公开(公告)号：CN102484053B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201080037523.3

申请日：2010-06-17

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： R·卡特 ,  F·格瑞萨奇 ,  M·特伦萨奇 ,  S·拜尔 ,  B·雷默 ,  R·班德尔 ,  B·巴亚哈

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： 本发明提供一种用于N信道晶体管与P信道晶体管的精密闸极电极结构(235A，234B)，其系基于实质上相同的组构而图案化，但是同时可于初期制造阶段中完成功函数调整。为此目的，在将所欲的功函数金属成分合并进入该高k介电材料(212)之后，移除扩散层与罩盖层材料，并且随后沉积共同闸极层堆栈，并且随后图案化该共同闸极层堆栈。

公开(公告)号：CN102484053A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037523.3

申请日：2010-06-17

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： R·卡特 ,  F·格瑞萨奇 ,  M·特伦萨奇 ,  S·拜尔 ,  B·雷默 ,  R·班德尔 ,  B·巴亚哈

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： 本发明提供一种用于N信道晶体管与P信道晶体管的精密闸极电极结构(235A，234B)，其系基于实质上相同的组构而图案化，但是同时可于初期制造阶段中完成功函数调整。为此目的，在将所欲的功函数金属成分合并进入该高k介电材料(212)之后，移除扩散层与罩盖层材料，并且随后沉积共同闸极层堆栈，并且随后图案化该共同闸极层堆栈。