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发明授权
极紫外光微影(EUVL)反射型掩膜有权转让

公开(公告)号：CN108693696B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201810325025.7

申请日：2018-04-12

申请人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司

发明人： 许杰安·希恩 , 尚尼尔·K·辛 , 索汉·S·米塔

IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/46 , G03F1/52

摘要： 本发明涉及极紫外光微影(EUVL)反射型掩膜，其提供一种有埋藏吸收剂图案的反射型掩膜。该反射型掩膜可包括一低热膨胀材料(LTEM)衬底。可包括一对反射型堆叠，各反射型堆叠各自具有从该LTEM衬底延伸到一第一限度的一第一顶面。一填充堆叠在该对反射型堆叠之间，该填充堆叠具有从该LTEM衬底延伸到一第二限度的一第二顶面，该第二限度低于该对反射型堆叠的该第一限度。该对反射型堆叠中的每一者的一延伸部高于该填充堆叠藉此在该对反射型堆叠之间形成一凹井，该凹井具有被该填充堆叠的该第二顶面分离的实质垂直壁。衬里该凹井的一吸收剂层。