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公开(公告)号：CN118901142A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380028723.X
申请日：2023-03-23
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/203
摘要： 本发明其目的在于，提供一种氧化物半导体膜，能够同时提高薄膜晶体管的载流子迁移率和对于环境温度的稳定性。本发明的一个方式的氧化物半导体膜，是用于薄膜晶体管的氧化物半导体膜，作为金属元素，含有In和Zn、与作为La和Nd中任意一个的元素X，全部金属元素中的上述In、上述Zn和上述X的含量为，In：30atm％以上且90atm％以下，Zn：9atm％以上且70atm％以下，X：0.0001atm％以上且2atm％以下。
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公开(公告)号：CN114761607B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202080084596.1
申请日：2020-12-07
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 本发明获得一种氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶，其场效应迁移率与应力耐受性优异，并且相对于在对氧化物半导体层进行加工时所使用的湿式蚀刻液而具有优异的湿式蚀刻加工性，且相对于在对源极/漏极电极进行图案化时所使用的湿式蚀刻液而氧化物半导体层具有优异的耐湿式蚀刻性。氧化物半导体薄膜包含In、Ga、Zn及Sn、以及O，且相对于In、Ga、Zn及Sn的原子数比的合计，各金属元素的原子数比满足特定条件。
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公开(公告)号：CN113348562A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202080007374.X
申请日：2020-01-16
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/363 , H01L29/24 , H01L29/417
摘要： 本发明提供一种可获得应力耐受性优异的薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层分别包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn、以及O，在第一氧化物半导体层中，满足0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15，在第二氧化物半导体层中，满足0.20≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.15≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.01≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.20。
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公开(公告)号：CN117940737A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061711.2
申请日：2022-08-10
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明的形状测量装置用光学系统包括平行光照射系统和摄像光学系统，其中，所述平行光照射系统包括点光源、准直透镜、以及隔着被测量物体被来自所述准直透镜的光照射的双侧远心构造或物方远心构造的远心镜头，所述摄像光学系统包括图像传感器，由通过所述远心镜头的光产生的所述被测量物体的一部分的影像被投射到该图像传感器，所述点光源包括LED、使来自所述LED的光扩散并射出的扩散部件、以及形成有供来自所述扩散部件的光入射的针孔的针孔部件。
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公开(公告)号：CN113348562B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202080007374.X
申请日：2020-01-16
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/363 , H01L29/24 , H01L29/417
摘要： 本发明涉及氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，分别包含In、Ga、Zn、Sn及O，第一氧化物半导体层满足0.05≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.20≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.20≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.15，第二氧化物半导体层满足0.20≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.15≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.01≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.20。
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公开(公告)号：CN112018168B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010458017.7
申请日：2020-05-26
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/786 , C23C14/34 , C23C14/08
摘要： 本发明的目的在于提供一种制造成本相对低、形成了薄膜晶体管时的载流子迁移率及光应力耐性高的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材。本发明为一种氧化物半导体薄膜，其包含金属元素，其中所述金属元素包含In、Zn、Fe及不可避免的杂质，相对于In、Zn及Fe的合计原子数，In的原子数为58atm％以上且80atm％以下，Zn的原子数为19atm％以上且41atm％以下，Fe的原子数为0.6atm％以上且3atm％以下。
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公开(公告)号：CN118291930A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410397593.3
申请日：2020-01-16
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , H01L29/786
摘要： 本发明涉及氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，分别包含In、Ga、Zn、Sn及O，第一氧化物半导体层满足0.05≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.20≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.20≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.15，第二氧化物半导体层满足0.20≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.15≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.01≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.20。
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公开(公告)号：CN108780817B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201780013390.8
申请日：2017-02-02
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。
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公开(公告)号：CN114761607A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080084596.1
申请日：2020-12-07
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： C23C14/08 , H01L29/786
摘要： 本发明获得一种薄膜晶体管，其场效应迁移率与应力耐受性优异，并且相对于在对氧化物半导体层进行加工时所使用的湿式蚀刻液而具有优异的湿式蚀刻加工性，且相对于在对源极/漏极电极进行图案化时所使用的湿式蚀刻液而氧化物半导体层具有优异的耐湿式蚀刻性。氧化物半导体薄膜包含In、Ga、Zn及Sn、以及O，且相对于In、Ga、Zn及Sn的原子数比的合计，各金属元素的原子数比满足0.070≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.200、0.250≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.600、0.180≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.550、0.030≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.150，并且满足0.10≦Sn/Zn≦0.25及(Sn×In)/Ga≧0.009。
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公开(公告)号：CN112018168A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010458017.7
申请日：2020-05-26
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/786 , C23C14/34 , C23C14/08
摘要： 本发明的目的在于提供一种制造成本相对低、形成了薄膜晶体管时的载流子迁移率及光应力耐性高的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材。本发明为一种氧化物半导体薄膜，其包含金属元素，其中所述金属元素包含In、Zn、Fe及不可避免的杂质，相对于In、Zn及Fe的合计原子数，In的原子数为58atm％以上且80atm％以下，Zn的原子数为19atm％以上且41atm％以下，Fe的原子数为0.6atm％以上且3atm％以下。
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