公开(公告)号：CN114341745A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062990.5

申请日：2020-07-21

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 纸英利 ,  浅野友晴 ,  石井雅之 ,  井上龙太

IPC: G03G5/04 ,  G03G5/147

Abstract: 提供了电子装置，其包括：载体；包括电荷传输材料的电荷传输层或包括增感染料的增感染料电极层，其中电荷传输层或增感染料电极层被设置在载体上或上方；和金属氧化物层，所述金属氧化物层被设置在电荷传输层或增感染料电极层上或上方，其中金属氧化物层包括p型半导体金属氧化物和二氧化硅或金属氧化物颗粒，并且其中金属氧化物层中包括的二氧化硅或金属氧化物颗粒量为相对于金属氧化物层0.5质量％以上但1.5质量％以下。

公开(公告)号：CN112055882A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201980026964.4

申请日：2019-01-22

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 久保大辅 ,  纸英利 ,  野副凉佳 ,  浅野友晴 ,  利根哲也 ,  田元望 ,  田中裕二 ,  兼为直道

IPC: H01G9/20 ,  H01L51/42 ,  H01L51/52

Abstract: 提供了一种光电转换装置，其包括：载体；包括有机电荷传输材料的电荷传输层或包括有机敏化染料的敏化染料电极层，其中电荷传输层或敏化染料电极层布置在载体上；和布置在电荷传输层或敏化染料电极层上的陶瓷膜。

公开(公告)号：CN113439241A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202080014915.1

申请日：2020-01-31

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 纸英利 ,  浅野友晴

IPC: G03G5/14 ,  G03G5/147 ,  H01L21/31 ,  H01L51/42

Abstract: 提供了光电转换元件，其包括：支撑体；光电转换层；底涂层；和表面层，其中光电转换层、底涂层和表面层以此顺序设置在支撑体上或上方，其中表面层为陶瓷膜，并且其中底涂层包括硅氧烷树脂。

公开(公告)号：CN103472695A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310222704.9

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 下山启介 ,  杉野显洋 ,  广濑光章 ,  浅野友晴 ,  鸟生升 ,  中森英雄

IPC: G03G5/04

CPC classification number: G03G5/047 ,  G03G5/0521 ,  G03G5/0614

Abstract: 本发明的题目是感光器、图像形成装置、处理盒和图像形成方法。本发明涉及感光器、图像形成装置、处理盒和图像形成方法。感光器包括导电基底和层压结构，所述层压结构由至少电荷产生层和电荷输送层形成，并且设置为覆盖在导电基底上，其中电荷输送层包含电荷输送材料、由下述式1表示的化合物和由下述式2表示的化合物：式1中，R1和R2每个独立地表示取代的或非取代的烷基基团或芳族烃基团，并且R1和R2之一表示取代的或非取代的芳族烃基团，与相同氮原子键合的R1和R2可键合在一起以形成取代的或非取代的含氮杂环基团，并且Ar表示取代的或非取代的芳族烃基团；式2中，R3和R4每个独立地表示取代的或非取代的烷基基团或芳族烃基团。

公开(公告)号：CN115516656A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180033715.5

申请日：2021-03-25

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 浅野友晴 ,  纸英利 ,  井上龙太

IPC: H01L51/46 ,  H01G9/20 ,  H01L51/54

Abstract: 提供具有p型半导电性的金属氧化物粒子。所述金属氧化物粒子具有基于体积的粒径分布，该粒径分布具有第一局部最大值和第二局部最大值。所述第一局部最大值在0.1μm或更大且小于5μm的范围内，所述第二局部最大值在5μm或更大且小于50μm的范围内。所述第二局部最大值与所述第一局部最大值的比率为0.5或更大且小于2.0，所述金属氧化物粒子的99％体积或更大具有粒径在0.1‑50μm的范围内。

公开(公告)号：CN114981987A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202080093712.6

申请日：2020-12-25

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 纸英利 ,  浅野友晴 ,  井上龙太

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/42 ,  G03G5/147 ,  H01G9/20 ,  H01L27/30

Abstract: 一种电子装置，其包括：载体；包含电荷传输材料的电荷传输层或包含增感染料的增感染料电极层，其中该电荷传输层或增感染料电极层被设置在载体上或上方；含硅层，其被设置在电荷传输层或增感染料电极层上或上方；以及金属氧化物膜，其被设置在含硅层上或上方，其中比率[Q(ACL)/Q(CTL)]为10％或更大，其中Q(ACL)是通过飞行时间法测量的电子装置(ACL)的瞬态光电流波形的时间积分，和Q(CTL)是通过飞行时间法测量的电子装置(CTL)的瞬态光电流波形的时间积分。

公开(公告)号：CN103472695B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310222704.9

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 下山启介 ,  杉野显洋 ,  广濑光章 ,  浅野友晴 ,  鸟生升 ,  中森英雄

IPC: G03G5/04

CPC classification number: G03G5/047 ,  G03G5/0521 ,  G03G5/0614

Abstract: 本发明的题目是感光器、图像形成装置、处理盒和图像形成方法。本发明涉及感光器、图像形成装置、处理盒和图像形成方法。感光器包括导电基底和层压结构，所述层压结构由至少电荷产生层和电荷输送层形成，并且设置为覆盖在导电基底上，其中电荷输送层包含电荷输送材料、由下述式1表示的化合物和由下述式2表示的化合物：式1中，R1和R2每个独立地表示取代的或非取代的烷基基团或芳族烃基团，并且R1和R2之一表示取代的或非取代的芳族烃基团，与相同氮原子键合的R1和R2可键合在一起以形成取代的或非取代的含氮杂环基团，并且Ar表示取代的或非取代的芳族烃基团；式2中，R3和R4每个独立地表示取代的或非取代的烷基基团或芳族烃基团。