公开(公告)号：CN101489952B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200780025862.8

申请日：2007-06-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 铃木祥一郎 ,  新见秀明

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01B3/12 ,  C01G23/002 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/78 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C01P2006/90 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6268 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01B7/292 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的电介质陶瓷，主成分由用通式{(Ba1-x-yCaxSny)m(Ti1-zZrz)O3}表示的钙钛矿型化合物组成，上述x、y、z及m分别满足0.02≤x≤0.20、0.02≤y≤0.20、0≤z≤0.05、0.99≤m≤1.1，并且在1.0×10-10～1.0×10-12MPa的低氧分压下进行热处理而形成电介质陶瓷。由此，实现一种电介质陶瓷、及使用该电介质陶瓷的叠层陶瓷电容器等陶瓷电子部件，其中，该电介质陶瓷不损害电介质特性，在高温气氛中也能稳定地进行使用，并且容易调整特性，即使共同焙烧陶瓷层和导电膜也不会发生电极断裂。

公开(公告)号：CN100378872C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN03800195.0

申请日：2003-02-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 三原贤二良 ,  岸本敦司 ,  新见秀明

IPC: H01C7/02

CPC classification number: H01C17/065 ,  H01C7/021 ,  H01C7/18 ,  H01C17/006

Abstract: 一种迭层型陶瓷电子元件的制造方法。该方法包括制作包含热敏电阻生层及内部电极层的未烧结的迭层体的工序(41)、将该迭层体以80℃以上300℃以下的温度进行热处理的工序(42)、对热处理后未烧结的迭层体实施干式滚磨的工序(43)、将外部电极膜形成于该迭层体的各端面上的工序(44)、以及该迭层体与各电极膜一起烧成的工序(45)，实施上述工序能制造迭层型正特性的热敏电阻。以此能稳定地生产具有高可靠性的迭层型正特性热敏电阻。

公开(公告)号：CN1198289C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN00136081.7

申请日：2000-12-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 新见秀明 ,  安藤阳 ,  川本光俊 ,  児玉雅弘

IPC: H01C7/02 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/468

Abstract: 本发明揭示一种半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件。包含钛酸钡(BaTiO3)并具有正电阻温度系数的这种半导体陶瓷材料耐压能力高。在这种半导体陶瓷材料中，在第一温度范围和第二温度范围之间的边界上的边界温度比居里温度高180℃或者更高(例如370℃)，其中第一温度范围高于居里温度，并且在这种范围内陶瓷材料具有正电阻温度系数，第二温度范围高于第一温度范围，并且在这种范围内陶瓷材料具有负电阻温度系数。

公开(公告)号：CN1188871C

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN01143987.4

申请日：2001-12-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 児玉雅弘 ,  岸本敦司 ,  川本光俊 ,  新见秀明 ,  安藤阳

IPC: H01C7/02 ,  C04B35/00

CPC classification number: H01C17/06533 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  H01C7/021 ,  H01C7/025 ,  H01L29/24

Abstract: 一种陶瓷电子部件，它包括具有半导体陶瓷层和内电极的部件本体。所述半导体陶瓷层和内电极交替叠合。半导体陶瓷层的相对密度约为90%或更小并且不含烧结添加剂。部件本体的两侧带有外电极。该陶瓷电子部件具有低电阻和高耐电压。

公开(公告)号：CN1482628A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03153093.1

申请日：2003-08-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 三原贤二良 ,  岸本敦司 ,  新见秀明

IPC: H01C7/02

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/6025 ,  H01C7/021 ,  H01C17/006 ,  H01C17/281

Abstract: 一种叠层型PTC热敏电阻器制造方法，相互叠层内部电极和具有正电阻温度特性的半导体陶瓷层，在陶瓷坯体上形成外部电极，如此形成叠层型PTC热敏电阻器，其特征在于通过具有如下工序：第1工序，相互叠层成为上述内部电极的内部电极用导电性胶和成为上述半导体陶瓷层的陶瓷生片，形成叠层体；第2工序，烧结上述叠层体，形成陶瓷坯体，在该陶瓷坯体的两端面上形成上述外部电极；第3工序，对形成上述外部电极的上述陶瓷坯体进行60℃以上200℃以下的热处理，提高了叠层型PTC热敏电阻器的可靠性，可使通电试验中的室温电阻的随时间变化稳定化。

