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公开(公告)号:CN112357958B
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202011304677.6
申请日:2020-11-19
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯度含铯无铅卤化物双钙钛矿材料Cs2NaBi1‑xSnxCl6‑x的制备方法。(1)将纯度为99%(质量百分比)的无水氯化亚锡与氯化铯、氯化钠和氯化铋按照设计的双钙钛矿材料Cs2NaBi1‑xSnxCl6‑x的计量比组成称量配料;(2)将步骤(1)原料投入到有80℃浓盐酸的烧瓶中,反应时间为1h,从油浴中取出放置在空气中自然冷却至室温;(3)将步骤(2)制得的产物离心并用无水乙醇洗涤三次,在真空干燥箱中80℃干燥过夜;(4)将步骤(3)所得产物研钵研磨20min后在集热式恒温烘箱中反应10h。本发明制备的材料工艺简单、纯度高、晶粒尺寸小、荧光性能优异、化学稳定性好,掺入的Sn2+大大提高了荧光性能等特点,该材料极具应用前景。
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公开(公告)号:CN113800908A
公开(公告)日:2021-12-17
申请号:CN202110989647.1
申请日:2021-08-26
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种介电常数ε在20~27之间,品质因子与谐振频率乘积(Q×f)在17,000~29,000GHz,谐振频率温度系数(τf)在‑77~‑79ppm/℃的新型双钙钛矿结构微波介质陶瓷及其制备方法,属于微波介质陶瓷制备技术领域,其化学组成为La3Mg2MO9(M=Nb,Sb,Ta)。本发明公开的双钙钛矿结构微波介质陶瓷化学组成及制备工艺简单,可应用于介质谐振器、微波集成电路基片等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN112357958A
公开(公告)日:2021-02-12
申请号:CN202011304677.6
申请日:2020-11-19
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯度含铯无铅卤化物双钙钛矿材料Cs2NaBi1‑xSnxCl6‑x的制备方法。(1)将纯度为99%(质量百分比)的无水氯化亚锡与氯化铯、氯化钠和氯化铋按照设计的双钙钛矿材料Cs2NaBi1‑xSnxCl6‑x的计量比组成称量配料;(2)将步骤(1)原料投入到有80℃浓盐酸的烧瓶中,反应时间为1h,从油浴中取出放置在空气中自然冷却至室温;(3)将步骤(2)制得的产物离心并用无水乙醇洗涤三次,在真空干燥箱中80℃干燥过夜;(4)将步骤(3)所得产物研钵研磨20min后在集热式恒温烘箱中反应10h。本发明制备的材料工艺简单、纯度高、晶粒尺寸小、荧光性能优异、化学稳定性好,掺入的Sn2+大大提高了荧光性能等特点,该材料极具应用前景。
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公开(公告)号:CN111233471A
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN202010077441.7
申请日:2020-01-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C01G39/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M4/02
Abstract: 本发明公开了一种四方钨青铜结构Mo3Nb2O14材料的制备方法及其应用。按照MoO3与Nb2O5的摩尔比为3:2称取原料;将称取的原料放于玛瑙研钵中进行研磨混合,然后用红外灯加热干燥,重复研磨干燥步骤3~5次,将获得的粉末用4 MPa的压力压制成直径为10 mm的片,将片放入玻璃管中,采用真空封管的技术进行密封,然后置于马弗炉中以5℃/min的升温速率升温至700℃保温12 h进行烧结,即制得四方钨青铜结构Mo3Nb2O14材料。该材料应用于锂离子电池负极材料。本发明具有制备方法简单,原料丰富,无污染等优点,且首次提出利用真空合成技术制造氧空位的合成方法,所得到的Mo3Nb2O14富含氧空位,当作为锂离子负极材料时,该氧空位能显著提高材料的电化学性能。
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公开(公告)号:CN103553602A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201310469358.4
申请日:2013-10-10
Applicant: 桂林理工大学
Inventor: 匡小军
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种介电常数(εr)介于30-40,品质因子与谐振频率乘积(Qf)接近于30000GHz,谐振频率温度系数(τƒ)在±10ppm/℃之间正负可调的金红石型微波介质陶瓷材料,其化学组成为Ga1-xTa1-xTi2xO4,其中0.15≤x≤0.3。本发明公开的微波介质陶瓷化学组成及制备工艺简单,可用于介质谐振器、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN103539445A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201310498264.X
