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公开(公告)号:CN107377960A
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201710346648.8
申请日:2017-05-17
Applicant: 株式会社理研
Inventor: 蔵前雅规
CPC classification number: B22F1/0003 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/08 , C22C38/10 , C22C38/105 , H01F1/147 , H01F7/0215
Abstract: 本发明提供一种近场用噪声抑制片,其虚部导磁率μ”的分布从GHz带域上升,且即使噪声抑制片的厚度较薄也具有对于抑制GHz带域下的噪声而言充分的大小的虚部导磁率μ”值。本发明的近场用噪声抑制片的特征在于,包括由有机物构成的基材和担载于所述基材中的扁平状的FeMn合金粉末,所述FeMn合金粉末中的Mn的浓度为2质量%以上且20质量%以下。
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