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公开(公告)号：CN101407907A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810179329.3
申请日：2008-11-28
Applicant: 株洲冶炼集团股份有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明涉及一种用于热等静压法制备靶材的包套，包括中空的方柱形包套主体和用于封闭该包套主体的两个密封体，其特征在于：在主体的至少一个侧棱边设有皱边。该皱边数目至少为1个，优选为2个，更优选为4个。其中，该主体是由一块或多块板材经过弯折而后将两端焊接而形成。本发明还涉及采用该包套生产靶材的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103266235A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310201598.6
申请日：2013-05-27
Applicant: 株洲冶炼集团股份有限公司 , 中南大学 , 湖南有色金属控股集团有限公司
IPC: C22C1/05
Abstract: 本发明公开了在高压强条件下铝硅粉末的固相合金化方法，应用的铝硅合金范围是铝的含量在10%～80%，其余含量均为硅。选取适当的铝粉和硅粉的粒度配比，将配好的铝粉和硅粉在三维方向上旋转球磨混合，然后放置在真空加热炉中活化处理，再放入碳钢钢套中在高压下低于熔点温度烧结，控制烧结时间，在铝和硅没有熔化的条件下，依靠扩散实现合金化。本发明是一种工艺流程短，成本低，可获得高质量硅铝合金的在高压强条件下铝硅粉末的固相合金化方法，制备的硅铝合金可以在电子器件材料或者功能性镀膜材料中获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN101407904B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810179368.3
申请日：2008-12-02
Applicant: 株洲冶炼集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及到采用热等静压法进行ITO靶材的方法，其特征在于，所使用的ITO粉料经过不低于1000℃温度的煅烧，并且在热等静压处理过程中使用石墨纸作为隔离材料，避免靶材与包套反应，方便剥离，提高靶材成材率，适合于工业化生产。压制出的靶材相对密度可达到99％以上。
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公开(公告)号：CN103266235B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201310201598.6
申请日：2013-05-27
Applicant: 株洲冶炼集团股份有限公司 , 中南大学 , 湖南有色金属控股集团有限公司
IPC: C22C1/05
Abstract: 本发明公开了在高压强条件下铝硅粉末的固相合金化方法，应用的铝硅合金范围是铝的含量在10%～80%，其余含量均为硅。选取适当的铝粉和硅粉的粒度配比，将配好的铝粉和硅粉在三维方向上旋转球磨混合，然后放置在真空加热炉中活化处理，再放入碳钢钢套中在高压下低于熔点温度烧结，控制烧结时间，在铝和硅没有熔化的条件下，依靠扩散实现合金化。本发明是一种工艺流程短，成本低，可获得高质量硅铝合金的在高压强条件下铝硅粉末的固相合金化方法，制备的硅铝合金可以在电子器件材料或者功能性镀膜材料中获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN101407907B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810179329.3
申请日：2008-11-28
Applicant: 株洲冶炼集团股份有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明涉及一种用于热等静压法制备靶材的包套，包括中空的方柱形包套主体和用于封闭该包套主体的两个密封体，其特征在于：在主体的至少一个侧棱边设有皱边。该皱边数目至少为1个，优选为2个，更优选为4个。其中，该主体是由一块或多块板材经过弯折而后将两端焊接而形成。本发明还涉及采用该包套生产靶材的方法。
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公开(公告)号：CN101407904A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810179368.3
申请日：2008-12-02
Applicant: 株洲冶炼集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及到采用热等静压法进行ITO靶材的方法，其特征在于，所使用的ITO粉料经过不低于1000℃温度的煅烧，并且在热等静压处理过程中使用石墨纸作为隔离材料，避免靶材与包套反应，方便剥离，提高靶材成材率，适合于工业化生产。压制出的靶材相对密度可达到99％以上。
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