公开(公告)号：CN115881526A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210961012.5

申请日：2022-08-11

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 赵金艳 ,  李怡慧

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/78

Abstract: 提供被加工物的加工方法，其是用于在晶片具有翘曲的情况下消除翘曲并且在厚度方向的不同位置形成多个改质层的新技术。具有翘曲的被加工物的加工方法包含如下的步骤：翘曲消除步骤，在将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于被加工物的厚度方向上的规定的第一位置的状态下，针对所有的分割预定线实施沿着分割预定线照射激光束而形成沿着分割预定线的改质层和从该改质层至被加工物的下表面的裂纹的动作，消除被加工物的翘曲；以及改质层形成步骤，在实施了翘曲消除步骤之后，在将激光束的聚光点从被加工物的下表面定位于比第一位置靠上方的被加工物内部的状态下，沿着分割预定线对被加工物照射激光束，形成沿着分割预定线的改质层。

公开(公告)号：CN105514036B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201510640532.6

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 山下阳平 ,  古田健次 ,  李怡慧

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/53

Abstract: 本发明提供一种晶片的加工方法，包括：晶片支撑工序，在晶片的背面贴附切割带的正面并通过环状框架支撑切割带的外周部；晶片保持工序，在保持台的保持面上保持晶片的正面侧，并且通过框架夹钳固定环状框架；环状改质层形成工序，从切割带的背面侧透过切割带，将激光光线的聚光点定位于器件区域与外周剩余区域之间的边界部的内部并沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部照射激光光线，在晶片的内部沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部形成环状的改质层的环状改质层形成工序；以及改质层形成工序，从切割带的背面侧透过切割带将激光光线的聚光点定位于晶片的内部并沿着分割预定线照射激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。

公开(公告)号：CN105679709B

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201510882928.1

申请日：2015-12-04

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 山下阳平 ,  古田健次 ,  李怡慧

IPC: H01L21/78

Abstract: 提供晶片的加工方法，将在背面装配了加固用绝缘密封件的晶片高效地分割成各个器件。晶片的加工方法将在正面的多个区域中形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，包含：背面磨削工序，在晶片的正面粘贴保护带并对晶片的背面进行磨削而形成为规定厚度；加固用绝缘密封件装配工序，剥离保护带并且在晶片的背面装配能够透过红外线的加固用绝缘密封件；加固用绝缘密封件硬化工序，对加固用绝缘密封件进行加热使其硬化。还包含：改质层形成工序，沿着分割预定线照射激光光线而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；晶片分割工序，对晶片施加外力而沿着形成有改质层的分割预定线将在背面装配有加固用绝缘密封件的晶片分割成各个器件芯片。

公开(公告)号：CN105679709A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510882928.1

申请日：2015-12-04

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 山下阳平 ,  古田健次 ,  李怡慧

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供晶片的加工方法，将在背面装配了加固用绝缘密封件的晶片高效地分割成各个器件。晶片的加工方法将在正面的多个区域中形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，包含：背面磨削工序，在晶片的正面粘贴保护带并对晶片的背面进行磨削而形成为规定厚度；加固用绝缘密封件装配工序，剥离保护带并且在晶片的背面装配能够透过红外线的加固用绝缘密封件；加固用绝缘密封件硬化工序，对加固用绝缘密封件进行加热使其硬化。还包含：改质层形成工序，沿着分割预定线照射激光光线而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；晶片分割工序，对晶片施加外力而沿着形成有改质层的分割预定线将在背面装配有加固用绝缘密封件的晶片分割成各个器件芯片。

公开(公告)号：CN105514036A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510640532.6

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 山下阳平 ,  古田健次 ,  李怡慧

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/53

Abstract: 本发明提供一种晶片的加工方法，包括：晶片支撑工序，在晶片的背面贴附切割带的正面并通过环状框架支撑切割带的外周部；晶片保持工序，在保持台的保持面上保持晶片的正面侧，并且通过框架夹钳固定环状框架；环状改质层形成工序，从切割带的背面侧透过切割带，将激光光线的聚光点定位于器件区域与外周剩余区域之间的边界部的内部并沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部照射激光光线，在晶片的内部沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部形成环状的改质层的环状改质层形成工序；以及改质层形成工序，从切割带的背面侧透过切割带将激光光线的聚光点定位于晶片的内部并沿着分割预定线照射激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。