近场用噪声抑制片
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107481829B

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN201710347545.3

    申请日:2017-05-17

    Inventor: 蔵前雅规

    Abstract: 本发明提供一种近场用噪声抑制片,即使噪声抑制片的厚度变薄也能够应对相互去耦合性的高频化。本发明的近场用噪声抑制片的特征在于,包括由有机物构成的基材和担载于所述基材中的软磁性合金粉末,关于所述软磁性合金粉末,平均粒径为12μm以下,并且长径比的平均值为1.00以上且1.30以下。

    近场用噪声抑制片
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107377960B

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201710346648.8

    申请日:2017-05-17

    Inventor: 蔵前雅规

    Abstract: 本发明提供一种近场用噪声抑制片,其虚部导磁率μ”的分布从GHz带域上升,且即使噪声抑制片的厚度较薄也具有对于抑制GHz带域下的噪声而言充分的大小的虚部导磁率μ”值。本发明的近场用噪声抑制片的特征在于,包括由有机物构成的基材和担载于所述基材中的扁平状的FeMn合金粉末,所述FeMn合金粉末中的Mn的浓度为2质量%以上且20质量%以下。

    近场用噪声抑制片
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107481829A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710347545.3

    申请日:2017-05-17

    Inventor: 蔵前雅规

    Abstract: 本发明提供一种近场用噪声抑制片,即使噪声抑制片的厚度变薄也能够应对相互去耦合性的高频化。本发明的近场用噪声抑制片的特征在于,包括由有机物构成的基材和担载于所述基材中的软磁性合金粉末,关于所述软磁性合金粉末,平均粒径为12μm以下,并且长径比的平均值为1.00以上且1.30以下。

    近场用电波吸收片
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104470341B

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201410355998.7

    申请日:2014-07-24

    Inventor: 蔵前雅规

    Abstract: 提供虚数部磁导率μ”的分布从GHz波段上升的近场用电波吸收片。本发明的近场用电波吸收片含有从组成在Fe100-xCox中为0.1≤x≤40的扁平状的FeCo合金粉末、组成在Fe100-yNiy中为0.1≤y≤40的扁平状的FeNi合金粉末以及组成在Fe100-z(CoNi)z中为0.1≤z≤40的扁平状的FeCoNi合金粉末所选择的至少一种和树脂。

    近场用电波吸收片
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104470341A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410355998.7

    申请日:2014-07-24

    Inventor: 蔵前雅规

    Abstract: 本发明提供虚数部磁导率μ”的分布从GHz波段上升的近场用电波吸收片。本发明的近场用电波吸收片含有从组成在Fe100-xCox中为0.1≤x≤40的扁平状的FeCo合金粉末、组成在Fe100-yNiy中为0.1≤y≤40的扁平状的FeNi合金粉末以及组成在Fe100-z(CoNi)z中为0.1≤z≤40的扁平状的FeCoNi合金粉末所选择的至少一种和树脂。

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