-
公开(公告)号：CN118782620A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211601057.8
申请日：2023-04-04
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种背照式图像传感器及用于减少其暗电流和/或白点的方法，通过减少单位面积内P型掺杂通孔的数量，以改善白点和/或暗电流。通过分别调整显示像素区与遮黑像素区的P型掺杂通孔的分布密度，以达到分别调节显示像素区及遮黑像素区的暗电流的目的，减小显示像素区与遮黑像素区的黑电平差异，进而改善黑电平校正效果。
-
公开(公告)号：CN118738068A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310854439.X
申请日：2023-07-12
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/766
摘要： 本发明提供一种背照式图像传感器，包括：衬底，其正面设有图像信号的输入端及输出端，背面设有信号线相连所述输入端及所述输出端以传输所述图像信号。本发明在信号发送端将高速信号传输至芯片背面，利用设置在芯片背面的金属线实现信号传输，再将信号传输至芯片正面的信号接收端，减少高速信号线对芯片正面其它敏感电路模块的干扰，提升传感器性能。高速信号可以采用低摆幅传输，降低信号传输的功耗；高速信号采用差分传输，降低信号之间串扰的影响。此外，在布线资源受限的情况下，在信号发送端将信号进行串化，本方案可大幅节省传输高速信号时的正面布线资源，提高信号传输效率，降低芯片布局的难度。
-
公开(公告)号：CN118738066A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310333453.5
申请日：2023-03-31
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/02
摘要： 本发明提供一种图像传感器的形成方法，包括：根据第一掩膜层刻蚀形成第一像素单元的垂直传输晶体管栅极，所述垂直传输晶体管栅极的至少部分区域覆盖于所述第一像素单元周围的隔离区域，以降低所述第一像素单元的尺寸。本发明通过上述方案，提出了一种新的图像传感器的形成方法，通过将垂直传输晶体管栅极图案或有源区图案扩展到深沟槽隔离区域，根据本发明所提供的小尺寸像素图像传感器制备的工艺流程，就可以通过自对准限制制作出小于光刻分辨率所允许的小面积垂直传输晶体管栅极以及有源区，降低工艺制造成本。同时，在垂直传输晶体管栅极或有源区的沟槽刻蚀过程中，可以借助深沟槽隔离实现自对准，降低不同像素单元之间的工艺套刻偏差。
-
公开(公告)号：CN118736996A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310323973.8
申请日：2023-03-29
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
发明人： 杨钢剑
摘要： 本发明公开了一种用于显示图像驱动的检测装置及方法、芯片，该装置用于显示图像驱动电路的检测装置，所述显示图像驱动电路包括多个串行移位寄存器，与各串行移位寄存器一一对应的采样锁存器；所述串行移位寄存器，用于根据列扫描信号生成对应的采样锁存器的时钟信号；所述采样锁存器，用于根据所述时钟信号对列扫描数据进行采样；该装置包括：检测单元，用于从所述移位寄存器获取第一检测信息，根据所述第一检测信息确定所述驱动电路是否异常。利用本发明方案，可以实时检测显示图像驱动电路是否异常，更好地保障显示图像驱动电路的正常工作。
-
公开(公告)号：CN118678878A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410734816.0
申请日：2024-06-06
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
发明人： 彭圆
摘要： 本发明提供一种MOM电容、电荷泵电路及其制备方法。所述MOM电容包括至少一层网状的电极层，所述电极层包括若干电极单元，所述电极单元包括：第一子电极，所述第一子电极具有若干插指；第二子电极，所述第二子电极与所述第一子电极电位互异，且也具有若干插指；其中，所述第一子电极的若干插指和第二子电极的若干插指在多个方向上交叉排布。本发明可以提高单位芯片面积上的MOM电容的电容值，解决现有的MOM电容面积大、浪费电极材料、工艺难度高的问题。
-
公开(公告)号：CN118631986A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410790703.2
申请日：2024-06-18
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种具有异常检测电路的图像传感器及其异常检测方法。所述图像传感器的异常检测方法，包括：通过异常检测电路依据图像传感器的图像获取像素阵列的不同像素行地址分别匹配不同的位置电压；所述异常检测电路包括量化所述位置电压的模块，通过量化不同地址行的所述位置电压获得一组量化结果，判断所述一组量化结果是否符合一预设规律，若符合，则判定所述图像传感器正常；若不符合，则判定所述图像传感器异常。本发明用于在图像传感器读出的过程中实时监测Row地址是否异常。
-
公开(公告)号：CN118588713A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202310201158.4
申请日：2023-03-03
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种图像传感器形成方法，包括：在栅极形成之前，根据预设的硬掩模层，刻蚀半导体衬底形成阵列排布的半导体岛状结构，至少部分所述半导体岛状结构通过连接结构与相邻的所述半导体岛状结构连接，所述半导体岛状结构之间形成互相连通的第一沟槽；在所述互相连通的第一沟槽内形成栅极介质层，以减少所述半导体岛状结构的光学串扰。本发明通过以上方案，能够形成侧向PN结结构的高电容光电二极管，提升满阱容量，避免光电二极管之间的电学串扰和光学串扰，有效地抑制界面缺陷带来的暗电流；本方案还能够自由在光电二极管相连的地方同步形成高性能的立体功能晶体管，从而提高光电二极管电信号的输出到模拟电路增益，能够降低电路的噪声。
-
公开(公告)号：CN118571892A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410865057.1
申请日：2024-06-28
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种具有红外增强功能的前照式图像传感器的制造方法和前照式图像传感器，包括提供衬底以及根据光刻图形，刻蚀衬底同步形成第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽用于形成红外增强结构，第二沟槽用于形成垂直转移栅极。本发明的前照式图像传感器的制造方法和前照式图像传感器，根据光刻图形在一个步骤中同时刻蚀出用于红外增强结构的第一沟槽和用于形成垂直转移栅极的第二沟槽，在一个步骤中即完成第一沟槽和第二沟槽的刻蚀，无需像现有的方案分两步分别刻蚀第一沟槽和第二沟槽，简化了生产流程，提高了生产效率。
-
公开(公告)号：CN118534238A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410816992.9
申请日：2024-06-21
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G01R31/00 , G01R1/02 , G01R1/28 , G05B19/042
摘要： 本发明公开了一种静电测试半自动化装置、控制方法及组装方法，所述静电测试半自动化装置包括持枪部，其用于夹持任意手持静电枪。舵机，其设置在所述持枪部上。控制器，其用于根据预设的测试条件，向所述舵机发送控制信号。所述舵机根据所述控制信号控制所述静电枪的启闭。本发明能够在降低成本且无需手持的情况下，实现自动开启静电枪，缩短测试周期，提高测试效率。
-
公开(公告)号：CN113395468B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010165452.0
申请日：2020-03-11
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种图像传感器信号的采样与放大方法，在采样和放大信号前，将放大器电路的输出节点或内部节点或输出采样电容的至少一处电压进行预设，实现信号的采样、放大，并进一步通过缓冲器隔离放大器电路内部的高阻节点与输出采样电容，从而缩短稳定时间，提高稳定性能，通过采用沟槽电容作为放大器电路的输入采样电容、输出采样电容和反馈电容，在有限的芯片面积中实现较高的增益和较低的噪声，改善图像传感器的整体性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
1281 条记录 (耗时 0.064 秒)
