公开(公告)号：CN1465617A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN02129854.8

申请日：2002-08-20

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 铃木淳 ,  池田友彦 ,  高桥敦 ,  清见广和

IPC: C08L23/06 ,  C08K3/04 ,  H01B13/06

CPC classification number: Y02A30/14

Abstract: 对绞合的导体，采用挤出被覆法等往导体导线束之间填充水密性组合物，在该填充的同时，即得到可形成半导电层或内部半导电层的半导电水密组合物。另外，可得到把该半导电水密组合物填充至导体导线束之间，并且被覆在导体上的绝缘电线。在绞合导体(1)上挤出被覆半导电水密组合物，填充在导体(1)导线束之间的空隙，形成水密层(2)，同时，还在导体(1)外周围面上被覆，形成半导电层(3)。半导电水密组合物使用含有：含交联性聚乙烯的基础聚合物100重量份、吸水性聚合物1～20重量份和作为炭黑的乙炔炭黑或炉法炭黑40～80重量份或者作为炭黑的副产炭黑5～50重量份为必须成分的树脂组合物。

公开(公告)号：CN1285664C

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN02129854.8

申请日：2002-08-20

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 铃木淳 ,  池田友彦 ,  高桥敦 ,  清见广和

IPC: C08L23/06 ,  C08K3/04 ,  H01B13/06

CPC classification number: Y02A30/14

Abstract: 对绞合的导体，采用挤出被覆法等往导体导线束之间填充水密性组合物，在该填充的同时，即得到可形成半导电层或内部半导电层的半导电水密组合物。另外，可得到把该半导电水密组合物填充至导体导线束之间，并且被覆在导体上的绝缘电线。在绞合导体(1)上挤出被覆半导电水密组合物，填充在导体(1)导线束之间的空隙，形成水密层(2)，同时，还在导体(1)外周围面上被覆，形成半导电层(3)。半导电水密组合物使用含有：含交联性聚乙烯的基础聚合物100重量份、吸水性聚合物1～20重量份和作为炭黑的乙炔炭黑或炉法炭黑40～80重量份或者作为炭黑的副产炭黑5～50重量份为必须成分的树脂组合物。