公开(公告)号：CN104704607B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201380051807.1

申请日：2013-09-12

申请人： 株式会社电装

发明人： 山内庄一 ,  平野尚彦

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02656 ,  C30B23/025 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L23/544 ,  H01L29/1608 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 碳化硅半导体基板由碳化硅单晶构成，至少在表面形成有以结晶缺陷构成的作为识别显示的刻印(2)。在将所述碳化硅半导体基板用作籽晶而使碳化硅单晶(3)生长时，刻印(2)能够在所述碳化硅单晶(3)中作为结晶缺陷而传播。在使用所述碳化硅单晶(3)制作碳化硅半导体基板(4)时，能够成为在各碳化硅半导体基板(4)中已经形成有刻印(2)的状态。

公开(公告)号：CN1649098A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510006825.5

申请日：2005-01-28

申请人： 株式会社电装

发明人： 平野尚彦 ,  真光邦明

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L21/60 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/488 ,  H01L24/32 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/32258 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 半导体器件(S1)包括半导体元件(11、12)、用第一焊料部分(51)粘附到半导体元件(11、12)的第一面上的第一金属体(20)、用第二焊料部分(52)粘附到半导体元件(11、12)的第二面上的第二金属体(30)、以及通过封装半导体元件(11、12)、第一金属体(20)和第二金属体(30)而对其密封的树脂模(60)。在具有作为元件设置表面的第二面的半导体器件(S1)中，在半导体元件(11、12)的焊接部分中，第一焊料部分(51)处由热应力引起的应变测量最大。

公开(公告)号：CN106796896B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201580046019.2

申请日：2015-07-31

申请人： 株式会社电装

发明人： 宫胁正太郎 ,  平野尚彦 ,  浅井昭喜 ,  浅井康富

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 多个电极焊盘包括在半导体元件(10)的一面(11)中位于角部(13)侧的第1焊盘(21)、和比第1焊盘(21)距角部(13)更远的位置的第2焊盘(22)。连接于第1焊盘(21)的第1线材(51)的杨氏模量小于连接于第2焊盘(22)的第2线材(52)的杨氏模量。由第1线材(51)和第1焊盘(21)形成的金属间化合物层(71)的厚度(d1)比由第2线材(52)和第2焊盘(22)形成的金属间化合物层(72)的厚度(d2)厚。

公开(公告)号：CN101432095A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015418.8

申请日：2007-04-26

申请人： 株式会社电装

发明人： 平野尚彦 ,  坂本善次 ,  奥村知巳 ,  鹤田加一 ,  上岛稔 ,  石井隆

IPC分类号： B23K35/14 ,  B23K35/40 ,  H01L21/52

CPC分类号： H05K3/3478 ,  B23K35/262 ,  B23K35/40 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/29694 ,  H01L2224/29695 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15747 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/2036 ,  H05K2203/0415 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。

公开(公告)号：CN1542954A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410031265.4

申请日：2004-03-26

申请人： 株式会社电装

发明人： 平野尚彦 ,  手岛孝纪

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/40 ,  H05K7/20

CPC分类号： H01L23/4338 ,  H01L23/473 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体模块(100)包括固定型和可变形型冷却器(2、3)，以及夹在这些冷却器之间的平的半导体封装件(1)。半导体封装件与固定型冷却器的相对位置关系是固定的，而与可变形型冷却器的相对位置关系是变化的。可变形型冷却器包括由金属薄板制成的覆盖冷却剂腔(3a)的可变形件(31)。半导体模块包括使得固定型冷却器朝着可变形型冷却器按压的夹持装置(20)。夹持装置的紧固调节螺钉(201、202)使得按压框架(203)接近可变形型冷却器的冷却器主体(32)。因此，半导体封装件通过固定型冷却器按压，同时可变形件稍微变形。这增强了半导体封装件和可变形件之间的通过绝缘件(17)的接触程度。

公开(公告)号：CN106796896A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046019.2

申请日：2015-07-31

申请人： 株式会社电装

发明人： 宫胁正太郎 ,  平野尚彦 ,  浅井昭喜 ,  浅井康富

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 多个电极焊盘包括在半导体元件(10)的一面(11)中位于角部(13)侧的第1焊盘(21)、和比第1焊盘(21)距角部(13)更远的位置的第2焊盘(22)。连接于第1焊盘(21)的第1线材(51)的杨氏模量小于连接于第2焊盘(22)的第2线材(52)的杨氏模量。由第1线材(51)和第1焊盘(21)形成的金属间化合物层(71)的厚度(d1)比由第2线材(52)和第2焊盘(22)形成的金属间化合物层(72)的厚度(d2)厚。

