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公开(公告)号：CN101419049B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN200810167926.4
申请日：2008-10-16
Applicant: 株式会社森精机制作所
CPC classification number: G01D5/145 , G01D5/24438 , G01D5/2455
Abstract: 本发明公开了位置传感器和偏磁场生成装置，其中，该位置传感器包括：磁记录介质，包括两个增量层和一个绝对层，绝对层设置在增量层之间，每层都具有记录在其中的磁信息；以及磁检测部，包括与磁记录介质的各层相对的三个磁阻效应装置，相对于磁记录介质在各层的延伸方向上移动，并用于通过磁阻效应装置检测各层中的磁信息。对于增量层，最大程度地改善了返回误差和内插，并且对于绝对层，可以高精度地执行磁信息检测。
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