公开(公告)号：CN100490127C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200610148542.9

申请日：2006-11-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田村宗生 ,  大庭浩美

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78 ,  B23K26/00 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011

Abstract: 穿过顶表面将激光束施加到晶片的内部，从而在多层改进区组中形成改进区。改进区组层中的一层中的改进区的间隔不同于改进区组层中的另一层中的改进区的间隔，与改进区组层中的所述一层相比改进区组层中的所述另一层更接近于晶片的顶表面。

公开(公告)号：CN1967816A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610148542.9

申请日：2006-11-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田村宗生 ,  大庭浩美

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78 ,  B23K26/00 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011

Abstract: 穿过顶表面将激光束施加到晶片的内部，从而在多层改进区组中形成改进区。改进区组层中的一层中的改进区的间隔不同于改进区组层中的另一层中的改进区的间隔，与改进区组层中的所述一层相比改进区组层中的所述另一层更接近于晶片的顶表面。