申请日:2013-10-22
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结的微波介电陶瓷Zn2V3Bi3O14及其制备方法。可低温烧结的微波介电陶瓷的化学组成为Zn2V3Bi3O14。(1)将分析纯的ZnO、V2O5和Bi2O3的原始粉末按Zn2V3Bi3O14化学式称量配料。(2)将步骤(1)原料与蒸馏水混合湿式球磨12小时,烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时。(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在870~900℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在870~900℃烧结良好,其介电常数达到15~16,品质因数Qf值高达78000-86000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号:CN117181220A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202311053969.0
申请日:2023-08-21
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明涉及催化剂制备技术领域,具体提供一种三元复合光催化剂Au/Ti3C2/2D‑C3N4及其制备方法和应用。将三聚氰胺与丙二酰胺进行热共聚合得到改性氮化碳,再与购买的Ti3C2试剂混合后进行超声得到黑色粉末,接着通过光还原氯金酸即得到三元复合光催化剂。该光催化剂在模拟太阳光和可见光下的产氢速率分别为778.7和122.1μmol/h/g,与未经过修饰的氮化碳提升了99.8和∞倍。特别是它的使用寿命达到120h。本发明基于复合材料的协同效应设计并制备了三元复合光催化剂,该方法简单易行,合成条件温和,主要成分价格低廉,易于工业化生产,兼顾高制氢性能和长时间光稳定性,因而表现出良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN114804852A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210307158.8
申请日:2022-03-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种中温区具有高氧离子电导率的四方白钨矿结构钒酸铋基陶瓷及其制备方法,属于新型固态离子导体制备技术领域,其氧离子电导率在500~700℃达0.92~6.2mS/cm,化学组成为Bi0.85Ca0.15VO3.925。本发明公开的四方白钨矿结构钒酸铋基氧离子导体的化学组成及制备工艺简单、成本低,可应用于中温区固态氧化物燃料电池、氧气传感器和氧气渗透膜等器件的制造。
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公开(公告)号:CN113683399A
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN202110838195.7
申请日:2021-07-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种介电常数ε为9,品质因子与谐振频率乘积(Q×f)为15895GHz,谐振频率温度系数(τf)为‑53.7ppm/℃的低介电常数石榴石结构微波介质陶瓷及其制备方法,属于微波介质陶瓷制备技术领域,其化学组成为Ca3Sb2Ga2ZnO12。本发明公开的低介电常数微波介质陶瓷所用原料成本低、化学组成及制备工艺简单,可应用于微波集成电路基片、谐振器与电子产品封装等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN110183228A
公开(公告)日:2019-08-30
申请号:CN201910488606.7
申请日:2019-06-06
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01P7/10 , H01P1/20
Abstract: 本发明公开一种介电常数ε在21—35之间,品质因子与谐振频率乘积(Q×f)在21000—60000GHz,谐振频率温度系数(τf)在-12—16ppm/℃之内可调的两相复合型微波介质陶瓷及其制备方法,属于微波介质陶瓷制备技术领域。其化学组成为(1-x)Ba8CoNb6O24-x Ba3CoNb2O9(x=0-1)。本发明采用8层六方钙钛矿Ba8CoNb6O24和立方钙钛矿Ba3CoNb2O9为配料,根据化学计量比混合烧结成瓷,获得谐振频率温度系数正负可调的两相复合型微波介质陶瓷,涉及组成及制备工艺简单,可通过此发明应用于零谐振频率温度系数的介质谐振器、移动通讯设备等领域。
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