公开(公告)号：CN105845636B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201610182673.2

申请日：2010-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  林俊成 ,  余振华

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

Abstract: 一种器件包括中介层，中介层包括具有顶面和底面的衬底。多个衬底通孔(TSV)穿过衬底。多个TSV包括具有第一长度和第一水平尺寸的第一TSV，以及具有不同于第一长度的第二长度和不同于第一水平尺寸的第二水平尺寸的第二TSV。互连结构被形成为置于衬底的顶面，并且电连接到所述多个TSV。本发明还提供了一种在用于接合管芯的中介层中的具有不同尺寸的TSV。

公开(公告)号：CN104134643B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201410336766.7

申请日：2014-07-15

Applicant: 珠海越亚封装基板技术股份有限公司

Inventor： 卓尔·赫尔维茨 ,  黄士辅

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H05K3/4007 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H05K1/112 ,  H05K3/0041 ,  H05K3/108 ,  H05K3/26 ,  H05K3/3473 ,  H05K3/4647 ,  H05K2201/09436 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/025 ,  H05K2203/0278 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/0465 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种将芯片连接至具有外层的基板上的方法，所述外层包括嵌入在如焊料掩膜的电介质中的通孔柱，其中通孔柱的端部与所述电介质齐平，该方法包括以下步骤：(o)任选地移除有机涂层；(p)将具有端接焊料凸点的引脚的芯片定位为与通孔柱暴露端接触；和(q)加热并熔融焊料凸点并使焊料润湿通孔端部。

公开(公告)号：CN104205366B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201380018252.0

申请日：2013-03-22

Applicant: 亮锐控股有限公司

Inventor： J.雷 ,  S.施亚夫菲诺 ,  A.H.尼克

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L21/56 ,  H01L33/32 ,  H01L33/52 ,  H01L33/38 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014

Abstract: 根据本发明的实施例的方法包括提供半导体器件晶片。半导体器件晶片包括半导体结构，其包括夹在n型区和p型区之间的发光层。半导体器件晶片还包括用于每一个半导体器件的第一和第二金属接触。每一个第一金属接触与n型区直接接触并且每一个第二金属接触与p型区直接接触。该方法还包括形成密封每一个半导体器件的半导体结构的结构。半导体器件晶片附接到支撑衬底晶片。

公开(公告)号：CN104838486B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201380064057.1

申请日：2013-11-04

Applicant: 德卡技术股份有限公司

Inventor： C.M.斯坎伦 ,  T.L.奥尔森

IPC: H01L21/98

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明描述一种用于制造基于面板的封装结构的自适性图案化方法和系统。提供多个半导体芯片，所述半导体芯片包括布置在每个半导体芯片的所述有源表面上方的铜柱。通过围绕所述多个半导体芯片中的每个布置密封剂来形成嵌入式芯片面板。测量所述嵌入式芯片面板内的每个半导体芯片的真实位置和旋转。形成单元特定图案以便与所述嵌入式芯片面板中的每个半导体芯片的所述真实位置对准。所述单元特定图案作为扇出结构布置在所述半导体芯片上方、所述密封剂上方并且耦合到所述铜柱。扇入再分布层(RDL)可以在每个半导体芯片的所述有源表面上方延伸，以使得在所述扇入RDL上方形成所述铜柱。所述单元特定图案可以直接耦合到所述铜柱。

公开(公告)号：CN105720180B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201610143740.X

申请日：2011-04-11

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 小早川正彦 ,  外山智一郎

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种LED模块，其包括：具备LED芯片(21)的LED单元(2)；和壳体(1)，具有包含陶瓷的主体(11)和用于搭载LED单元(2)的垫(12a)，垫(12a)在俯视时垫外缘(121a)位于LED单元(2)的外缘(2a)的内侧。根据上述结构，能够抑制LED芯片(21)因经年变化而导致的光量降低。

公开(公告)号：CN104300068B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201410344672.4

