公开(公告)号：CN114023816A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111139478.9

申请日：2021-09-28

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 周炳 ,  翁加付 ,  施宁萍 ,  毛建达

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明的内容为提供一种新型V字形沟槽结构的GaN HEMT器件的结构及制备方法。通过V字形腰部引出的栅电极加电压控制栅电极两边AlGaN/GaN异质结形成的二维电子气(2DEG)浓度，来调控器件开关状态。其中，两侧的电流往V字形底部传输到Si衬底，通过Si衬底与最下层的背衬底漏极接触，这就实现了通过栅电极调控源、漏电极导通形成电流传输的V字形沟槽结构的GaN HEMT器件。本发明在传统垂直型结构的基础上提供一种新型V字形沟槽结构的GaN HEMT器件的想法，以克服现有结构的不足。

公开(公告)号：CN114023817A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111291026.2

申请日：2021-11-01

Applicant: 桂林理工大学 ,  宁波海特创电控有限公司

Inventor： 周炳 ,  翁加付 ,  施宁萍 ,  毛建达

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的内容为提供带压电介质层的GaN HEMT器件的结构及制备方法。以压电介质层的压电效应为原理实现电能和机械能的转换，通过在栅电极施加电压调控器件应力影响AlGaN/GaN异质结沟道二维电子气浓度，从而影响器件的导通电流。本文通过在传统GaN HEMT器件结构的基础上，通过压电材料替换传统的栅介质层，发明了一种全新的带压电介质层的GaN HMET器件结构。