公开(公告)号：CN106373976B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201610569585.8

申请日：2016-07-19

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： S·拜尔 ,  J·霍恩切尔 ,  A·埃贝尔曼恩

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L27/14

摘要： 本发明涉及一种裸片‑裸片堆迭。一种半导体裸片，其设有：光发射器，经配置成传输光信号至另一个裸片；以及光接收器，经配置成接收来自另一裸片的光信号。另外，提供一种形成半导体装置的方法，包括形成第一半导体裸片的步骤有：提供半导体衬底、形成一个晶体管装置至少部分地位于半导体衬底上方、形成一个光接收器至少部分地位于半导体衬底上方及至少部分地位于其内其中一者、形成一金属化层位于晶体管装置上方、以及形成一个光发射器至少部分地位于金属化层上方及至少部分地位于金属化层内其中一者。

公开(公告)号：CN106373976A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610569585.8

申请日：2016-07-19

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： S·拜尔 ,  J·霍恩切尔 ,  A·埃贝尔曼恩

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L27/14

摘要： 本发明涉及一种裸片-裸片堆迭。一种半导体裸片，其设有：光发射器，经配置成传输光信号至另一个裸片；以及光接收器，经配置成接收来自另一裸片的光信号。另外，提供一种形成半导体装置的方法，包括形成第一半导体裸片的步骤有：提供半导体衬底、形成一个晶体管装置至少部分地位于半导体衬底上方、形成一个光接收器至少部分地位于半导体衬底上方及至少部分地位于其内其中一者、形成一金属化层位于晶体管装置上方、以及形成一个光发射器至少部分地位于金属化层上方及至少部分地位于金属化层内其中一者。