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公开(公告)号：CN106935459B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201511028051.6
申请日：2015-12-31
申请人： 核工业西南物理研究院 , 北京利方达真空技术有限责任公司
IPC分类号： H01J27/02
摘要： 本发明属于一种高功率强流离子源及中性束注入加热技术领域，具体涉及一种长脉冲高功率离子源电极栅冷却水路及真空密封结构，包括由多层水冷电极栅及其支撑法兰平行组装而成，每层水冷电极板由两块结构相同的水冷电极栅搭接组成，以及布置在支撑法兰内部和水冷电极栅内部的冷却水路，这种水路结构不仅可以瞬时冷却电极，确保电极栅板之间电场分布的均匀一致性，还省略了连接电极与法兰的水管，省略了水管与电极的连接结构，节省了空间，降低了法兰及其整个真空腔体包括绝缘腔的大小，降低了加工成本，尤其适用于结构紧凑型离子源第一电极水路结构。
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公开(公告)号：CN117806017A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311718318.9
申请日：2023-12-14
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明公开了一种用于光增强的四腔镜大光斑光阱，涉及光阱领域，该光阱包括：平面入射镜、第一球面反射镜、第二球面反射镜和球面入射镜，其中：所述平面入射镜和所述第一球面反射镜用于形成第一光路，所述第一球面反射镜和所述第二球面反射镜用于形成第二光路，所述第二球面反射镜和所述球面入射镜用于形成第三光路，所述第一光路与所述第二光路垂直，所述第二光路与所述第三光路垂直；所述平面入射镜和所述球面入射镜均镀有高反射膜，所述第一球面反射镜和所述第二球面反射镜均镀有全反射膜，实现在米量级的空间内实现有效直径≥20mm的大光斑，以及大于4MW/cm2量级的高光功率密度的光场。
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公开(公告)号：CN106935458A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511026449.6
申请日：2015-12-31
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： H01J27/02
CPC分类号： H01J27/02 , H01J27/022
摘要： 本发明属于一种高功率离子源技术领域，具体涉及一种高功率强流离子源四电极支撑座组件；该组件主要包括四个大尺寸电极法兰，三个带有数条细缝结构的电极支架，三个PEEK绝缘腔。每两个法兰之间有一个绝缘腔，法兰通过O型氟橡胶密封圈与绝缘腔配合构成两端开口的真空密封绝缘腔。该电极栅支撑座组件采用了将四层电极法兰、绝缘腔以及支撑架通过密封圈密封组装之后，再次对四层支撑面进行平行度修正的方法，可以使每层电极支撑面之间的平行度达到0.04mm以内，有效降低了多个工件装配公差，降低了电极间场强的非均匀性；增大了电极系统的抽口面积，降低了电极栅层与层之间的真空度，降低高功率离子源引出期间的电击穿概率。
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公开(公告)号：CN106935458B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201511026449.6
申请日：2015-12-31
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： H01J27/02
摘要： 本发明属于一种高功率离子源技术领域，具体涉及一种高功率强流离子源四电极支撑座组件；该组件主要包括四个大尺寸电极法兰，三个带有数条细缝结构的电极支架，三个PEEK绝缘腔。每两个法兰之间有一个绝缘腔，法兰通过O型氟橡胶密封圈与绝缘腔配合构成两端开口的真空密封绝缘腔。该电极栅支撑座组件采用了将四层电极法兰、绝缘腔以及支撑架通过密封圈密封组装之后，再次对四层支撑面进行平行度修正的方法，可以使每层电极支撑面之间的平行度达到0.04mm以内，有效降低了多个工件装配公差，降低了电极间场强的非均匀性；增大了电极系统的抽口面积，降低了电极栅层与层之间的真空度，降低高功率离子源引出期间的电击穿概率。
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公开(公告)号：CN106935459A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511028051.6
申请日：2015-12-31
申请人： 核工业西南物理研究院 , 北京利方达真空技术有限责任公司
IPC分类号： H01J27/02
CPC分类号： H01J27/022
摘要： 本发明属于一种高功率强流离子源及中性束注入加热技术领域，具体涉及一种长脉冲高功率离子源电极栅冷却水路及真空密封结构，包括由多层水冷电极栅及其支撑法兰平行组装而成，每层水冷电极板由两块结构相同的水冷电极栅搭接组成，以及布置在支撑法兰内部和水冷电极栅内部的冷却水路，这种水路结构不仅可以瞬时冷却电极，确保电极栅板之间电场分布的均匀一致性，还省略了连接电极与法兰的水管，省略了水管与电极的连接结构，节省了空间，降低了法兰及其整个真空腔体包括绝缘腔的大小，降低了加工成本，尤其适用于结构紧凑型离子源第一电极水路结构。
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公开(公告)号：CN206422037U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201521137446.5
申请日：2015-12-31
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： H01J27/02
摘要： 本实用新型属于一种高功率离子源技术领域，具体涉及一种高功率强流离子源四电极支撑座组件；该组件主要包括四个大尺寸电极法兰，三个带有数条细缝结构的电极支架，三个PEEK绝缘腔。每两个法兰之间有一个绝缘腔，法兰通过O型氟橡胶密封圈与绝缘腔配合构成两端开口的真空密封绝缘腔。该电极栅支撑座组件采用了将四层电极法兰、绝缘腔以及支撑架通过密封圈密封组装之后，再次对四层支撑面进行平行度修正的方法，可以使每层电极支撑面之间的平行度达到0.04mm以内，有效降低了多个工件装配公差，降低了电极间场强的非均匀性；增大了电极系统的抽口面积，降低了电极栅层与层之间的真空度，降低高功率离子源引出期间的电击穿概率。
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公开(公告)号：CN205452229U
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201521129865.4
申请日：2015-12-30
申请人： 核工业西南物理研究院 , 北京利方达真空技术有限公司
IPC分类号： H01J27/02
摘要： 本实用新型属于一种高功率强流离子源及中性束注入加热技术领域，具体涉及一种长脉冲高功率离子源电极栅冷却水路及真空密封结构，包括由多层水冷电极栅及其支撑法兰平行组装而成，每层水冷电极板由两块结构相同的水冷电极栅搭接组成，以及布置在支撑法兰内部和水冷电极栅内部的冷却水路，这种水路结构不仅可以瞬时冷却电极，确保电极栅板之间电场分布的均匀一致性，还省略了连接电极与法兰的水管，省略了水管与电极的连接结构，节省了空间，降低了法兰及其整个真空腔体包括绝缘腔的大小，降低了加工成本，尤其适用于结构紧凑型离子源第一电极水路结构。
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