公开(公告)号：CN102687246B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201080048061.5

申请日：2010-08-25

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： S·拜尔 ,  R·卡尔特 ,  A·黑尔米希 ,  B·雷梅尔

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28247 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02244 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848

摘要： 在半导体装置中，形成薄硅氮基材料之后通过暴露材料至氧等离子体（110）可以增加氮化钛材料（152）的完整性。该氧等离子体（110）可导致通过硅氮基材料未适当的覆盖的任何细微表面部份的额外的钝化。所以，额外的钝化之后，没有不必要的氮化钛材料（152）材料损失而可以进行高效清洁配方(例如在扫描式探针显微镜（SPM）的基础上的清洁工艺(111))进行。以此方式，高效清洁工艺的基础上，精密的高K金属栅堆叠栅极可形成有非常薄的保护衬垫材料，而不会在早期製造阶段过度导致显着的产量损失。

公开(公告)号：CN103779207A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310486485.5

申请日：2013-10-17

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： B·赖默 ,  S·拜尔 ,  J·冯克卢格

IPC分类号： H01L21/335

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

摘要： 本发明涉及包含湿蚀刻制程以移除氮化硅的半导体结构形成方法，揭示于本文的方法包括：提供包含晶体管的半导体结构，该晶体管包含栅极电极与形成于该栅极电极的氮化硅侧壁间隔体。执行湿蚀刻制程。该湿蚀刻制程移除该氮化硅侧壁间隔体的至少一部分。该湿蚀刻制程包括应用包含氢氟酸与磷酸中的至少一个的蚀刻剂。

公开(公告)号：CN102683261A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210048312.0

申请日：2012-02-27

申请人： 格罗方德半导体公司 ,  格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司

发明人： T·斯戈普 ,  P·巴阿斯 ,  S·拜尔

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

摘要： 一种通过覆盖STI区域的高介电常数金属栅极超整合，当在前制造阶段中形成高介电常数金属栅极电极结构时，通过减少隔离区域的表面形态来改善封装完整性与敏感栅极材料的完整性。为了达到这个目的，提供超蚀刻阻性的介电覆盖层结合习知的二氧化硅材料。

公开(公告)号：CN102484053B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201080037523.3

申请日：2010-06-17

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： R·卡特 ,  F·格瑞萨奇 ,  M·特伦萨奇 ,  S·拜尔 ,  B·雷默 ,  R·班德尔 ,  B·巴亚哈

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： 本发明提供一种用于N信道晶体管与P信道晶体管的精密闸极电极结构(235A，234B)，其系基于实质上相同的组构而图案化，但是同时可于初期制造阶段中完成功函数调整。为此目的，在将所欲的功函数金属成分合并进入该高k介电材料(212)之后，移除扩散层与罩盖层材料，并且随后沉积共同闸极层堆栈，并且随后图案化该共同闸极层堆栈。

公开(公告)号：CN103390586A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310164767.3

申请日：2013-05-07

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： J·亨治尔 ,  S·拜尔 ,  O·卡伦西 ,  S·弗莱克豪斯基

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明涉及形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备的方法及对应的半导体设备，所述形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备是通过：形成柵极电极结构于半导体基板上，形成在该柵极电极结构旁边的第一间隔体结构，在该柵极电极结构两侧形成于该半导体基板的暴露表面上方的半导体层结构借此形成对于该半导体基板的该暴露表面向该柵极电极下斜的层部，以及形成于该第一间隔体结构上方的第二间隔体结构，其中该第二间隔体结构覆盖该下斜层部的至少一部分。

公开(公告)号：CN101981674A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111273.0

申请日：2009-02-27

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： S·拜尔 ,  R·斯特凡 ,  M·特伦茨施 ,  P·普雷斯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： 于定义该深漏极和源极区(152)之后，可通过于金属栅极堆栈(160)中设置化学机械研磨停止层而有效率地缩减该金属栅极堆栈之初始高度，进而提供用以形成高应力介电材料的增强工艺条件。因此，该介电材料(161)可设置成更接近于该沟槽区而不会降低栅极导电率。

公开(公告)号：CN103779207B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201310486485.5

申请日：2013-10-17

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： B·赖默 ,  S·拜尔 ,  J·冯克卢格

IPC分类号： H01L21/335

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

摘要： 本发明涉及包含湿蚀刻制程以移除氮化硅的半导体结构形成方法，揭示于本文的方法包括：提供包含晶体管的半导体结构，该晶体管包含栅极电极与形成于该栅极电极的氮化硅侧壁间隔体。执行湿蚀刻制程。该湿蚀刻制程移除该氮化硅侧壁间隔体的至少一部分。该湿蚀刻制程包括应用包含氢氟酸与磷酸中的至少一个的蚀刻剂。

公开(公告)号：CN102683261B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210048312.0

申请日：2012-02-27

申请人： 格罗方德半导体公司 ,  格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司

发明人： T·斯戈普 ,  P·巴阿斯 ,  S·拜尔

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

摘要： 一种通过覆盖STI区域的高介电常数金属栅极超整合，当在前制造阶段中形成高介电常数金属栅极电极结构时，通过减少隔离区域的表面形态来改善封装完整性与敏感栅极材料的完整性。为了达到这个目的，提供超蚀刻阻性的介电覆盖层结合习知的二氧化硅材料。

公开(公告)号：CN102484053A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037523.3

申请日：2010-06-17

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： R·卡特 ,  F·格瑞萨奇 ,  M·特伦萨奇 ,  S·拜尔 ,  B·雷默 ,  R·班德尔 ,  B·巴亚哈

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： 本发明提供一种用于N信道晶体管与P信道晶体管的精密闸极电极结构(235A，234B)，其系基于实质上相同的组构而图案化，但是同时可于初期制造阶段中完成功函数调整。为此目的，在将所欲的功函数金属成分合并进入该高k介电材料(212)之后，移除扩散层与罩盖层材料，并且随后沉积共同闸极层堆栈，并且随后图案化该共同闸极层堆栈。

公开(公告)号：CN106373976A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610569585.8

申请日：2016-07-19

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： S·拜尔 ,  J·霍恩切尔 ,  A·埃贝尔曼恩

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L27/14

摘要： 本发明涉及一种裸片-裸片堆迭。一种半导体裸片，其设有：光发射器，经配置成传输光信号至另一个裸片；以及光接收器，经配置成接收来自另一裸片的光信号。另外，提供一种形成半导体装置的方法，包括形成第一半导体裸片的步骤有：提供半导体衬底、形成一个晶体管装置至少部分地位于半导体衬底上方、形成一个光接收器至少部分地位于半导体衬底上方及至少部分地位于其内其中一者、形成一金属化层位于晶体管装置上方、以及形成一个光发射器至少部分地位于金属化层上方及至少部分地位于金属化层内其中一者。