申请日：2014-07-18

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 中林拓也

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/36 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法，即使是小型且薄型的发光装置，在发光元件向封装的搭载、发光装置向安装基板的安装中，也不会发生元件不良，可稳定且高精度地进行搭载或安装。本发明的发光装置具备：至少在第一主面上具备一对连接端子(3)的基体(4)；通过熔融性部件(6)与连接端子(3)连接的发光元件(5)；覆盖发光元件(5)的光反射性部件(7)，其中，连接端子(3)在第一主面上具备使与发光元件(5)连接的部位从连接端子(3)突出的凸部(3a)，凸部(3a)及熔融性部件(6)被光反射性部件(7)掩埋。

公开(公告)号：CN104885206B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201380066872.1

申请日：2013-12-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 大桥东洋 ,  长友义幸 ,  长瀬敏之 ,  黑光祥郎

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00

CPC classification number: H05K7/02 ,  B23K35/0272 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  B23K2101/42 ,  B32B15/017 ,  C22C13/00 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/488 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105

Abstract: 本发明的功率模块中，在电路层(12)中与半导体元件(3)的接合面，设置有由铜或铜合金构成的铜层，且在电路层(12)与半导体元件(3)之间形成有使用焊锡材料而形成的焊锡层(20)。在焊锡层(20)中的从电路层(12)表面至厚度30μm的区域中，通过EBSD测定而测定的平均结晶粒径被设定为10μm以下，焊锡层(20)的组成为，作为主成分含有Sn，并且含有0.01质量％以上1.0质量％以下的Ni、0.1质量％以上5.0质量％以下的Cu，在功率循环试验中，在通电时间5秒、温度差80℃的条件下负载10万次功率循环时，热阻上升率低于10％。

公开(公告)号：CN103579114B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201310173218.2

申请日：2013-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张贵松 ,  郑钧文 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  朱家骅

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/64 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H05K3/4661 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/80001

Abstract: 本发明提供堆叠的半导体器件的一个实施例。堆叠的半导体器件包括第一衬底；位于第一衬底上方的第一接合焊盘；包括在其上制造的第二电子器件的第二衬底；位于第二衬底上方的第二电子器件的上方的第二接合焊盘，第二接合焊盘与第二电子器件电连接；位于第二接触焊盘的上方并具有顶面的第二绝缘层，第二绝缘层与第一衬底的第一接合焊盘接合；和从与第一接合焊盘相对的表面延伸穿过第一衬底并穿过第二绝缘层的顶面到达第二接合焊盘的衬底通孔(“TSV”)。本发明还提供了集成半导体器件及其晶圆级制造方法。

公开(公告)号：CN103030093B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201210376998.6

申请日：2012-10-08

Applicant: 通用电气公司

Inventor： K.R.纳加卡 ,  C.F.基梅尔

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B3/0081 ,  B81B7/0077 ,  B81B7/0093 ,  H01L21/56 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的名称是：“包括增加的热耗散能力的3D集成电子装置结构”。微电子装置结构包括增加的热耗散能力。该结构包括倒装芯片接合到衬底的三维（3D）集成芯片组件。芯片组件包括装置衬底，其包括放置在其上有源装置。盖层在物理上接合到装置衬底，以至少部分限定有源装置周围的气密密封。微电子装置结构提供通过其的多个热量耗散路径，以耗散在其中生成的热量。

公开(公告)号：CN105492661B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201480031676.5

申请日：2014-06-04

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： A·福伊特 ,  M·克洛斯 ,  W·章-贝格林格尔 ,  J·沃尔特英克 ,  Y·秦 ,  J·D·普朗格 ,  P·O·洛佩兹 ,  蒙特西诺斯

IPC: C25D7/12 ,  C25D3/60 ,  C25D3/64 ,  C25D5/50

CPC classification number: C25D3/60 ,  C25D3/64 ,  C25D5/505 ,  C25D7/123 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 银和锡合金电镀浴包括允许电镀富银或富锡合金的络合剂。所述银和锡合金电镀浴实质上不含铅。其可用于在诸如电连接器的电子组件、金属衬底的修整层、装饰应用和焊料凸点的制造中电镀银和锡合金。