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公开(公告)号:CN106830903A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710129196.8
申请日:2017-03-06
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C04B35/10 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3418 , C04B2235/9692 , C09K8/80
Abstract: 本发明公开了一种耐酸氧化铝基陶粒压裂支撑剂的制备方法。(1)原料各组分质量百分比含量为:氧化铝84‑90%,稀土镨的化合物0.01‑5%,复合添加剂5‑10%,原料的质量百分比之和为100%,复合添加剂为钙、镁和硅的化合物或矿物。(2)将配好的料放入球磨装置中球磨30‑50小时。(3)将得到的浆料烘干后,造粒制成生坯。(4)将所得生坯在1300‑1400℃烧结,保温0.5‑2小时,冷却至室温。按照SY/T5108—2006对成品进行测试,酸溶解度可低至0.46%,达到行业标准(≤5.0%)。本发明原料广泛,造价低廉,采用一般工业设备,工艺简单,便于工业化生产,制备出的陶粒支撑剂耐酸性能好。
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公开(公告)号:CN103387384A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201310289329.X
申请日:2013-07-11
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种利用稀土化合物制备微晶耐磨氧化铝陶瓷的方法。(1)按原料质量百分比为Al2O370~99.7%、稀土镝的化合物0.1~10%、钙的化合物或矿物为0.05~10%、镁的化合物或矿物为0.05~10%以及硅的化合物或矿物为0.1~15%进行配料。(2)将配好的料加水混合,采用搅拌磨球磨或管式球磨机湿法球磨,球磨时间为5~96小时混均,粉碎至粉体的平均粒径0.2~2μm,其中加水量与原料质量比为1:3~3:1。(3)将得到的原料干燥后,采用等静压,滚压成型或轴压成型,制得坯体。(4)将坯体在空气气氛或还原气氛(CO、H2或N2)中烧结,烧结温度为1050~1650℃,保温30~300分钟,冷却至室温制得氧化铝陶瓷材料。本发明原料广泛,生产工业简单,制备出的氧化铝陶瓷磨损率低。
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公开(公告)号:CN103145406A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201310117498.5
申请日:2013-04-07
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备耐磨性能优异的氧化铝陶瓷的方法.(1)原料各组分的质量百分比含量为:Al2O370-99.8%、稀土钇的化合物0.01-10%以及钙的化合物或矿物、镁的化合物或矿物和硅的化合物或矿物0.19-20%;(2)将步骤(1)配好的原料球磨4-96小时;(3)将步骤(2)所得原料干燥后,采用等静压成型、滚压成型或轴向加压成型,制得坯体;(4)坯体在1150-1700℃烧结,烧结为无压烧结,烧结气氛为空气气氛或是还原气氛,保温15-360分钟,冷却至室温制得成品。本发明通过添加稀土钇化合物,采用一般工业设备,工艺简单,对比不掺稀土的氧化铝陶瓷,制备出了产品烧结温度低,耐磨性能优异的氧化铝陶瓷。
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公开(公告)号:CN102303882B
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201110236817.5
申请日:2011-08-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01F7/36
Abstract: 本发明公开了一种微乳液制备高纯α-Al2O3粉体的方法。根据微乳液的性质选择相应的油相、表面活性剂、助表面活性剂;由异丙醇铝的基本性质制备异丙醇铝微乳液,搅拌均匀,加入氨水或碳酸氢铵调节pH=8~10,在50~100℃水浴20~90min进行水解,将得到的凝胶进行抽滤,大量去离子水、无水乙醇或丙酮洗涤,烘干,在900~1200℃下煅烧得到高纯α-Al2O3粉体。本发明工艺设备简单、易生产、耗能低、组成可调、所得粒子分散性好、纯度高。
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公开(公告)号:CN102659393A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201210166335.1
申请日:2012-05-27
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C09K8/80
Abstract: 本发明公开了一种耐酸性能优良的中低密度压裂支撑剂的制备方法。(1)原料的质量百分比为:含钛铝矾土或氧化铝粉60-99%,添加剂1-40%;原料的质量百分比之和为100%;所述添加剂为含锰10-20%的低品位锰矿渣、含锰化合物、含钡化合物、含钙化合物、含镁化合物、含钛化合物、含磷化合物和含硼化合物中的一种或多种;(2)将步骤(1)的原料球磨3-48小时后烘干,经成型工艺制成球形颗粒状生坯;(3)将步骤(2)所得生坯在1000-1550°C烧结,保温0.5-3小时。本发明低温烧成,降低能耗,减少了对环境的污染;实现了高性能压裂支撑剂的低成本制造。
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公开(公告)号:CN102093878A
