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公开(公告)号：CN1153748A
公开(公告)日：1997-07-09
申请号：CN96122504.1
申请日：1996-09-19
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01B3/087 , C03C3/089 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示了一种用于高频电路的具有低介电常数的玻璃组合物，它含有SiO2，并含有B2O3和K2O中的至少一种，各组分的比例位于SiO2、B2O3和K2O三元系统组分图中A点(65，35，0)、B点(65，20，15)、C点(85，0，15)和D点(85，15，0)连线所包围的区域内。所述玻璃组合物可掺有少量澄清剂，以降低熔点和玻璃软化点。作为绝缘材料，它特别适合用于小型快速电子装置和设备中的高频电路。
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公开(公告)号：CN1084918C
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN96120334.X
申请日：1996-09-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01B3/08
CPC classification number: C03C3/089 , C03C3/091 , H01B3/087 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种绝缘用玻璃组合物，它包含SiO2以及B2O3或K2O中的至少一种，它们的比例位于SiO2、B2O3和K2O三元系统组分图中A点(65，35，0)、B点(65，20，15)、C点(85，0，15)、和D点(85，15，0)连线所包围的区域内。该玻璃组合物还可附加地包含选自Al2O3，La2O3，CaO，Ta2O5和Nd2O3中的至少一种材料，其数量少于所述主要组分重量的约25%。
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公开(公告)号：CN1130315C
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN96122504.1
申请日：1996-09-19
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01B3/087 , C03C3/089 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示了一种用于高频电路的具有低介电常数的玻璃组合物，它含有SiO2，并含有B2O3和K2O中的至少一种，各组分的比例位于SiO2、B2O3和K2O三元系统组分图中A点(65，35，0)、B点(65，20，15)、C点(85，0，15)和D点(85，15，0)连线所包围的区域内。所述玻璃组合物可掺有少量澄清剂，以降低熔点和玻璃软化点。作为绝缘材料，它特别适合用于小型快速电子装置和设备中的高频电路。
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公开(公告)号：CN1150696A
公开(公告)日：1997-05-28
申请号：CN96120334.X
申请日：1996-09-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01B3/08
CPC classification number: C03C3/089 , C03C3/091 , H01B3/087 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种绝缘用玻璃组合物，它包含SiO2以及B2O3或K2O中的至少一种，它们的比例位于SiO2、B2O3和K2O三元系统组分图中A点(65，35，0)、B点(65，20，15)、C点(85，0，15)、和D点(85，15，0)连线所包围的区域内。该玻璃组合物还可附加地包含选自Al2O3，La2O3，CaO，Ta2O5和Nd2O3中的至少一种材料，其数量少于所述主要组分重量的约25％。
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