公开(公告)号：CN119349888A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411387653.X

申请日：2024-10-06

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 周焕福 ,  吴优 ,  王海泉 ,  张文杰 ,  黄芳仪 ,  陈秀丽 ,  王梦瑶

IPC: C03C10/02 ,  C03C12/00 ,  C03B19/06

Abstract: 本发明涉及电子陶瓷技术领域，具体内容涉及低介三元体系低烧结温度玻璃陶瓷介质材料及其制备方法，化学式为Li3AlxByO6+δ，原料包括Li2CO3、Al2O3和B2O3。烧结得到的玻璃陶瓷介质材料的主晶相为Li3AlB2O6，次相为LiAlB2O5，该玻璃陶瓷介质材料是一种具有低介电常数和烧结温度的玻璃陶瓷介质材料，其在测试频率(15GHz)下的相对介电常数低至3～5，谐振频率温度系数‑79～‑121ppm/℃，品质因数可以达到21965‑32497GHz，解决现有介质材料因烧结温度偏高而应用受到限制的问题。

公开(公告)号：CN118221428A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311569481.3

申请日：2023-11-23

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 周焕福 ,  王海泉 ,  张海林 ,  吴优 ,  陈秀丽

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及电子信息陶瓷制造技术技术领域，具体涉及一种低温反应烧结的硅酸盐微波介质材料制备方法，通过硅酸盐微波介质材料的化学通式进行配备，得到原料；将原料、锆球和无水乙醇在行星球磨中混合后取出烘干，得到粉体材料；将粉体材料制成小圆柱，在大气气氛中烧结，得到低介低损的硅酸盐微波介质材料，实现低介的硅酸盐的低温反应烧结中，可满足LTCC要求，同时满足优良的Q×f值。

公开(公告)号：CN115286375A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210832766.0

申请日：2022-07-14

Applicant: 桂林理工大学 ,  贵阳顺络迅达电子有限公司

Inventor： 周焕福 ,  王海泉 ,  吴优 ,  李青 ,  戴正立 ,  张海林 ,  陈秀丽

IPC: C04B35/22 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及微波介质陶瓷及其制造技术领域，具体涉及低介电常数Ba‑Ca‑R‑Si基微波介质陶瓷材料及其制备方法，包括对原料进行配比得到配比原料，对所述配比原料进行预处理，得到预处理原料，对所述预处理原料进行加工，得到原料颗粒，对所述原料颗粒进行压制，得到低介半成品原料，通过所述低介半成品原料制成陶瓷材料，对所述配比原料进行预处理得到预处理材料，多所述预处理材料进行加工得到原料颗粒，对所述原料颗粒进行压制得到低介半成品原料，使用所述低介半成品原料可以制备陶瓷材料，从而解决了现有的低介低损LTCC材料选择面不足的问题。