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公开(公告)号：CN115497965A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110670617.4
申请日：2021-06-17
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制备方法、以及图像传感器相邻像素间的串扰、光晕的检测方法，图像传感器包括：由像素单元组成的像素阵列，所述像素阵列包括用于感光的感光像素区域和用于校准的黑像素区域；在所述感光像素区域和\或黑像素区域表面，覆盖有不连续的遮光层，以阻挡光线射入，其中，被所述遮光层覆盖的像素单元为遮光像素单元，未被所述遮光层覆盖的像素单元为非遮光像素单元。通过将黑像素区域的遮光层设计为不连续的，可以缓解应力、工艺损伤等，减少黑像素区域和感光像素区域的性能差异，实现更好的黑电平校准；通过不连续遮光层的设计，可以实现单色像素以及未完成颜料工艺的像素间的光晕、串扰测试。
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公开(公告)号：CN112216708A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910629736.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器芯片的形成方法，其特征在于，于晶圆厂形成图像传感器芯片的器件结构；于晶圆厂采用无机材质直接形成微透镜结构；完成图像传感器芯片的封装。
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公开(公告)号：CN119521786A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311051293.1
申请日：2023-08-18
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
Abstract: 一种静电保护器件及其形成方法、集成电路芯片及其形成方法，其中静电保护器件的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成导电接触结构，形成所述导电接触结构包括：形成离子注入区；在所述离子注入区上形成扩散层；在所述扩散层上形成若干接触孔；在所述接触孔内形成导电物质，所述导电物质与所述扩散层导电接触；在所述离子注入区内形成一个或多个凹槽，以提高静电保护性能。通过一个或多个所述凹槽能够增大所述扩散层与所述导电物质之间的接触面积，减小所述导电物质与所述扩散层之间的接触电阻，进而提高静电保护性能，而且不会额外增加器件面积。
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公开(公告)号：CN118299385A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310001193.1
申请日：2023-01-03
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及形成方法，通过于衬底内依次形成第一隔离沟槽及位于所述第一隔离沟槽一侧的感光阵列，于第一外延层内形成位于像素区及外围电路区之间的所述第一隔离沟槽，使得所述第一隔离沟槽所产生的应力于所述感光阵列形成之前被释放掉，避免应力对所述感光阵列造成影响。所述第一隔离沟槽可以绕所述像素区设置，对来自外围电路区的光进行反射以隔挡非成像光进入像素区，从而能有效避免像素阵列外围的光对像素阵列的影响，提高图像传感器的性能。
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公开(公告)号：CN117894808A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202211220328.5
申请日：2022-10-08
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器及其形成方法，该方法通过调整黑色像素区的像素结构，从而使黑色像素区产生的黑电平信号减小，以匹配有源像素区对应的黑电平信号。本发明的技术方案，通过减小黑色像素区的感光单元的面积、减小或去掉黑色像素区的沟槽隔离结构、增大黑色像素区的衬底正面的离子掺杂区的面积等，使黑色像素区产生的黑电平信号减小，以匹配有源像素区对应的黑电平信号，从而提高了图像传感器的成像性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114121071A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010861590.2
申请日：2020-08-25
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
IPC: G11C11/36 , G11C11/40 , H01L27/11521
Abstract: 本发明提供一种多位半导体存储单元、存储阵列及其操作方法，其中，所述多位半导体存储单元，包括：钉扎二极管、控制晶体管和浮置扩散区，利用所述钉扎二极管进行电荷的存储；其中，所述钉扎二极管由：光电二极管的N阱区和P型表面掺杂区组成，或由光电二极管的P阱区和N型表面掺杂区组成。本发明中采用光电二极管的N阱区或光电二极管的P阱区作为存储电荷单元。在本发明所提供的技术多位半导体存储单元中，存储单元可存储的电荷量由掺杂剂量决定，因此存储量可控。
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公开(公告)号：CN119698093A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411068695.7
申请日：2020-06-05
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制作方法，所述图像传感器包括至少一像素单元，所述图像传感器包括光电二极管、传输晶体管、行选择晶体管、复位晶体管、源跟随信号晶体管中的至少一种；所述像素单元中利用多晶硅栅极结构和位于所述多晶硅栅极结构两侧的介质层侧壁形成电学隔离区域，所述电学隔离区域包括：光电二极管与高浓度源漏掺杂区之间，和/或高浓度源漏掺杂区域与衬底接触之间，和/或高浓度源漏掺杂区之间。本发明提供的技术方案可以同时消除浅沟槽隔离的界面缺陷问题，满足反型掺杂隔离的面积需求。
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公开(公告)号：CN113555376B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202010330625.X
申请日：2020-04-24
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种图像传感器的像素结构，通过设置位于浮置扩散区与传输晶体管之间的多晶硅结构，增加了浮置扩散区与传输晶体管的间距，减少了浮置扩散区和传输晶体管之间重叠区的面积，减小了栅诱导漏极泄漏电流效应，保证器件性能，通过多晶硅结构包围浮置扩散区，以实现浮置扩散区注入工艺与接触孔刻蚀工艺的自对准，减少了由于接触孔刻蚀位置的偏移而导致的暗电流或白点的产生，此外由于增加的多晶硅结构占据了原有浮置扩散区的部分位置，减小了浮置扩散区的面积，降低了浮置扩散区的电容，提高了浮置扩散区的转化增益能力，保证了输出电压信号范围，改善了图像传感器的整体性能。
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公开(公告)号：CN113764444B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202010506725.3
申请日：2020-06-05
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制作方法，其中，所述图像传感器包括至少一像素单元，所述像素单元中利用多晶硅栅极结构和位于所述多晶硅栅极结构两侧的介质层侧壁形成电学隔离区域，所述电学隔离区域包括：光电二极管与高浓度源漏掺杂区之间，或者高浓度源漏掺杂区域与衬底接触之间，或者高浓度源漏掺杂区之间。本发明提供的技术方案可以同时消除浅沟槽隔离的界面缺陷问题，满足反型掺杂隔离的面积需求。
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公开(公告)号：CN118263262A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211682009.6
申请日：2022-12-27
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例公开了一种背照式图像传感器及其形成方法，该方法包括：提供衬底，其包括有源像素区和相位检测自动对焦像素区；调整所述有源像素区和所述相位检测自动对焦像素区之间的第一沟槽隔离结构，使所述相位检测自动对焦像素区周围的有源像素响应的电信号减小，以匹配其余有源像素产生的电信号，从而提高了背照式图像传感器的成像质量。
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