公开(公告)号：CN113683399A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110838195.7

申请日：2021-07-23

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 杨利 ,  杨小燕 ,  匡小军

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开一种介电常数ε为9，品质因子与谐振频率乘积(Q×f)为15895GHz，谐振频率温度系数(τf)为‑53.7ppm/℃的低介电常数石榴石结构微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷制备技术领域，其化学组成为Ca3Sb2Ga2ZnO12。本发明公开的低介电常数微波介质陶瓷所用原料成本低、化学组成及制备工艺简单，可应用于微波集成电路基片、谐振器与电子产品封装等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN113773054A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111108263.0

申请日：2021-09-22

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 杨利 ,  杨小燕 ,  匡小军

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开一种相对介电常数ε在15～17之间,品质因子与谐振频率乘积(Q×f)在80,000～95,000GHz之间，谐振频率温度系数(τf)在‑30～‑28ppm/℃之间的新型镓酸盐石榴石微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷制备技术领域，其化学组成为Ca3TiMGa3O12(M＝Nb,Ta)。本发明公开的镓酸盐石榴石结构微波介质陶瓷化学组成及制备工艺简单，可应用于介质谐振器、微波集成电路基片等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN113651600A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110957173.2

申请日：2021-08-19

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 杨利 ,  杨小燕 ,  匡小军

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开一类介电常数εr在8.9～9.9之间，品质因子与谐振频率乘积(Q×f)在54,158～67,642GHz，谐振频率温度系数(τf)在‑58.3～‑47.9ppm/℃的新型低介电常数高品质因子锗酸盐微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷制备技术领域，其化学组成为Ca3MgAGe3O12(A＝Zr,Sn,Hf)。本发明公开的新型低介电常数高品质因子锗酸盐微波介质陶瓷化学组成及制备工艺简单，可应用于介质谐振器、微波集成电路基片等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN113651599A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110957162.4

申请日：2021-08-19

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 杨利 ,  杨小燕 ,  匡小军

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开一类介电常数εr在9.1～12.3之间，品质因子与谐振频率乘积(Q×f)在20,744～90,197GHz，谐振频率温度系数(τf)在‑37.7～‑21.7ppm/℃的新型低介电常数高品质因子镓酸盐微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷制备技术领域，其化学组成为Ca3SnAGa3O12(A＝Nb,Sb,Ta)。本发明公开的新型镓酸盐微波介质陶瓷化学组成及制备工艺简单，可应用于介质谐振器、微波集成电路基片等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN113800908A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110989647.1

申请日：2021-08-26

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 杨利 ,  杨小燕 ,  匡小军

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开一种介电常数ε在20～27之间,品质因子与谐振频率乘积(Q×f)在17,000～29,000GHz，谐振频率温度系数(τf)在‑77～‑79ppm/℃的新型双钙钛矿结构微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷制备技术领域，其化学组成为La3Mg2MO9(M＝Nb,Sb,Ta)。本发明公开的双钙钛矿结构微波介质陶瓷化学组成及制备工艺简单，可应用于介质谐振器、微波集成电路基片等微波器件的制造。