镀覆方法及镀覆装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115135618B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202180014927.9

    申请日:2021-10-18

    IPC分类号: C03C17/00 B08B3/04 B08B11/04

    摘要: 本发明的目的之一在于提供抑制基板的种层劣化的技术。本发明的镀覆方法包括:在基板保持架保持基板的工序,在该工序中,在上述基板保持架保持了上述基板的状态下,形成保护向上述基板供电的接点不受镀覆液影响的密封空间,在上述密封空间内利用液体局部覆盖上述基板与上述接点的接触部位;使被上述基板保持架保持的上述基板浸渍在镀覆液中并使其与阳极对置的工序;以及在利用液体覆盖了上述基板与上述接点的接触部位的状态下,向上述基板与上述阳极之间供给电流来对上述基板进行镀覆处理的工序。

    镀覆装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116234945B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202280004538.2

    申请日:2022-02-07

    IPC分类号: C25D17/00 C25D7/12 C25D21/10

    摘要: 在具有遮蔽构件的镀覆装置中,将电阻体配置为接近基板的被镀覆面,由此提高镀覆膜厚的分布的均等性。镀覆装置包括:镀覆槽(410),其构成为收容镀覆液;基板支架(440),其构成为对被镀覆面(Wf‑a)朝向下方的基板(Wf)进行保持;阳极(430),其配置于镀覆槽(410)内;电阻体具有与被镀覆面(Wf‑a)对置的对置面(450‑a),该电阻体的对置面(450‑a)具有第1对置面(450‑a1)和比第1对置面(450‑a1)远离被镀覆面(Wf‑a)的第2对置面(450‑a2);以及遮蔽构件(481),其配置于由第2对置面(450‑a2)形成的电阻体(450)的凹陷区域(β),并用于遮蔽电场。(450),其配置于基板(Wf)与阳极(430)之间,并

    镀覆装置
    4.
    发明公开
    镀覆装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116234945A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202280004538.2

    申请日:2022-02-07

    IPC分类号: C25D17/00 C25D7/12 C25D21/10

    摘要: 在具有遮蔽构件的镀覆装置中,将电阻体配置为接近基板的被镀覆面,由此提高镀覆膜厚的分布的均等性。镀覆装置包括:镀覆槽(410),其构成为收容镀覆液;基板支架(440),其构成为对被镀覆面(Wf‑a)朝向下方的基板(Wf)进行保持;阳极(430),其配置于镀覆槽(410)内;电阻体(450),其配置于基板(Wf)与阳极(430)之间,并具有与被镀覆面(Wf‑a)对置的对置面(450‑a),该电阻体的对置面(450‑a)具有第1对置面(450‑a1)和比第1对置面(450‑a1)远离被镀覆面(Wf‑a)的第2对置面(450‑a2);以及遮蔽构件(481),其配置于由第2对置面(450‑a2)形成的电阻体(450)的凹陷区域(β),并用于遮蔽电场。

    镀覆方法及镀覆装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115135618A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202180014927.9

    申请日:2021-10-18

    IPC分类号: C03C17/00 B08B3/04 B08B11/04

    摘要: 本发明的目的之一在于提供抑制基板的种层劣化的技术。本发明的镀覆方法包括:在基板保持架保持基板的工序,在该工序中,在上述基板保持架保持了上述基板的状态下,形成保护向上述基板供电的接点不受镀覆液影响的密封空间,在上述密封空间内利用液体局部覆盖上述基板与上述接点的接触部位;使被上述基板保持架保持的上述基板浸渍在镀覆液中并使其与阳极对置的工序;以及在利用液体覆盖了上述基板与上述接点的接触部位的状态下,向上述基板与上述阳极之间供给电流来对上述基板进行镀覆处理的工序。