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公开(公告)号：CN114761607A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080084596.1
申请日：2020-12-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/08 , H01L29/786
Abstract: 本发明获得一种薄膜晶体管，其场效应迁移率与应力耐受性优异，并且相对于在对氧化物半导体层进行加工时所使用的湿式蚀刻液而具有优异的湿式蚀刻加工性，且相对于在对源极/漏极电极进行图案化时所使用的湿式蚀刻液而氧化物半导体层具有优异的耐湿式蚀刻性。氧化物半导体薄膜包含In、Ga、Zn及Sn、以及O，且相对于In、Ga、Zn及Sn的原子数比的合计，各金属元素的原子数比满足0.070≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.200、0.250≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.600、0.180≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.550、0.030≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.150，并且满足0.10≦Sn/Zn≦0.25及(Sn×In)/Ga≧0.009。
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公开(公告)号：CN119836494A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202380066420.7
申请日：2023-09-04
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 端子材料，依次具有：由铜或铜合金形成的母材；由从Ni、Co和Fe所构成的群中选择的任意一种以上构成的1层以上的底层；含银膜，所述含银膜包含：含有50质量%以上的银的银镀层；与所述银镀层接触的等效圆直径为50μm以下的包含非导电性有机化合物的粒子，实施下述微滑动磨损试验时的含银膜侧表面的接触电阻为1mΩ以下。微滑动磨损试验：准备试验对象的所述端子材料和相对于该端子材料的含银膜侧表面形成曲率半径R＝1.8mm的半球状突起的对偶材料，使所述对偶材料的具有所述突起的表面相对于所述试验对象的所述端子材料的含银膜侧表面，以施加的垂直载荷：3N，滑动距离：50μm，滑动速度：100μm/秒而进行的往复滑动作为1个循环，滑动10000个循环。
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公开(公告)号：CN114761607B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202080084596.1
申请日：2020-12-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明获得一种氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶，其场效应迁移率与应力耐受性优异，并且相对于在对氧化物半导体层进行加工时所使用的湿式蚀刻液而具有优异的湿式蚀刻加工性，且相对于在对源极/漏极电极进行图案化时所使用的湿式蚀刻液而氧化物半导体层具有优异的耐湿式蚀刻性。氧化物半导体薄膜包含In、Ga、Zn及Sn、以及O，且相对于In、Ga、Zn及Sn的原子数比的合计，各金属元素的原子数比满足特定条件。
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公开(公告)号：CN119343483A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380048898.7
申请日：2023-06-12
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 一种包含含银膜的触点材料，其中，所述含银膜包含：含有50质量%以上的银的含银层；多个由非导电性有机化合物形成的粒子，各粒子的至少一部分埋没在所述含银层中，所述非导电性有机化合物，在单位分子结构内，包含从氟基（－F）、甲基（－CH3）、羰基（－C（＝O）－）、氨基（－NR1R2，其中，R1和R2是氢或烃基，R1和R2可以相同也可以不同）、羟基（－OH）、醚键（－O－）和酯键（－C（＝O）－O－）所构成的群中选择的任意1种以上，并满足下述式（1）。0.50≤Ap/（Ap＋AAg）×100≤12.10 …（1）。
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