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公开(公告)号：CN109285787B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201810786958.6
申请日：2018-07-18
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488
摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法，关于该半导体装置，金属板在树脂封装体的两面露出，提供气泡不易残留于封装体内的制造方法。本说明书公开的制造方法具备准备工序、设置工序、成型工序、去除工序。在准备工序中，准备半导体元件和金属板的组件。在设置工序中，将组件设置于用于使树脂封装体成型的模具的腔体。使一个金属板与腔体的底表面接触而在另一个金属板的上方设置空间地设置组件。在成型工序中，以覆盖金属板的方式将熔融树脂注入到腔体，在腔体的上部残留空间的一部分地停止熔融树脂的注入，并使树脂硬化。在去除工序中，去除覆盖金属板的树脂部分。
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公开(公告)号：CN108573937B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810182489.7
申请日：2018-03-06
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/492 , H01L23/488 , H01L25/18 , H01L23/367
摘要： 本说明书公开一种半导体装置，具备：第一及第二半导体元件，在两个面具备电极；第一及第二金属板，夹着第一半导体元件，通过第一焊料与第一半导体元件的各电极接合；及第三及第四金属板，夹着第二半导体元件，通过第二焊料与第二半导体元件的各电极接合。该半导体装置中，从第一金属板延伸出第一接头并且从第四金属板延伸出第二接头，这些接头由第三焊料接合，第一焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高，且第二焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高。
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公开(公告)号：CN106165202B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580012762.6
申请日：2015-01-19
摘要： 端子连接构造具备：阳端子及具有弹性以从两侧夹住上述阳端子的方式与上述阳端子嵌合的阴端子，上述阳端子包括：母材、覆盖上述母材的第一基底层、覆盖上述第一基底层的第二基底层及覆盖上述第二基底层的最表层，上述第一基底层和上述第二基底层硬度不同。
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公开(公告)号：CN104701306B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410738558.X
申请日：2014-12-05
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L23/047 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在平面上；密封树脂，其对所述半导体元件进行密封；端子，其电连接到所述半导体元件并且包括从所述密封树脂的预定表面突出的部分；以及凹部，当沿与所述平面垂直的方向观察时，所述凹部从所述预定表面朝向所述半导体元件侧凹进。当沿与所述平面垂直的方向观察时，在所述半导体元件侧的所述凹部的边包括R形状。
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公开(公告)号：CN106062950A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580012369.7
申请日：2015-01-15
摘要： 本发明提供一种半导体装置，具有：半导体元件；第一板状部，其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接，并具备从侧面突起的第一接头部，且由导电体构成；第二板状部，其具备从侧面突起的第二接头部，且由导电体构成，所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置，且经由导电性的接合材料而被电连接，在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处，设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。
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公开(公告)号：CN111952270A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010408963.0
申请日：2020-05-14
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/488
摘要： 本发明公开一种半导体装置，包括：半导体元件；密封体，密封半导体元件；以及导体部件，在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于非粗糙化区域的粗糙化区域。并且，非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。
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公开(公告)号：CN106062950B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580012369.7
申请日：2015-01-15
摘要： 本发明提供一种半导体装置，具有：半导体元件；第一板状部，其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接，并具备从侧面突起的第一接头部，且由导电体构成；第二板状部，其具备从侧面突起的第二接头部，且由导电体构成，所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置，且经由导电性的接合材料而被电连接，在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处，设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。
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公开(公告)号：CN105518841B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480048461.4
申请日：2014-08-29
IPC分类号： H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/051 , H01L23/492 , H01L23/495
摘要： 半导体装置包括：对置的第一和第二金属板；多个半导体元件，均介于第一和第二金属板之间；金属块，其介于第一金属板和每个半导体元件之间；焊料构件，其介于第一金属板和金属块之间且将第一金属板连接至金属块；和注塑树脂，其密封半导体元件和金属块。第一金属板的一面，其为金属块经由焊料构件连接至第一金属板的一面的对置侧，暴露于注塑树脂外。第一金属板具有沿着其中设置有焊料构件的区域外周形成的凹槽，凹槽共同围绕焊料构件以防止焊料构件在第一金属板的黏结面上散布。每个半导体元件可以是功率半导体开关元件如IGBT，其在转换电功率时进行开关操作，且每个半导体元件可以是为了在中断对应的一个半导体元件时循环电流所需的回流二极管。
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公开(公告)号：CN105900289A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480072596.4
申请日：2014-12-30
CPC分类号： H01R13/03 , H01R12/716 , H01R13/05 , H01R13/11 , H01R2201/26
摘要： 一种端子连接结构，包括：凸端子(16)；以及凹端子(31))，其上装配有所述凸端子。所述凸端子包括第一金属材料(161)以及形成在所述凸端子的最外表面上以直接或间接地涂覆所述第一金属材料的第一金属膜(163)。所述凹端子包括第二金属材料(311)以及形成在所述凹端子的最外表面上以直接或间接地涂覆所述第二金属材料的第二金属膜(312)。所述第一金属材料的硬度不同于所述第二金属材料的硬度。
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公开(公告)号：CN105556664A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480050991.2
申请日：2014-09-09
CPC分类号： H01L23/3672 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 提供一种能够实现在开关元件的排列方向上的小型化并能够降低浪涌电压、且即使密封树脂体的绝缘性能下降也不易发生短路的半导体装置。在第1开关元件(20)与第2开关元件(30)的排列方向上，第2散热片(52)与第3散热片(54)通过接头部(58)被电连接。另外，第2电源端子(42)在排列方向上配置于第1电源端子(40)与输出端子(44)之间且第2散热片与第3散热片之间的区域。而且，在密封树脂体(66)内，与第1电源端子相同电位的第1电位部和与输出端子相同电位的第3电位部的最短距离、以及与第2电源端子相同电位的第2电位部与第3电位部的最短距离中的至少一个距离比第1电位部与第2电位部的最短距离短。
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