公开(公告)号：CN105152689A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510346890.6

申请日：2015-06-23

申请人： 核工业西南物理研究院 ,  武汉光谷创元电子有限公司

发明人： 祝土富 ,  但敏 ,  金凡亚 ,  沈丽如 ,  童洪辉 ,  谢新林 ,  高明智 ,  杨念群

IPC分类号： C04B41/90

摘要： 本发明公开了一种陶瓷基覆铜板的制造方法，所述方法包括：陶瓷基板清洗、离子束清洗活化、金属离子注入、真空镀膜、电镀增厚铜膜，真空镀膜根据产品的要求，可采用两种膜系：①金属沉积层/铜沉积层；②金属氧化物沉积层/金属沉积层/铜沉积层。本发明的生产效率高、质量稳定、成本低，制造的陶瓷基覆铜板具有孔隙率低、热导率高、剥离强度高、稳定性好等特点。

公开(公告)号：CN102717554B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210228020.5

申请日：2012-07-02

申请人： 武汉光谷创元电子有限公司

发明人： 谢新林 ,  杨念群

IPC分类号： B32B15/04 ,  C23C14/12 ,  C23C14/34

摘要： 本发明涉及一种两层型挠性覆铜板，其包括有机高分子薄膜以及覆盖在该机高分子薄膜上的铜层，其特征在于，所述铜层与所述有机高分子薄膜之间的剥离强度高于0.6N/mm，并且所述两层型挠性覆铜板的制备方法包括通过离子束溅射对有机高分子聚合物薄膜进行镀覆金属的步骤；其中，所述离子束溅射的参数包括：离子束与被轰击的金属靶板平面法线之间的夹角为20-70°，所述溅射离子源与所述金属靶板的被轰击的位置之间的距离为20-40厘米；所述金属靶板上被离子束轰击的位置与所述有机高分子聚合物薄膜接收被轰击出的金属原子处之间的距离为10-30厘米。本发明提供的两层型挠性覆铜板的铜层与有机高分子薄膜之间的剥离强度高，而且厚度比较薄，比18微米薄。