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公开(公告)号：CN118201709A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280073788.1
申请日：2022-09-28
Applicant: 株式会社科特拉
Abstract: 根据本发明，能够提供一种能够抑制高温环境导致的贵金属催化剂的迁移，防止温度性能的降低的技术。本发明所述的制造方法具有准备具有分隔多个腔室的分隔壁16并含有SiC的SiC基材10的基材准备工序，和在SiC基材10的分隔壁16的表面形成至少含有Pd颗粒22的Pd催化剂层20的催化剂层形成工序。而且，在本发明所述制造方法中，在催化剂层形成工序中，通过直接将Pd颗粒22载持于含有Si或SiC的Si构件(例如SiC基材10的分隔壁16)上来形成Pd催化剂层20。这样，通过使Si构件(SiC基材10)与Pd颗粒22预先接触，能够抑制Pd颗粒22在高温环境下的迁移团聚，防止温度性能的降低。
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