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公开(公告)号:CN105152689A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201510346890.6
申请日:2015-06-23
申请人: 核工业西南物理研究院 , 武汉光谷创元电子有限公司
IPC分类号: C04B41/90
摘要: 本发明公开了一种陶瓷基覆铜板的制造方法,所述方法包括:陶瓷基板清洗、离子束清洗活化、金属离子注入、真空镀膜、电镀增厚铜膜,真空镀膜根据产品的要求,可采用两种膜系:①金属沉积层/铜沉积层;②金属氧化物沉积层/金属沉积层/铜沉积层。本发明的生产效率高、质量稳定、成本低,制造的陶瓷基覆铜板具有孔隙率低、热导率高、剥离强度高、稳定性好等特点。
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公开(公告)号:CN102717554B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201210228020.5
申请日:2012-07-02
申请人: 武汉光谷创元电子有限公司
摘要: 本发明涉及一种两层型挠性覆铜板,其包括有机高分子薄膜以及覆盖在该机高分子薄膜上的铜层,其特征在于,所述铜层与所述有机高分子薄膜之间的剥离强度高于0.6N/mm,并且所述两层型挠性覆铜板的制备方法包括通过离子束溅射对有机高分子聚合物薄膜进行镀覆金属的步骤;其中,所述离子束溅射的参数包括:离子束与被轰击的金属靶板平面法线之间的夹角为20-70°,所述溅射离子源与所述金属靶板的被轰击的位置之间的距离为20-40厘米;所述金属靶板上被离子束轰击的位置与所述有机高分子聚合物薄膜接收被轰击出的金属原子处之间的距离为10-30厘米。本发明提供的两层型挠性覆铜板的铜层与有机高分子薄膜之间的剥离强度高,而且厚度比较薄,比18微米薄。
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公开(公告)号:CN114567967A
公开(公告)日:2022-05-31
申请号:CN202011355444.9
申请日:2020-11-27
申请人: 核工业西南物理研究院
摘要: 本发明属于表面科学与工程技术领域,具体涉及一种高导热绝缘导热层的制备方法。本发明具体包括如下步骤:步骤1、在基板上制备氧化铝绝缘层;步骤2、氧化铝绝缘层导热性和绝缘性强化;步骤3、电镀种子层制备;步骤4、电镀增厚制备导电金属铜层。本发明方法工序简单、绿色环保,通过本方法制备的绝缘导热层同金属基板间的结合力高,绝缘导热性能好,且绝缘导热性能稳定可靠,本方法制备的绝缘导热层中,氧化铝和碳基涂层复合结构对环氧树脂系胶黏剂和绝缘导热颗粒混合层的替代,提升了铝基覆铜板的整体抗弯折性能,并具有良好的机械加工性能。
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