公开(公告)号：CN100470769C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200480024004.8

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社藤仓 ,  奥林巴斯株式会社

Inventor： 山本敏 ,  末益龙夫 ,  平船优香 ,  矶川俊彦 ,  盐谷浩一 ,  松本一哉

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体封装体具有：半导体元件，其在半导体基片的一个面设有电路元件；外部布线区，其设于上述半导体基片的另一个面；支撑基片，其配置于上述半导体基片的一个面；电极焊盘，其配置于上述半导体基片的一个面；以及贯通电极，其从上述电极焊盘到达上述半导体基片的另一个面。

公开(公告)号：CN1839473A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200480024004.8

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社藤仓 ,  奥林巴斯株式会社

Inventor： 山本敏 ,  末益龙夫 ,  平船优香 ,  矶川俊彦 ,  盐谷浩一 ,  松本一哉

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体封装体具有：半导体元件，其在半导体基片的一个面设有电路元件；外部布线区，其设于上述半导体基片的另一个面；支撑基片，其配置于上述半导体基片的一个面；电极焊盘，其配置于上述半导体基片的一个面；以及贯通电极，其从上述电极焊盘到达上述半导体基片的另一个面。

公开(公告)号：CN1826432A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480020892.6

申请日：2004-07-07

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 平船优香 ,  末益龙夫

IPC: C23C26/00

CPC classification number: C23C2/34 ,  C23C2/00 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/4038 ,  H05K2203/0285 ,  H05K2203/128 ,  H05K2203/1527

Abstract: 一种金属填充方法，是通过将工件插入熔融金属中而将工件浸渍于熔融金属中，其后将工件从熔融金属中取出，从而在形成于工件上的微细孔中填充金属的金属填充方法，其特征是，在将工件插入熔融金属中时，使工件下面相对于熔融金属液面形成0.5°以上的倾斜地进行，在将工件从熔融金属中取出时，使工件上面相对于熔融金属液面形成0.5°以上而小于85°的倾斜地进行。可以防止在将工件插入熔融金属中时，或将工件从熔融金属中取出时，工件破裂的问题，另外，可以防止在将工件从熔融金属中取出后，金属残留于工件表面的问题。

公开(公告)号：CN1826432B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200480020892.6

申请日：2004-07-07

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 平船优香 ,  末益龙夫

IPC: C23C26/00

CPC classification number: C23C2/34 ,  C23C2/00 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/4038 ,  H05K2203/0285 ,  H05K2203/128 ,  H05K2203/1527

Abstract: 一种金属填充方法，是通过将工件插入熔融金属中而将工件浸渍于熔融金属中，其后将工件从熔融金属中取出，从而在形成于工件上的微细孔中填充金属的金属填充方法，其特征是，在将工件插入熔融金属中时，使工件下面相对于熔融金属液面形成0.5°以上的倾斜地进行，在将工件从熔融金属中取出时，使工件上面相对于熔融金属液面形成0.5°以上而小于85°的倾斜地进行。可以防止在将工件插入熔融金属中时，或将工件从熔融金属中取出时，工件破裂的问题，另外，可以防止在将工件从熔融金属中取出后，金属残留于工件表面的问题。