半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板

    公开(公告)号:CN108630652B

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN201810224113.8

    申请日:2018-03-19

    摘要: 本发明涉及半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板。半导体装置包含电极板、金属构件以及将金属构件与电极板连接的焊料。在电极板的表面上,设置了第一沟槽和第二沟槽组。第一沟槽具有第一直线部分到第四直线部分。该第二沟槽组布置在由第一沟槽包围的范围内,并且具有在与第一沟槽连接的外周侧上的端部。该第二沟槽组包含第一集合到第四集合。所述集合中的每一个包含与第一直线部分到第四直线部分连接的多个第二沟槽。当在电极板和金属构件的层压方向上看金属构件时,金属构件的与焊料连接的区域的外周边缘横穿第一集合到第四集合。

    半导体装置的制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109285787B

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN201810786958.6

    申请日:2018-07-18

    摘要: 本发明涉及半导体装置的制造方法,关于该半导体装置,金属板在树脂封装体的两面露出,提供气泡不易残留于封装体内的制造方法。本说明书公开的制造方法具备准备工序、设置工序、成型工序、去除工序。在准备工序中,准备半导体元件和金属板的组件。在设置工序中,将组件设置于用于使树脂封装体成型的模具的腔体。使一个金属板与腔体的底表面接触而在另一个金属板的上方设置空间地设置组件。在成型工序中,以覆盖金属板的方式将熔融树脂注入到腔体,在腔体的上部残留空间的一部分地停止熔融树脂的注入,并使树脂硬化。在去除工序中,去除覆盖金属板的树脂部分。

    半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108573937B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201810182489.7

    申请日:2018-03-06

    摘要: 本说明书公开一种半导体装置,具备:第一及第二半导体元件,在两个面具备电极;第一及第二金属板,夹着第一半导体元件,通过第一焊料与第一半导体元件的各电极接合;及第三及第四金属板,夹着第二半导体元件,通过第二焊料与第二半导体元件的各电极接合。该半导体装置中,从第一金属板延伸出第一接头并且从第四金属板延伸出第二接头,这些接头由第三焊料接合,第一焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高,且第二焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高。