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公开(公告)号：CN100500437C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200580000242.X
申请日：2005-02-02
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 桥本宪一郎
IPC: B41J2/05
CPC classification number: B41J2/1604 , B41J2/14048 , B41J2/1626 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1642
Abstract: 一种包括可动元件的喷液头，其中可动元件由至少三层叠置而成，至少一层的自由边缘部分被另一层覆盖。
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公开(公告)号：CN100340405C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN03822109.8
申请日：2003-08-05
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/1628 , B06B1/0292 , B41J2/14314 , B41J2/16 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1639 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2002/14411
Abstract: 一种静电激励器，具有高可靠性并且特性几乎不变。在衬底(1)上形成有电极(12a)，在电极上形成有多个分隔部件(50a)。在分隔部件(50a)上形成有振动片(19)并且振动片通过施加到电极(12a)的电压所产生的静电力可变形，使得通过蚀刻在电极(12a)和振动片(19)之间形成的牺牲层(14)的一部分，在分隔部件(50a)之间形成空气间隙(14a)。分隔部件(50a)由蚀刻之后牺牲层(14)的剩余部分形成。
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公开(公告)号：CN1876378A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610093266.0
申请日：2002-09-04
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种液滴喷射头，包括通过分割硅晶片形成的芯片，所述硅晶片具有相互交叉的第一方向和第二方向。所述芯片包括平行于第一方向的第一分割线和平行于第二方向的第二分割线。所述芯片是通过以下方法得到的，即，利用第一分割方法在所述第一分割线上局部形成穿透所述硅晶片的切口，沿着所述第一分割线将所述芯片从所述硅晶片上分割；并且通过第二分割方法沿着所述第二分割线从所述硅晶片上对所述芯片进行分割，其中，所述硅晶片为(110)晶向的，所述芯片是由该硅晶片形成的，并且通过蚀刻从该硅晶片上对所述芯片进行分割的所述第一分割线平行于所述硅晶片的(112)方向。
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公开(公告)号：CN1771131A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200580000242.X
申请日：2005-02-02
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 桥本宪一郎
IPC: B41J2/05
CPC classification number: B41J2/1604 , B41J2/14048 , B41J2/1626 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1642
Abstract: 一种包括可动元件的喷液头，其中可动元件由至少三层叠置而成，至少一层的自由边缘部分被另一层覆盖。
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公开(公告)号：CN111716714A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010181385.1
申请日：2020-03-16
Applicant: 株式会社理光
IPC: B29C64/153 , B29C64/20 , B33Y10/00 , B33Y30/00
Abstract: 提供一种三维物体制造设备，其包括：配置成形成包含树脂粒子的粒子层的层形成单元；配置成将能够吸收能量的成型体材料排出到粒子层以形成成型体区域的第一排出单元；配置成将支持体材料排出到粒子层以形成支持体区域的第二排出单元；和配置成向成型体区域施加能量的能量施加单元，其中通过向成型体区域施加能量，成型体区域中的树脂粒子彼此熔合并且成型体区域中的树脂粒子与支持体区域中接触成型体区域的树脂粒子熔合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100478178C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610093266.0
申请日：2002-09-04
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种液滴喷射头，包括通过分割硅晶片形成的芯片，所述硅晶片具有相互交叉的第一方向和第二方向。所述芯片包括平行于第一方向的第一分割线和平行于第二方向的第二分割线。所述芯片是通过以下方法得到的，即，利用第一分割方法在所述第一分割线上局部形成穿透所述硅晶片的切口，沿着所述第一分割线将所述芯片从所述硅晶片上分割；并且通过第二分割方法沿着所述第二分割线从所述硅晶片上对所述芯片进行分割，其中，所述硅晶片为(110)晶向的，所述芯片是由该硅晶片形成的，并且通过蚀刻从该硅晶片上对所述芯片进行分割的所述第一分割线平行于所述硅晶片的 方向。
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公开(公告)号：CN113458419A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110353187.3
申请日：2021-03-31
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明涉及的造型装置及造型方法减少造型液的液滴着落到粉面上时粉的飞扬，并防止造形物的低密度化等。粉体层形成部形成粉体层，造型液喷出部向粉体层喷出造型液。喷出控制部对造型液喷出部进行喷出控制，以先喷出比后喷出的造型液低的动能的造型液。通过先喷出动能低的造型液，能够减少粉体的飞扬。因此，能够使得粉体层的凹凸极小，从而能够防止造型物的低密度化。
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公开(公告)号：CN101065250A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580040880.4
申请日：2005-11-15
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种液体排放头，包括：基底构件；多个喷嘴，用来排放液滴；多个液体腔室，它们分别与多个喷嘴连通；以及多个压电元件，用来产生出压力以挤压在多个液体腔室中的每一个中的液体，在液体排放头中，在基底构件上沿着多个压电元件的列方向形成多排压电元件构件，在这些压电元件构件中多个压电元件通过开槽加工形成有多列沟槽。
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公开(公告)号：CN1289298C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN02817515.8
申请日：2002-09-04
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/1635 , B41J2/14314 , B41J2/16 , B41J2/1626 , B41J2002/14411 , B41J2002/14419 , Y10T29/49401
Abstract: 一种液滴喷射头，包括一个通过分割硅晶片(20)形成的芯片(21)。所述硅晶片(20)具有相互交叉的第一和第二方向。所述芯片(21)是通过沿着一个平行于所述晶片的第一方向的分割线(22)对所述晶片进行蚀刻和通过沿着一个平行于所述硅晶片的第二方向的第二分割线(23)对晶片(20)进行切割而从所述晶片上分割的。其中，所述硅晶片为(110)晶向的，所述芯片是由该硅晶片形成的，并且通过蚀刻从所述硅晶片上对所述芯片进行分割的所述第一分割线平行于所述硅晶片的(112)方向。
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