公开(公告)号：CN1093106C

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN98121544.0

申请日：1998-10-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川瀬洋一 ,  中山晃庆 ,  上野哲 ,  石川辉伸 ,  新见秀明

IPC: C04B35/50 ,  H01C7/04

CPC classification number: C04B35/50 ,  H01C7/043

Abstract: 公开了一种半导体陶瓷，其常数B在升高温度下保持在约4000K或更高以减少电能损耗，常数B在低温下降至低于4000K以避免电阻不必要的增加；以及使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件。所述半导体陶瓷由氧化钴镧作为主组分，至少一种Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的氧化物作为次要组分形成。所述半导体陶瓷元件是用该半导体陶瓷和形成于其上的电极来制造。

公开(公告)号：CN1087720C

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN99103602.6

申请日：1999-03-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 新见秀明 ,  川本光俊 ,  中山晃庆 ,  上野哲 ,  浦原良一

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/025

Abstract: 本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷，它呈现优良的PTC特性，可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡：氧化硼，选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物；以及(可任选的)选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物；所掺入的氧化硼的数量，按硼原子计算，满足以下关系：0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α-β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数，β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。

公开(公告)号：CN1305195A

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN00136081.7

申请日：2000-12-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 新见秀明 ,  安藤阳 ,  川本光俊 ,  児玉雅弘

IPC: H01C7/02 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/468

Abstract: 本发明揭示一种半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件。包含钛酸钡(BaTiO3)并具有正电阻温度系数的这种半导体陶瓷材料耐压能力高。在这种半导体陶瓷材料中,在第1温度范围和第2温度范围之间的边界上的边界温度是180℃或者高于居里温度(例如370℃),其中第1温度范围高于居里温度,并且在这种范围内陶瓷材料具有正电阻温度系数,第2温度范围高于第1温度范围,并且在这种范围内陶瓷材料具有负电阻温度系数。

公开(公告)号：CN101268528B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200680034323.6

申请日：2006-09-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 三原贤二良 ,  岸本敦司 ,  新见秀明

IPC: H01C7/02

CPC classification number: H01C7/021 ,  H01C7/025 ,  H01C7/18

Abstract: 本发明的层叠型正特性热敏电阻的半导体陶瓷层，以BaTiO3系陶瓷材料为主成分，Ba位点和Ti位点之比为0.998～1.006且包括从La、Ce、Pr、Nd以及Pm中选择的至少一种元素作为半导体化剂。该层叠型正特性热敏电阻的内部电极层的厚度d以及半导体陶瓷层的厚度D满足d≥0.6μm且d/D＜0.2。从而，即使在实际测量烧结密度降低到理论烧结密度的65～95％这样的半导体陶瓷层的情况下，不采用热处理等烦杂的方法，也能实现室温电阻值随时间的变化率小的层叠型正特性热敏电阻。在半导体体化剂的含有量相对Ti100摩尔部为0.1～0.5摩尔部时，能进行1150℃的低温烧制，能够得到低的室温电阻值和足够大的电阻变化率。

公开(公告)号：CN101268527B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200680034077.4

申请日：2006-09-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岸本敦司 ,  三原贤二良 ,  新见秀明

IPC: H01C7/02

CPC classification number: H01C7/021 ,  H01C7/025 ,  H01C7/18

Abstract: 在本发明的层叠型正特性热敏电阻中，半导体陶瓷层以BaTiO3系陶瓷材料为主要成分，并且，Ba位点与Ti位点之比为0.998～1.006，作为半导体化剂而从Eu、Gd、Tb、Dy、Y、Ho、Er、Tm选择的至少一种元素相对于Ti100摩尔部含有0.1摩尔部以上0.5摩尔部以下。由此，即便是在实测烧结密度为理论烧结密度的65％～90％等烧结密度低的半导体陶瓷层情况下，也能够实现具有充分大的电阻变化率、且居里点以上的温度下的电阻上升系数高的层叠型正特性热敏电阻。