公开(公告)号：CN104704607A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380051807.1

申请日：2013-09-12

申请人： 株式会社电装

发明人： 山内庄一 ,  平野尚彦

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02656 ,  C30B23/025 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L23/544 ,  H01L29/1608 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 碳化硅半导体基板由碳化硅单晶构成，至少在表面形成有以结晶缺陷构成的作为识别显示的刻印(2)。在将所述碳化硅半导体基板用作籽晶而使碳化硅单晶(3)生长时，刻印(2)能够在所述碳化硅单晶(3)中作为结晶缺陷而传播。在使用所述碳化硅单晶(3)制作碳化硅半导体基板(4)时，能够成为在各碳化硅半导体基板(4)中已经形成有刻印(2)的状态。

公开(公告)号：CN1332441C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200410031265.4

申请日：2004-03-26

申请人： 株式会社电装

发明人： 平野尚彦 ,  手岛孝纪

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/40 ,  H05K7/20

CPC分类号： H01L23/4338 ,  H01L23/473 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体模块，其包括固定型和可变形型冷却器(2、3)，以及夹在这些冷却器之间的平的半导体封装件(1)。半导体封装件与固定型冷却器的相对位置关系是固定的，而与可变形型冷却器的相对位置关系是变化的。可变形型冷却器包括由金属薄板制成的覆盖冷却剂腔(3a)的可变形件(31)。半导体模块包括使得固定型冷却器朝着可变形型冷却器按压的第一夹持机构。第一夹持机构的紧固调节螺钉(201、202)使得按压框架(203)接近可变形型冷却器的冷却器主体(32)。因此，半导体封装件通过固定型冷却器按压，同时可变形件稍微变形。这增强了半导体封装件和可变形件之间的通过绝缘件(17)的接触程度。

公开(公告)号：CN1400657A

公开(公告)日：2003-03-05

申请号：CN02127066.X

申请日：2002-07-26

申请人： 株式会社电装

发明人： 平野尚彦 ,  手嶋孝纪 ,  中濑好美 ,  八木贤次 ,  大仓康嗣 ,  真光邦明 ,  野村和仁 ,  福田丰 ,  铃木干昌 ,  则武千景

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/301 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L21/565 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种半导体器件，包括在工作中产生热的半导体芯片，用于冷却该芯片的一对散热器和其中埋置该芯片和该散热器的铸模树脂。芯片的厚度t1和用焊料连接到芯片的散热器之一的厚度t2满足式t2/t1≥5。此外，散热器的热膨胀系数α1和铸模树脂的热膨胀系数α2满足式0.5≤α2/α1≤1.5。另外，面对焊料的芯片表面具有满足式Ra≤500nm的粗糙度Ra。此外，焊料是锡－基焊料以抑制芯片中压应力松弛，压应力松弛是由焊料的蠕变引起的。

公开(公告)号：CN101432095B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200780015418.8

申请日：2007-04-26

申请人： 株式会社电装 ,  千住金属工业株式会社

发明人： 平野尚彦 ,  坂本善次 ,  奥村知巳 ,  鹤田加一 ,  上岛稔 ,  石井隆

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K35/14 ,  B23K35/40

CPC分类号： H05K3/3478 ,  B23K35/262 ,  B23K35/40 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/29694 ,  H01L2224/29695 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15747 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/2036 ,  H05K2203/0415 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： 本发明提供泡沫焊锡和电子器件。将半导体元件和基板通过焊锡接合而成的电子器件，会由于半导体元件和基板之间的间隙不适当而导致接合强度降低。因此在制造电子器件时采用在焊锡中分散高熔点金属颗粒而成的泡沫焊锡。但是在使用现有的焊锡来制造电子器件时，存在半导体元件倾斜或接合强度不足的问题。在本发明的泡沫焊锡中，当金属粒径为50μm时，高熔点金属颗粒的尺寸偏差在20μm以下，并且在高熔点金属颗粒的周围形成有高熔点金属颗粒与焊锡的主要成分构成的合金层。并且焊锡中完全没有空隙。另外，本发明的电子器件通过上述泡沫焊锡将半导体元件和基板接合而成，热循环性优良。