半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106796896B

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201580046019.2

    申请日:2015-07-31

    IPC分类号: H01L21/60

    摘要: 多个电极焊盘包括在半导体元件(10)的一面(11)中位于角部(13)侧的第1焊盘(21)、和比第1焊盘(21)距角部(13)更远的位置的第2焊盘(22)。连接于第1焊盘(21)的第1线材(51)的杨氏模量小于连接于第2焊盘(22)的第2线材(52)的杨氏模量。由第1线材(51)和第1焊盘(21)形成的金属间化合物层(71)的厚度(d1)比由第2线材(52)和第2焊盘(22)形成的金属间化合物层(72)的厚度(d2)厚。

    相机模块
    2.
    发明公开
    相机模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN113890966A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202110664323.0

    申请日:2021-06-16

    摘要: 一种相机模块(1),被配置为捕获目标区域的光学图像(3)并且包括透镜构件(10)、成像器(20)、光传输构件(40)和基座(60)。透镜构件配置为接收来自目标区域的光。成像器具有在远离透镜构件的方向上凸出的弯曲部(203)并且被配置为捕获通过穿过透镜构件的光在弯曲部上形成的光学图像。光传输构件光学耦合透镜构件和成像器并且允许来自透镜构件的光朝向成像器传输。基座具有支撑成像器的外边缘的支撑部(601)和限定在支撑部内侧的流体空间(602)。散热流体(603、2603)在流体空间中经历对流。基座的支撑部和流体空间位于弯曲部的与光传输构件相反的一侧上。

    半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106796896A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201580046019.2

    申请日:2015-07-31

    IPC分类号: H01L21/60

    摘要: 多个电极焊盘包括在半导体元件(10)的一面(11)中位于角部(13)侧的第1焊盘(21)、和比第1焊盘(21)距角部(13)更远的位置的第2焊盘(22)。连接于第1焊盘(21)的第1线材(51)的杨氏模量小于连接于第2焊盘(22)的第2线材(52)的杨氏模量。由第1线材(51)和第1焊盘(21)形成的金属间化合物层(71)的厚度(d1)比由第2线材(52)和第2焊盘(22)形成的金属间化合物层(72)的厚度(d2)厚。