半导体集成电路设备和高频功率放大器模块

    公开(公告)号:CN1925325A

    公开(公告)日:2007-03-07

    申请号:CN200610115199.8

    申请日:2006-08-30

    CPC classification number: H04B1/48

    Abstract: 本发明提供了半导体集成电路设备和高频功率放大器模块。改善SPDT开关中的开关特性以便减少高功率时隙后跟着的低功率时隙中的上升延时。分别给SPDT的控制端子提供回流防止电路。将回流防止电路配置成具有两个晶体管和一个二极管。在发送模式中,例如当高功率通过晶体管的时隙后跟着低功率通过的时隙时,阻断晶体管的栅极上积累的电荷。在晶体管处于OFF状态的情况下,立即对晶体管的栅极上积累的电荷放电,以便允许完全断开晶体管。

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