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN201110006265.9
申请日:2011-01-11
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C09K8/80 , C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种铝酸钙耐酸陶粒压裂支撑剂及其制备方法。原料组成为:氧化铝60-90%、碳酸钙10-40%和助烧剂0-10%;氧化铝、碳酸钙和助烧剂的重量百分比之和为100%;助烧剂为二氧化钛、硼酸、氧化镁中的一种或多种。(1)将原料按配料比放入球磨装置中球磨24-48小时;(2)将(1)步所得原料制备成半成品颗粒;(3)将(2)步所得半成品颗粒在1300℃-1600℃烧结1-3小时,冷却到室温即可。本发明工艺简单,碳酸钙在高温下分解产生氧化钙,氧化钙与氧化铝充分反应生成稳定的铝酸钙。铝酸钙有较强的耐酸性能,保护成品的其它组分免受酸液的侵蚀,大大提高了成品的耐酸性能。
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公开(公告)号:CN102060513A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN201010503084.2
申请日:2010-10-10
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/00 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种制备低放射性辐射赤泥陶瓷材料的方法。(1)原料的质量百分比为:赤泥28~70%,红砂岩28~70%,钡的化合物或毒重石1~20%,助熔剂1~10%;助熔剂为氟化钙、氧化铝、氧化镁、氧化钙和二氧化硅中的一种或多种;(2)将步骤(1)原料放入球磨装置中球磨混料12~48小时;(3)将步骤(2)所得料在60℃~120℃温度下烘干6~24小时;(4)将步骤(3)所得料采用压制成型或可塑成型,制得坯体;(5)将步骤(4)所得坯体在900℃~1300℃烧结1~5小时,冷却到室温制得成品。本发明原料来源广泛,成本极低,可降低赤泥放射性辐射剂量30~45%,达到天然放射性本底水平。
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公开(公告)号:CN101811873A
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN201010143771.8
申请日:2010-04-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/44 , C09K8/80
Abstract: 本发明公开了一种无硅或低硅耐酸陶粒压裂支撑剂的制备方法。具体步骤为:(1)原料重量百分比为:氧化铝30-95%、碳酸钡5-70%和助烧剂0-10%;助烧剂为二氧化钛、硼酸、碳酸钙、氧化镁和白云石中的一种或多种;(2)将步骤(1)原料放入球磨装置中进行球磨24-48小时;(3)将(2)步所得原料制备成半成品颗粒;(4)将(3)步所得半成品颗粒在1500℃-1800℃进行烧结1-3小时,冷却到室温即可。本发明工艺简单,碳酸钡在高温下分解产生氧化钡,氧化钡与氧化铝充分反应生成稳定的铝酸钡;铝酸钡有较强的耐酸性能,保护成品的其它组分免受酸液的侵蚀,大大提高了成品的耐酸性能。
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公开(公告)号:CN102701714A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201210215349.8
申请日:2012-06-27
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种用二氧化铈制备氧化铝陶瓷的方法。(1)按照质量百分比为:氧化铝99.7~70%、硅、镁、钙的化合物或矿物中的一种或多种0.1~25%,气相法、固相法或液相法中的任意一种方法所制得的纳米、亚微米或微米级二氧化铈0.01~5%;(2)将步骤(1)所得原料球磨混合5~96小时后干燥;经成型工艺,制成生坯;(3)将步骤(2)所得生坯在1100℃~1650℃烧结,保温0.5~6小时,自然冷却;其中一种纳米、亚微米和微米级二氧化铈的制备方法的具体步骤是:取六水硝酸铈在220~1500℃下煅烧,保温0.1~5小时,随炉温冷却,制得粒径为纳米、亚微米或微米的二氧化铈。本发明采用一般工业设备,工艺简单、有利于工业化生产;制备的产品烧结温度低,耐磨性能良好。
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公开(公告)号:CN102352239A
公开(公告)日:2012-02-15
申请号:CN201110236846.1
申请日:2011-08-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C09K8/80
Abstract: 本发明公开了一种轻质耐酸陶粒压裂支撑剂的制备方法。原料质量百分比为:氧化铝70-90%、二氧化钛0.1-10%,助烧剂0-30%;原料的质量百分比之和为100%,助烧剂为钡、钙、镁和硼的化合物中的一种或多种;将原料放入球磨装置中进行球磨12-48小时;所得浆料在60℃-120℃温度下烘干3-12小时;所得原料经成型工艺,制成球形颗粒状生坯;所得颗粒状生坯在硅钼炉中1300℃-1550℃烧结,保温0.5-3小时,随炉温冷却即可。按照SY/T5108-2006推荐方法对成品进行测试,酸溶解度<0.5%,达到行业标准的要求(酸溶解度的允许值≤5%)。本发明工艺简单、有利于工业化生产;制备的产品烧结温度低,能显著降低高铝陶瓷生产中的高温能耗及产品成本。
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