A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98121544.0

申请日：1998-10-21

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 川瀬洋一 ,  中山晃庆 ,  上野哲 ,  石川辉伸 ,  新见秀明

IPC分类号： C04B35/32 ,  H01C7/04

CPC分类号： C04B35/50 ,  H01C7/043

摘要： 公开了一种半导体陶瓷,其常数B在升高温度下保持在约4000K或更高以减少电能损耗,常数B在低温下降至低于4000K以避免电阻不必要的增加;以及使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件。所述半导体陶瓷由氧化钴镧作为主组分,至少一种La、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的氧化物作为次要组分形成。所述半导体陶瓷元件是用该半导体陶瓷和形成于其上的电极来制造。